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MIC68200-2.5YML  MIC68200-1.8YML  MIC6315_08  MIC68200_11  MIC6315-46D2UY  MIC68200YML  MIC6315-44D4U  MIC68200-1.2YML  MIC69101  MIC6315-46D3UY  
SFP75N08R 硅N沟道MOSFET (Silicon N-Channel MOSFET)
.型号:   SFP75N08R
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描述: 硅N沟道MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
文件大小 :   339 K    
页数 : 7 页
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品牌   WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
购买 :   
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100%
SFP75N08R
SFP7 N08R
电气特性(TC = 25 ° C)
25°
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿电压
击穿
系数
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷(栅极 - 源极加
Qg
栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
QGS
QGD
tf
花花公子
电压
温度
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
I
G
= -10 μA ,V
DS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
°
V
DS
= 64V , TC = 125°C
-
±20
-
-
80
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
0.08
-
12
15
2600
940
210
30
225
165
155
80
15
32
最大
±100
-
10
100
-
-
4
15
-
3380
1229
275
70
460
单位
nA
V
μA
μA
V
V/℃
V
mΩ
s
V
( BR ) DSS
△ BVDS /
-Tj
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0 V
I
D
= 1mA时,参考25 ℃
V
DS
= 10 V,I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V,I
D
= 37.5A
V
DS
= 25V ,我
D
= 37.5A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=40V
I
D
=75A
R
G
=25 Ω
V
GS
=10V
VDD = 64 V,
VGS = 10V ,
(Note4,5)
pF
ns
340
320
105
nC
-
-
-
-
-
(Note4,5)
-
ID = 48一
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25°C )
来源?
25°
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
= 75A , VGS = 0 V
I
DR
= 75A , VGS = 0 V ,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
90
250
最大
75
300
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
μC
1. Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2, L = 19.5mH ,我
AS
= 75A , RG = 20Ω ,起始物为
J
=25℃
3. I
SD
≤48A ,二/ dt≤300A / μs的,V
DD
ΔBV
DSS ,
起始物为
J
=25℃
4.脉冲测试:脉冲Width≤300μs ,职务Cycle≤2 %
5.基本上是独立工作温度
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定,全方位为您提前
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