电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
CGJ5F3X7R1C105J  CGJ5F4X7R1C102J  CGJ5F4X7R1A102J  CGJ5F2C0G1H105J  CGJ5F2X7R1E102J  CGJ5F3X7R1E105J  CGJ5F3C0G0F102J  CGJ5F2C0G1A105J  CGJ5F4C0G1E102J  CGJ5F4C0G1H101J  
SFP75N08R 硅N沟道MOSFET (Silicon N-Channel MOSFET)
.型号:   SFP75N08R
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 硅N沟道MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
文件大小 :   339 K    
页数 : 7 页
Logo:   
品牌   WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
购买 :   
  浏览型号SFP75N08R的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号SFP75N08R的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号SFP75N08R的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号SFP75N08R的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号SFP75N08R的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号SFP75N08R的Datasheet PDF文件第7页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
SFP75N08R
SFP7 N08R
硅N沟道MOSFET
特点
■ R
DS ( ON)
(最大15MΩ ) @V
GS
=10V
■超低栅极电荷(典型值80nC )
•快速开关能力
■ 100 %雪崩测试
■最大结温范围( 175 ℃ )
概述
这是功率MOSFET生产Winsemi拥有先进
DMOS工艺,平面条形。这项技术使电源
MOSFET具有更好的特性,如快速
switchingtime ,低导通电阻,低栅极电荷和特别
优异的雪崩特性。该器件非常适合
对于低电压应用,如汽车,直流/直流
转换,并在电源管理的高效率开关
便携式和电池供电产品
G
D
S
TO220
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
减额在25℃以上因素
结温
储存温度
最大无铅焊接温度的目的( 5秒)
(注2 )
(注3)
(注2 )
(Note1)
参数
价值
80
75
52.6
300
±20
13100
75
17.3
7.3
173
1.15
175
-55~150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
热阻,结到环境
-
价值
典型值
-
0.5
最大
0.87
单位
℃/W
℃/W
-
-
62.5
℃/W
牧师,B Nov.2009
版权所有@ WinSemi半导体有限公司,保留所有权利。
T03-3
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7