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FP25R12U1T4  FP25R12KT4_B15  FP30R06W1E3_B11  FP30R06KE3  FP30R06YE3  FP25R12KT4  
SFP2N60 硅N沟道MOSFET (Silicon N-Channel MOSFET)
.型号:   SFP2N60
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描述: 硅N沟道MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
文件大小 :   567 K    
页数 : 7 页
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品牌   WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
购买 :   
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100%
SFP2N60
SFP2N60
硅N沟道MOSFET
特点
�½
�½
�½
�½
�½
2A,600V,R
DS ( ON)
(Max4.7Ω)@V
GS
=10V
超低栅极电荷(典型9.0nC )
快速开关能力
100%的雪崩测试
最高结温范围( 150 ℃ )
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形, DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。这器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
降额因子above25 ℃
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
0.43
-55~150
300
W/℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
Note3)
(Note1)
1.3
8
±30
140
6.4
5.5
54
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
600
2.0
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到环境
价值
-
0.5
-
典型值
-
-
-
最大
2.3
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
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