FDN304P
摘要：FDN304P 是由 ON Semiconductor（安森美半导体） 生产的一款 P沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 SOT-23 小封装形式，具有低导通电阻、快速开关速度和低栅极电荷等优点，非常适用于便携式电子设备的电源管理、电池保护以及负载开关应用。
描述
FDN304P 采用先进的 PowerTrench® MOSFET 工艺技术设计，专为低电压电源开关应用而优化。其低导通电阻确保高效率运行，同时减少热量损耗。P沟道设计使其能够在高侧负载开关中直接驱动，适合3V~5V逻辑控制。
该器件在尺寸紧凑的同时，提供了优异的功率性能与可靠性，广泛用于智能手机、电源模块、笔记本电脑及工业控制电路。
产品概述
| 产品型号 | FDN304P |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 20 V 2.4A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | FDN304 |
产品图片
FDN304P产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1312 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
主要特点
P沟道增强型 MOSFET 结构
低导通电阻，提升能效
高速开关性能，响应迅速
低栅极电荷，适合高频应用
SOT-23 小封装，节省PCB空间
高可靠性和热稳定性
逻辑电平驱动兼容，便于微控制器控制
典型应用
电源负载开关（Power Load Switch）
电池保护与管理系统（Battery Protection）
DC-DC 转换器
便携式电子设备电源控制
电机驱动及信号切换电路
笔记本电脑与移动终端电源模块
引脚图及功能
工作原理
FDN304P 作为 P沟道 MOSFET，当栅极电压低于源极电压时导通，允许电流从源极流向漏极；当栅极电压接近源极或高于源极时关断，从而控制负载通断。其低栅极电荷与低导通电阻特性使得在高频或低功耗应用中能有效减少能量损失和热量积聚。
替代型号
SI2301（Vishay）
AO3407A（Alpha & Omega）
IRLML6402（Infineon）
PMV65XP（Nexperia）
DMP1045U（Diodes Inc.）