AO3414
2025-10-13 10:20:05
摘要：AO3414 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。
描述
该器件以其 低导通电阻 (Rds(on))、快速开关速度 和 高效率 特点而著称，常用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机驱动 以及其他需要高效率低损耗开关的电路中。
其采用 SOT-23 封装，适用于紧凑型便携设备或高密度 PCB 布局。
产品概述
| 产品型号 | AO3414 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 20 V 3A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | AO34 |
产品图片
AO3414产品图片
规格参数
| 产品状态 | 不适用于新设计 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 436 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
主要特点
低导通电阻，提升电源效率
快速开关速度，减少开关损耗
小封装 (SOT-23)，节省 PCB 空间
兼容逻辑电平驱动
高可靠性、低漏电流
典型应用
DC-DC 转换器
电池供电设备
电源开关与负载驱动
电机控制电路
低压高频电源系统
引脚图及功能
替代型号
IRLML2502（相似电压与封装）
SI2302DS（常见国产替代）
AO3400A（AOS 同类升级型号）
2N7002（低电流版本）