YFW8N60A2 [YFW]
8A 600V Næ²éå¢å¼ºååºæåºç®¡;
| 型号： | YFW8N60A2 |
| 厂家： | 
DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD |
| 描述： | 8A 600V Næ²éå¢å¼ºååºæåºç®¡ |
| 文件： | 总6页 (文件大小：930K) |
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N-CHANNEL MOSFET 8N60A
8A 600V N沟道增强型场效应管
主要参数：
ID
8A
G.栅极 D.漏极 S.源极
VDSS
600V
0.85Ω
RDSON-typ(@VGS=10V)
性能特点：
开关速度快
低导通电阻
低反向传输电容
低栅极电荷量
100%单脉冲雪崩能量测试
提升了dv/dt能力
机械性能：
注塑成型封装
适用任何位置安装
封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准
加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s
封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263
产品规格分类：
产品料号
YFW8N60A1
YFW8N60A2
YFW8N60A3
YFW8N60A3-R
封装形式
TO-220AB
TO-220F(0.5mm)
TO-263
产品印字
包装方式
50PCS每管
50PCS每管
50PCS每管
800PCS每盘
8N60AT
8N60AF
8N60AS
8N60AS
TO-263
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N-CHANNEL MOSFET 8N60A
极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围
单位
参数名称
符号
220AB
220F
263
漏源电压
600
V
V
I
DS
GS
D
V
V
±30
栅源电压
漏极电流-持续
漏极脉冲电流(注 1)
耗散功率
8
32
A
IDM
A
P
D
100
28
100
W
单脉冲雪崩能量(注 1)
工作结温范围
贮存温度范围
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
440
E
AS
mJ
°C
150
T
J
-55 to +150
4.5
T
STG
°C
1.25
100
1.25
100
R
θJC
θJA
°C/W
°C/W
62.5
R
电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
BVDSS
IDSS
最小值
典型值
最大值
单位
V
漏源击穿电压
VGS = 0 V,ID = 250 μA
VDS = 600 V, VGS = 0 V
VGS = ± 30 V, VDS = 0 V
VDS = VGS , ID = 250 μA
VGS = 10 V, ID = 4 A
600
-
-
-
-
漏源击穿电流
1
UA
nA
V
栅源漏电流
-
-
±100
IGSS
栅极开启电压
VGS(th)
RDS(on)
gfs
2
-
-
4
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
导通电阻
0.85
7
Ω
正向跨导
VDS = 15 V, ID = 4 A
-
S
输入电容
-
1008
110
7
Ciss
VGS = 0 V, VDS = 25 V,
f = 1MHz
输出电容
-
Coss
pF
nS
nC
反向传输电容
-
Crss
开启延迟时间(注 2)
开启上升时间(注 2)
关断延迟时间(注 2)
关断下降时间(注 2)
栅极电荷量(注 2)
栅极-源极电荷量(注 2)
棚极-漏极电荷量(注 2)
-
16
18
40
14
20
7
td(ON)
tr
-
ID = 8 A, VDD = 250 V,
RG= 10Ω
-
td(OFF)
tf
-
-
QG
ID = 8 A, VDD = 400 V,
VGS = 10 V
-
QGS
-
11
QGD
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N-CHANNEL MOSFET 8N60A
源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
IS
最小值
典型值
最大值
单位
A
源极电流
-
-
-
-
-
-
-
8
35
1.4
-
MOS管中源极、漏极构成的
反偏P-N结
源极脉冲电流(注 2)
源-漏二极管压降
ISM
VSD
trr
A
ISD =5 A,
-
V
反向恢复时间(注 2)
340
1.7
nS
uC
ISD = 5A, VGS = 0 V,
dIF / dt = 100 A/μs
反向恢复电荷(注 2)
（注:）
-
Qrr
1. 脉冲测试：脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%;
2. 基本上不受工作温度的影响。
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N-CHANNEL MOSFET 8N60A
典型特性区线图
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N-CHANNEL MOSFET 8N60A
封装外型尺寸图
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N-CHANNEL MOSFET 8N60A
封装外型尺寸图
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