HT6845CR [YONGFUKANG]
3.4W low EMI anti-shaving top mono filter-free class D audio power amplifier;
| 型号： | HT6845CR |
| 厂家： | 
Shenzhenshi YONGFUKANG Technology co.,LTD |
| 描述： | 3.4W low EMI anti-shaving top mono filter-free class D audio power amplifier |
| 文件： | 总12页 (文件大小：738K) |
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HT6845
低EMI 防削顶D 类音频功率放大器
3.4W低EMI防削顶单声道免滤波D类音频功率放大器
ꢀ特点
ꢀ概述
HT6845是一款低EMI的，防削顶失真的，单声
道免滤波D类音频功率放大器，在5V电源，10%
THD+N，4ꢀ负载条件下，输出3.4W高功率，在手机
终端应用中（平均功率100mW左右）维持高效率并
提供AB类放大器的性能。
・防削顶失真功能(Anti-Clipping Function, ACF)
・优异的全带宽EMI抑制性能
・免滤波器数字调制，直接驱动扬声器
・高输出功率(WLCSP)
3.4 W×1ch (VDD=5.0V, RL=4Ω, THD+N=10%)
0.9 W×1ch (VDD=3.6V, RL=8Ω, THD+N=10%)
・高效率
HT6845的最大特点是防削顶失真（ACF）输出
控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅
度过大所引起的输出信号削顶失真（破音），也能自
适应地防止在电池应用中由电源电压下降所造成的
输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，
并保护扬声器免受过载损坏。针对不同音源应用，防
削顶具有ACF-1和ACF-2两种模式，以达到最佳音
效，同时芯片也提供了ACF-Off模式。
91% (VDD=5.0V, RL=8Ω, Po=1W)
88% (VDD=3.6V, RL=8Ω, Po=600mW)
78% (VDD=3.6V, RL=8Ω, Po=100mW)
・低THD+N：0.03% (VDD=3.6V, RL=8Ω, Po=0.4W)
・卓越的“咔嗒-噼噗”(Click-Pop)噪声抑制性能
・高信噪比SNR：94dB (VDD=3.6V, Av=18dB)
・低关断电流：0.1µA
HT6845具有独有的电磁辐射（EMI）抑制技术
和优异的全带宽低辐射性能，辐射水平在不加任何辅
助设计时仍远在FCC Part15 Class B 标准之下，不
仅避免了干扰其他敏感电路还降低了系统设计难度。
・内置18dB恒定增益
・过流保护功能
・过热保护功能
・欠压异常保护功能
・无铅封装，1.45mmx1.6mm WLCSP-9和SOP-8
HT6845内部集成免滤波器数字调制技术，能够
直接驱动扬声器，并最大程度减小脉冲输出信号的失
真和噪音，在同类的移动产品应用中，其极低的失真
和噪声指标位列同类最高。输出无需滤波网络，极少
的外部元器件节省了系统空间和成本，是便携式应用
的理想选择。
ꢀ应用
・手机，移动电话，掌上电脑PDAs
・导航仪GPS
・PMP/MP4播放器，便携式游戏机
・数码相框
此外，HT6845内置的关断功能使待机电流最小
化，还集成了输出端过流保护、片内过温保护和电源
欠压异常保护等功能。
・便携式音箱
ꢀ典型应用图
CS
1µF
VDD
CIN IN+
OUT+
OUT-
EMI抑制
＋
输出驱动
数字
PWM
调制器
33nF
差分
输入
前置
放大
CIN IN-
33nF
RCTRL1
CTRL1
CTRL2
载波
发生器
OCP
CTRL
VREF
ACF
数字控制
RCTRL2
RCTRL3
CCTRL
0.1µF
OTP
关断
控制
HT6845
CR
1µF
UVLO
AGND
PGND
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低EMI 防削顶D 类音频功率放大器
ꢀ引脚信息
1
2
3
4
8
OUT-
CTRL
VREF
IN-
IN+
VDD
OUT+
A
AGND
VREF
PGND
B
IN-
CTRL
OUT-
C
1
2
3
7
GND
6
VDD
5
IN+
OUT+
9焊球WLCSP 底视图
8引脚SOP 顶视图
ꢀ引脚定义*1
ESD
保护电路
焊球号
WLCSP
A1
引脚号
引脚
名称
I/O
功能
SOP
4
6
5
7
2
7
3
1
8
IN+
A
Power
O
PN
同相输入端（差分+）
电源
A2
VDD
-
-
A3
OUT+
AGND
VREF
PGND
IN-
同相输出端（BTL+）
模拟地
B1
GND
A
-
B2
PN
-
模拟参考电压
B3
GND
A
功率地
C1
PN
PN
-
反相输入端（差分-）
关断和ACF模式控制
反相输出端（BTL-）
C2
CTRL
OUT-
I
C3
O
注1 I: 输入端
O: 输出端
A: 模拟端
当大于VDD的电压外加于PN保护型端口（ESD保护电路由PMOS和NMOS组成）时，PMOS电路将有漏电流流过。
ꢀ订购信息
H
T
X
X
4
5
X
X
包装和供货形式
封装形式
产品型号
封装形式
顶面标记
工作温度范围
包装和供货形式
卷带装
3000片/盘
6845
-40℃～85℃
HT6845CR
HT2145MR *2
HT2145MT *2
WLCSP-9
SOP-8
WXYZ *1
（扩展工业级）
卷带装
3000片/盘
HT2145
-40℃～85℃
UVWXYZ *1
（扩展工业级）
管装
HT2145
-40℃～85℃
SOP-8
UVWXYZ *1
100片/管
（扩展工业级）
注1：WXYZ/UVWXYZ为内部生产跟踪随机编码
注2：请注意SOP-8封装形式的产品特以“HT2145MX”形式命名
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低EMI 防削顶D 类音频功率放大器
ꢀ电气特性
ꢁ极限工作条件*1
参数
符号
VDD
VIN
最小值
－0.3
最大值
6.0
单位
V
电源电压范围
输入信号电压范围 (IN+, IN-)
VSS－0.6
VSS－0.3
－40
VDD＋0.6
VDD＋0.3
85
V
输入信号电压范围 (除IN+, IN-外)
工作环境温度范围
工作结温范围
VIN
V
TA
℃
℃
℃
TJ
－40
150
储存温度
TSTG
－50
150
注1: 为保证器件可靠性和寿命，以上绝对最大额定值不能超过。否则，芯片可能立即造成永久性损坏或者其可靠性大大恶化。若输入端电压
在可能超过VDD/GND的应用环境中使用，推荐使用一个外部二极管来保证该电压不会超过绝对最大额定值。
ꢁ推荐工作条件
参数
符号
条件
最小值
2.5
典型值
最大值
单位
电源电压
VDD
3.6
5.5
V
tSD (Min.)=50ms
tSD (Min.)=80ms
－20
－30
4
工作环境温度
Ta
25
85
℃
扬声器阻抗
RL
Ω
注: VDD的上升时间应当超过1μs。
ꢁ 直流特性（DC）
VSS=0V, VDD=2.5V~5.5V, Ta= -40ºC~85ºC, 除非特殊说明.
参数
VDD电源的启动阈值
符号
VUVLH
VUVLL
VMOD1
VMOD2
VMOD3
VMOD4
条件
最小值
典型值
2.2
最大值
单位
V
VDD电源的关断阈值
2.0
V
ACF-1 模式的设置阈值电压
ACF-2 模式的设置阈值电压
ACF-Off 模式的设置阈值电压
SD 关断模式的设置阈值电压
1.20
0.80
0.36
VSS
VDD
1.10
0.68
0.14
V
V
V
V
VDD=3.6V, 无负载,
无信号输入
静态电流
IDD
4.0
mA
关断电流
ISD
CTRL=VSS, Ta=25℃
0.01
µA
V
VREF端电压值
VREF
VDD/2
ꢁ 模拟特性
VSS=0V, VDD =3.6V, Av=18dB, Ta=25ºC, CIN=33nF, ACF-Off模式, 无缓冲电路, 无肖特基势垒二极管, 除非特殊说明.
参数
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单位
RL=4ꢀ,
VDD=5V
3.4 (WLCSP)
2.6 (SOP)
W
f=1kHz,
输出功率
PO
THD+N=10%
RL=8ꢀ,
0.91 (WLCSP)
0.81 (SOP)
W
%
VDD=3.6V
RL=4ꢀ, PO=0.65W, f=1kHz
0.03
总谐波失真加噪声
THD+N
RL=8ꢀ, PO=0.4W, f=1kHz
f=20Hz~20kHz, A加权, Av=18dB
A加权, Av=18dB
0.03
45
%
µVrms
dB
输出噪声
信噪比
VN
SNR
PSRR
95
电源抑制比
217Hz
－75
dB
RL=8ꢀ, PO=0.6W
RL=8ꢀ, PO=0.1W
84
78
±20
-
%
%
效率
η
输出失调电压
频响特性
VOS
fRES
Av0
Aa
mV
dB
dB
dB
CIN =0.1µF, f=100Hz~20ｋHz
－3
1
系统增益
18
ACF衰减增益
－10
0
注: 以上模拟特性随所选元件和PCB布局而有所变化；以上特性在以8ꢀ或4ꢀ电阻串联30μH电感作为输出负载的测试条件下获得。
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ꢁ 交流特性（AC）
VSS=0V, VDD =2.5 to 5.5V, Ta=－30℃~85℃, 除非特殊说明.
参数
上电启动时间 (或从关断唤醒时间)
输入截止频率
符号
tSTUP
fC
条件
最小值
典型值
32
最大值 单位
ms
Hz
ms
s
CIN=33nF, Av=18dB
VDD=3.6V, g=10dB
VDD=3.6V, g=10dB
VDD=3.6V, g=10dB
VDD=3.6V, g=10dB
169
90
ACF-1 启动时间
tAT1
tRL1
tAT2
tRL2
tWK
ACF-1 释放时间
2.6
ACF-2 启动时间
20
ms
s
ACF-2 释放时间
1.2
唤醒模式设置时间
35
50
80
0.1
ms
Ta(Min.)= -20℃
Ta(Min.)= -30℃
关断设置时间
tSD
ms
各模式设置时间 (除关断外)
tMOD
ms
载波调制频率
fPWM
1.0
MHz
图1 CTRL管脚工作时序图
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低EMI 防削顶D 类音频功率放大器
ꢀ典型特性曲线
THD+N vs. Output Power
THD+N vs. Output Power
100
10
1
100
10
1
VDD =5V
RL =4ꢀ
f =1kHz
ACF-Off
VDD =5V
RL =8ꢀ
f =1kHz
ACF-Off
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Output Power (W)
Output Power (W)
THD+N vs. Output Power
THD+N vs. Output Power
100
10
1
100
10
1
VDD=3.6V
RL =4ꢀ
f =1kHz
ACF-Off
VDD=3.6V
RL =8ꢀ
f =1kHz
ACF-Off
0.1
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Output Power (W)
Output Power (W)
THD+N vs. Frequency
THD+N vs. Frequency
10
10
VDD =5V
VDD =5V
RL =4ꢀ
RL =8ꢀ
Po =1W
Po =0.5W
1
0.1
1
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)
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Efficiency vs. Output Power
Efficiency vs. Output Power
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
VDD =5V
RL =4ꢀ+33µH
ACF-Off
VDD =5V
RL =8ꢀ+33µH
ACF-Off
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
Output Power (W)
Output Power (W)
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低EMI 防削顶D 类音频功率放大器
ꢀ功能描述及应用信息
ꢁ输入配置
HT6845 接受差分或单端形式模拟音频信号输入，产生PWM 脉冲输出信号。
对差分输入，通过隔直电容CIN分别输入到IN+和IN-端。内置输入电阻RIN为28.5kꢀ，增益Av恒定为18dB。
输入RC高通滤波器的截止频率fc = 1 (2πRINCIN ) ，在CIN=33nF时为169Hz。
对单端输入，则通过CIN耦合到INL+端。IN-端必须通过电容（与CIN值相同）接地。增益Av和截止频率fc与
差分输入时相同。
注意系统前级电路的输出阻抗ZOUT应不超过600ꢀ。
前级电路
前级电路
图2 差分输入
图3 单端输入
ꢁCTRL模式控制
在CTRL 端输入不同电压值，能实现4 种工作模式，即防削顶模式1（ACF-1），防削顶模式2（ACF-2），
防削顶功能关闭模式（ACF-Off）和芯片关断模式（SD），详见下表。
表1 CTRL 引脚不同模式设置的输入电压
参数名
符号
最小值
1.20
0.80
0.36
VSS
典型值
最大值
VDD
单位
V
ACF-1 模式的设置阈值电压
ACF-2 模式的设置阈值电压
ACF-Off 模式的设置阈值电压
VMOD1
VMOD2
VMOD3
VMOD4
1.10
0.68
0.14
V
V
SD
模式的设置阈值电压
V
通过外部微机输出的 2 个逻辑控制端CTRL1、CTRL2 和电阻网络RCTRL1、RCTRL2、RCTRL3（推荐精度，
1%），可产生上表中的设置电压输入CTRL端完成模式设置。另外，CTRL端需通过一个电容CCTRL（陶瓷电容，
≧0.1µF）接地，消除模式切换时的噪声。CTRL1、CTRL2 端电位和实现模式的对应关系见下表。
表2 工作模式设置
CTRL1电位
CTRL2电位
模式
ACF-1
ACF-2
ACF-Off
SD
H
H
GND
GND
H
GND
H
GND
图4 微机双端控制CTRL
H 表示微机的输入/输出口为高电平，GND 表示微机输出地电位。微机GND 电位必须和HT6845 的GND
电位一致。根据微机输入/输出端口的不同H 电位值，电阻网络可取如下阻值：
表3 微机H 电位值与电阻网络取值
微机I/O端口H电位值
RCTRL1
1.8V
27kꢀ
56kꢀ
82kꢀ
2.6V
33kꢀ
68kꢀ
27kꢀ
3.0V
33kꢀ
68kꢀ
22kꢀ
3.3V
33kꢀ
68kꢀ
18kꢀ
5.0V
56kꢀ
120kꢀ
15kꢀ
RCTRL2
RCTRL3
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低EMI 防削顶D 类音频功率放大器
若应用中不需要ACF-2 和ACF-Off模式，可通过单个引脚（CTRL1）来实现ACF-1 和SD模式，见下图。
根据VMOD1和VMOD4阈值来设置CTRL端电压，为消除噪声建议采用时间常数不小于 1ms的RC滤波器（例如
RCTRL=10K，CCTRL=0.1µF）。
表4 工作模式设置
CTRL1电位
模式
ACF-1
SD
H
GND
图5 微机单端控制CTRL
(一) ACF ON 模式
在 ACF-1、ACF-2 模式下，当电路检测到输入信号幅度过大而产生输出削顶时，HT6845 通过自动调整
系统增益，控制输出达到一种最大限度的无削顶失真功率水平，由此大大改善了音质效果。此外，当电源电压
下降时，HT6845 也能自动衰减输出增益，实现与VDD 下降值相匹配的最大限度无削顶输出水平。
ACF ON
一、输入信号过大
正摆幅+
负摆幅-
总增益
Av =Av 0+Aa
初始增益
Av0=18dB
输入
输出
启动时间
释放时间
输入信号
过大
削顶失真
检测
ACF OFF
正摆幅+
负摆幅-
抗削顶
衰减增益
-10dB≤Aa≤0
ACF ON
二、输入信号适度
+
+
初始增益
Av0=18dB
总增益
Av =Av 0+Aa
输入
输出
VDD下降
-
-
电源电压
下降
削顶失真
检测
启动时间
释放时间
抗削顶
衰减增益
-10dB≤Aa≤0
图6 ACF 工作原理示意图
ACF ON模式下的启动时间（Attack time）指在突然输入足够大信号而产生输出削顶的条件下，从ACF启
动对放大器的增益调整，直到增益从Av0衰减至距目标衰减增益3dB时的时间间隔；释放时间（Release time）
指从产生削顶的输入条件消失，到增益退出衰减状态恢复到Av0的时间间隔。HT6845 的最大衰减增益为10dB。
ACF-1 和ACF-2 模式具有不同的启动时间和释放时间（见下表）。
表5 ACF-1 和ACF-2 模式区别
模式
启动时间
90ms
20ms
释放时间
2.6s
ACF-1（推荐）
ACF-2
1.2s
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(二) ACF OFF 模式
在ACF-Off模式下，ACF功能被关闭，HT6845 不对输出削顶条件作检测，也不对系统增益作自动调整操
作，系统增益保持为Av=Av0=18dB恒定不变。HT6845 可能因输出存在破音失真而音质变坏。
(三) SD 模式
在关断模式（低功耗待机）下，芯片关闭所有功能并将功耗降低到最小，输出端为弱低电平状态（内部
通过高阻接地）。
ꢁCTRL模式转换时序
CTRL管脚进行模式转换的时序控制如图 1 所示。当CTRL接地时，进入SD关断模式，此时CTRL端低电
平应保持至少tSD时间不变。反之CTRL设为高电位时，经TSTUP后芯片正常工作，关断被解除，请注意以下唤
醒的初始化时序：
(1) 先启动前级电路以稳定IN+/IN- 端直流偏置电压（见下图-②），再解除HT6845 关断状态。注意前级
偏置电压的变化量应低于VDD。稳定偏置所需时间TDLY为，
3
TDLY ≧CIN×330×10 ×3
例如，CIN=33nF时，TDLY≧33ms。
前级电路
图7 前级偏置示意图
(2) 从关断模式唤醒时，必须先设置为模式ACF-1 作为过渡，这样芯片才能正常启动工作，否则HT6845
将维持关断状态不变。即先在tWK时间内设置CTRL1、CTRL2 为H高电平，再转换到预设模式（如
ACF-Off）。各模式的设置时间（除SD外）tMOD为0.1ms。
图8 唤醒初始化时序
(3) 在电源上电时，推荐在电源电压足够稳定之后再从关断模式唤醒，并依照操作时序(1)(2)启动芯片。
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ꢁ咔嗒-噼噗声消除
HT6845 内置控制电路实现了全面的杂音抑制效果，有效地抑制住了系统在上电、下电、关断及其唤醒操
作过程中出现的瞬态咔嗒-噼噗（Click-Pop）噪声。
为达到更优异的咔嗒-噼噗声消除效果，一般情况下，建议采用0.1µF或更小的隔直电容CIN。同时POP噪
声还可通过下列上电、下电时关断模式的时序控制措施来达到杂声微乎其微的效果：
・电源上电时，保持关断模式，等电源足够稳定后再解除关断模式。
・电源下电时，提前设为关断模式。
ꢁ保护功能
HT6845 具有以下几种保护功能：输出端过流保护、片内过温保护、电源欠压异常保护。
（1）过流保护
当检测到一输出端对电源、对地、或对另一输出端短路时，过流保护启动，输出端切换至高阻态，防止
芯片烧毁损坏。短路情况消除后，通过关断、唤醒一次芯片，或重新上电均能使芯片退出保护模式。
（2）过温保护
当检测到芯片内温度超过 150℃时，过温保护启动，正负输出端切换至弱低电平状态（内部通过高阻接
地），防止芯片被热击穿损坏。
（3）欠压保护
当检测到电源端VDD低于VUVLL（2V），启动欠压保护，输出端为弱低电平状态（内部通过高阻接地）；当
检测到VDD高于VUVLH（2.2V），保护模式自动解除，经启动时间TSTUP后进入正常工作状态。
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ꢀ应用电路举例
CS
1µF
VDD
CIN IN+
33nF
OUT+
EMI抑制
＋
输出驱动
数字
PWM
调制器
差分
输入
前置
放大
CIN IN-
33nF
OUT-
RCTRL1
CTRL1
CTRL2
载波
发生器
OCP
OTP
CTRL
VREF
ACF
数字控制
RCTRL2
RCTRL3
CCTRL
0.1µF
关断
控制
HT6845
CR
1µF
UVLO
AGND
PGND
CS
1µF
VDD
CIN IN+
OUT+
OUT-
EMI抑制
＋
输出驱动
数字
PWM
调制器
33nF
单端
输入
前置
放大
CIN IN-
33nF
RCTRL1
CTRL1
CTRL2
载波
发生器
OCP
CTRL
VREF
ACF
数字控制
RCTRL2
RCTRL3
CCTRL
0.1µF
OTP
关断
控制
HT6845
CR
1µF
UVLO
AGND
PGND
元件说明
CIN：隔直电容，采用0.1µF或更小的（如33nF），±10%的CIN来进一步消除咔嗒-噼噗声和从输入端耦合
进入的217Hz噪声。正负端两个CIN之间需具有良好的匹配性。
CS ：电源去耦电容，采用足够低ESR（等效串联电阻）的电容（不小于1µF）。当RL=4ꢀ或VDD≥4.5V时，
为更好的滤除低频噪声，建议另加一个低ESR电容（不小于10µF）。去耦电容离VDD管脚越近越好，保持3mm
之内。
CR ：VREF端口输出VDD/2 电压，通过电容CR（1µF）接地以保证稳定性。
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03/2010 - V0.1
HT6845
低EMI 防削顶D 类音频功率放大器
ꢀ封装外形
顶视图
1.46 ±0.02
Pin A1
0.38
±0.02
侧视图
底座
(seating plane)
0.235
±0.02
底视图
1.00
符号
A
最小
1.35
0.10
1.35
0.33
0.17
4.70
3.80
5.80
最大
1.75
0.25
1.55
0.51
0.25
5.10
4.00
6.20
0.23
P-0.50
A1
A2
b
1
2
3
c
D
E
E1
e
1.27(BSC)
L
0.40
0°
1.27
8°
A
B
C
θ
9×Φ0.32±0.02
单位: mm
单位: mm
9焊球WLCSP
8引脚SOP
:
电话
传真
:0755-82863877 13242913995
:0755-82863778
E-MAIL:panxia168@126.com
网址
http://www.szczkjgs.com
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