YFW10N65A9 [YFW]
10A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor;
| 型号： | YFW10N65A9 |
| 厂家： | 
DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD |
| 描述： | 10A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor |
| 文件： | 总6页 (文件大小：984K) |
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N-CHANNEL MOSFET 10N65A
10A 650V N沟道增强型场效应管
主要参数：
ID
10A
650V
0.8Ω
G.栅极 D.漏极 S.源极
VDSS
RDSON-typ(@VGS=10V)
性能特点：
开关速度快
低导通电阻
低反向传输电容
低栅极电荷量
100%单脉冲雪崩能量测试
提升了dv/dt能力
机械性能：
注塑成型封装
适用任何位置安装
封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准
加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s
封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263
产品规格分类：
产品料号
封装形式
TO-220F(0.5mm)
TO-220F(1.3mm)
TO-263
产品印字
包装方式
50PCS每管
50PCS每管
50PCS每管
800PCS每盘
50PCS每管
YFW10N65A2
YFW10N65A8
YFW10N65A3
YFW10N65A3-R
YFW10N65A9
10N65AF
10N65AF
10N65AS
10N65AS
10N65AC
TO-263
TO-220C
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N-CHANNEL MOSFET 10N65A
极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围
单位
参数名称
符号
220C
220F
263
漏源电压
650
V
DS
GS
V
V
±30
栅源电压
V
漏极电流-持续（TC=25°C）
-持续（TC=100°C）
漏极脉冲电流(注 1)
耗散功率（TC=25°C）-
-大于25°C每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 2)
雪崩电流(注 1)
10
I
D
A
6
40
IDM
A
W
145
50
145
P
D
W/°C
mJ
1.23
0.38
690
1.23
E
AS
10
I
AR
A
重复雪崩电压(注 1)
工作结温范围
17
E
AR
mJ
150
T
J
°C
贮存温度范围
-55 to +150
2.5
T
STG
°C
芯片对管壳热阻
1.1
1.1
R
θJC
θJA
°C/W
°C/W
芯片对环境的热阻
62.5
62.5
62.5
R
电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
最小值
典型值
-
最大值
单位
漏源击穿电压
漏源击穿电流
VGS = 0 V,ID = 250 μA
VDS = 650V, VGS = 0 V
VDS = 520 V, Tc =125°C
VGS = ± 30 V, VDS = 0 V
VDS = VGS , ID = 250 μA
VGS = 10 V, ID = 5 A
650
-
-
BVDSS
V
-
1
IDSS
UA
-
-
10
栅源漏电流
-
-
±100
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
gfs
nA
V
栅极开启电压
导通电阻
2
-
-
4
1.0
-
0.8
9.5
1900
134
6
Ω
S
正向跨导(注3)
输入电容
VDS = 40 V, ID = 5 A
-
-
-
Ciss
VGS = 0 V, VDS = 25 V,
f = 1MHz
输出电容
-
-
Coss
pF
nS
nC
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
-
-
Crss
-
25
21
50
23
21.5
8
-
td(ON)
tr
-
-
ID = 10A, VDD = 325 V,
RG= 25Ω(注3,4）
-
-
td(OFF)
tf
-
-
QG
-
-
ID = 10 A, VDD = 520 V,
栅极-源极电荷量
棚极-漏极电荷量
-
-
QGS
VGS = 10 V(注3,4）
QGD
-
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-
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N-CHANNEL MOSFET 10N65A
源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
IS
最小值
典型值
最大值
单位
A
源极电流
-
-
-
-
-
-
-
10
40
1.4
-
MOS管中源极、漏极构成的
反偏P-N结
源极脉冲电流
ISM
VSD
trr
A
源-漏二极管压降
ISD = 10 A,
-
V
反向恢复时间
498
3.1
nS
uC
ISD = 10 A, VGS = 0 V,
dIF / dt = 100 A/μs, (注 3)
反向恢复电荷
-
Qrr
（注:）
1. L=14mH,IAS=10A, VDD=50V, RG=25Ω, 开始温度 TJ=25°C
2. 脉冲测试：脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%;
3. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性区线图
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N-CHANNEL MOSFET 10N65A
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N-CHANNEL MOSFET 10N65A
封装外型尺寸图
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