FZTA42TA
更新时间：2024-09-18 17:46:02
品牌：ZETEX
描述：Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
概述
规格参数
数据手册FZTA42TA 概述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin 功率双极晶体管
FZTA42TA 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.16 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
FZTA42TA 数据手册
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Please Use DZTA42
SOT223 NPN SILICON PLANAR
FZTA42
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 – SEPTEMBER 2007
✪
FEATURES
*
*
Suitable for video output stages in TV sets
C
and switch mode power supplies
High breakdown voltage
E
C
COMPLIMENTARY TYPE FZTA92
B
PARTMARKING DETAIL DEVICE TYPE IN FULL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IB
VALUE
UNIT
V
Collector-Base Voltage
300
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
300
V
5
100
V
Base Current
mA
mA
W
Continuous Collector Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
IC
500
Ptot
2
Tj:Tstg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
= 25°C).
amb
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
300
300
5
V
IC=100µA, IE=0
IC=1mA, IB=0*
IE=100µA, IC=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
Collector Cut-Off
Current
0.1
VCB=200V, IE=0
µA
Emitter Cut-Off Current IEBO
0.1
0.5
VEB=5V, IC=0
µA
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
V
IC=20mA, IB=2mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
0.9
V
IC=20mA, IB=2mA
Static Forward Current hFE
Transfer Ratio
25
40
40
IC=1mA, VCE=10V*
IC=10mA, VCE=10V*
IC=30mA, VCE=10V*
Transition
Frequency
fT
50
MHz
pF
IC=10mA, VCE=20V
f=20MHz
Output Capacitance
Cobo
6
VCB=20V, f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.
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Please Use DZTA42
FZTA42
TYPICAL CHARACTERISTICS
160
140
120
100
80
140
120
V
CE=20V
V
CE=10V
100
80
60
40
20
60
40
20
0
0.1
100
10
1.0
0.1
100
200
10
1.0
IC-Collector Current (mA)
C
I -Collector Current (mA)
FE
h
C
T
f
C
vs I
vs I
Single Pulse Test at Tamb=25°C
1A
0.3
10ms
1ms
100ms
0.1
0.01
0.2
0.1
D.C.
IC / IB=10
0
0.001
100
1000
0.1
200
10
100
10
1.0
1
I
C
-Collector Current (mA)
VCE-Collector-Emitter Voltage (Volts)
Safe operating area
CE(sat)
V
C
vs I
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
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