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2SD669A-X-T9N-B  2SD669A-X-TN3-R  AWT6277R  S29PL256N65FAWW02  AWT6310R  AWT6272RM20P8  2SD669A-X-T9N-R  2SD669A-X-AB3-R  UVK1A103MHD  AWT6276RM20P8  
X28C64EI-20 5伏,可变的字节E2PROM (5 Volt, Byte Alterable E2PROM)
.型号:   X28C64EI-20
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描述: 5伏,可变的字节E2PROM
5 Volt, Byte Alterable E2PROM
文件大小 :   112 K    
页数 : 25 页
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品牌   XICOR [ XICOR INC. ]
购买 :   
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100%
X28C64
64K
X28C64
5伏,字节可变ê
2
舞会
描述
8K ×8位
特点
为150ns访问时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-60mA工作电流最大。
—200
µ
待机电流最大。
快速写周期时间
-64字节页写操作
- 字节或页写入周期: 5ms的典型
-complete存储器重写: 0.625秒。典型
- 有效字节写周期时间: 78
µ
š典型
软件数据保护
写检测结束
威刚投票
- 切换位
高可靠性
-Endurance : 100,000次
- 数据保存: 100年
JEDEC批准字节宽引脚
该X28C64是8K ×8 ê
2
PROM ,与制造
Xicor公司专有的高性能,浮栅
CMOS技术。像所有的Xicor公司的可编程非易失
非易失性存储器的X28C64是5V唯一设备。该
X28C64采用了JEDEC核准的引脚排列针对字节
宽回忆,与行业标准兼容的RAM 。
该X28C64支持64字节页写操作,
有效地提供了78μs /字节写周期和使
abling被典型地写在0.625整个存储器
秒。该X28C64还具有
数据
和切换
位轮询,用于将系统软件支持计划
表明早日完成一个写周期。此外
化,在X28C64包括用户可选的软件数据
保护模式,进一步增强了Xicor公司的硬件
洁具写保护功能。
Xicor公司ê
2
PROM的设计和测试应用
系统蒸发散需要延长的续航能力。固有的数据重新
张力大于100年。
引脚配置
塑料DIP
CERDIP
扁平封装
SOIC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
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X28C64
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25
24
23
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20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
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8
9
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11
12
X28C64
29
28
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26
25
24
23
22
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
LCC
PLCC
VCC
A12
WE
NC
NC
NC
A7
TSOP
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
NC
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
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30
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21
20
19
18
17
A3
A4
A5
A6
A7
A12
NC
NC
VCC
NC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
4
3
2
1 32 31 30
X28C64
21
13
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
3853 ILL F23.1
3853 FHD F03
3853 FHD F02
© Xicor公司,公司1991年, 1995年专利待定
3853-2.7 96年4月2日T0 / C3 / D2 NS
1
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