MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
SFP740
硅N沟道MOSFET
特点
�½
�½
�½
�½
�½
10A,400V,R
DS ( ON)
(最大值0.55Ω ) @V
GS
=10V
超低栅极电荷(典型值45nC )
快速开关能力
100%的雪崩测试
最高结温范围( 150 ℃ )
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形, DMOS技术。这一最新技术已
特别设计,以尽量减少对通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源,电源
因数校正和半桥和全桥谐振拓扑
行一个电子镇流器。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
1.0
-55~150
300
W/℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
6.3
40
±30
450
13
4
134
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
400
10
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结-to -Case
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到 - 环境
价值
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
0.93
-
62
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
版权所有@ WinSemi半导体有限公司,保留所有权利。
SFP740
电气特性( TC = 25 ℃ )
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷(栅源
Qg
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极( "miller" )充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
nC
I
D
=10A
(Note4,5)
-
-
7
27
-
-
tf
花花公子
V
DD
=320V,
-
45
71
R
G
=25Ω,
(Note4,5)
-
-
125
85
260
180
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
ΔBV
DSS
/
△T
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ,V
DS
=0V
V
DS
=400V,V
GS
=0V
I
D
= 250 μA ,V
GS
=0V
I
D
= 250μA ,引用
-
±30
-
400
-
TYPE
-
-
-
-
0.4
-
0.48
9.6
1400
150
35
20
80
最大
±100
-
25
-
-
4
0.55
-
1800
195
45
50
170
单位
nA
V
µA
V
V/℃
V
S
至25 ℃
V
DS
=10V,I
D
=250 µA
V
GS
=10V,I
D
=5A
V
DS
=40V,I
D
=5A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=200V,
I
D
=10A,
2
-
-
-
-
-
-
-
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25℃)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=10A,V
GS
=0V
I
DR
=10A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
1.4
330
3.57
最大
10
40
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
µC
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L = 7.9mH我
AS
=10A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ,起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤10A,di/dt≤300A/us,V
DD
<BV
DSS
,起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定,全方位为您提前
SFP740
图1在-State特点
图2传输特性
图3电容变化VS
漏极电压
图4击穿电压
变异VS温度下保持
图5导通电阻变化VS
结温
图6栅极电荷特性
3/7
稳定,全方位为您提前
SFP740
图7最大安全运行
图8最大漏极电流与
外壳温度
图9瞬态热响应曲线
4/7
稳定,全方位为您提前
SFP740
图10门测试电路波形&
图11电阻开关测试电路波形&
图12 Uncamped电感式开关测试电路波形&
5/7
稳定,全方位为您提前
相关元器件产品Datasheet PDF文档

SFP740_11

N-Channel MOSFET
暂无信息
14 SEMIWELL

SFP75N08R

Silicon N-Channel MOSFET
暂无信息
98 WINSEMI

SFP7N60

N-Channel MOSFET
暂无信息
17 SEMIWELL

SFP81

CURRENT 8.0 AMPERES VOLTAGE 50 TO 600 VOLTS
暂无信息
13 DAESAN

SFP81

CURRENT 8.0 AMPERES VOLTAGE 50 TO 600 VOLTS
暂无信息
16 DAESAN

SFP82

CURRENT 8.0 AMPERES VOLTAGE 50 TO 600 VOLTS
暂无信息
8 DAESAN