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SLF7030  SLDSE3  SLGSSTVF16859H-TR  SLF7045  SLF12575T-5R6N6R3  SLH2812D/KR  SLF12575T-221M1R3  SLF12575T-6R8N5R9  SLGSSTVF16859V-TR  SLDSF3  
FZ1000R25KF1 IGBT模块 (IGBT Module )
.型号:   FZ1000R25KF1
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描述: IGBT模块
IGBT Module
文件大小 :   118 K    
页数 : 9 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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100%
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
FZ 1000 R 25 KF1
Höchstzulässige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
2
余吨 - 值,二极管
隔离, Prüfspannung
绝缘测试电压
t
P
= 1毫秒
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1毫秒,T
C
= 80°C
V
CES
I
C, NOM 。
I
C
I
CRM
2500
1000
1600
2000
V
A
A
A
T
C
= 25 ° C,晶体管
P
合计
10,4
kW
V
GES
+/- 20V
V
I
F
1000
A
I
FRM
2000
A
V
R
= 0V ,T
p
= 10毫秒,T
Vj
= 125°C
余吨
2
400
千安s
2
RMS中,f = 50Hz时, t为1分钟。
V
ISOL
5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sättigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazität
输入电容
Rückwirkungskapazität
反向传输电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 1000A ,V
GE
= 15V ,T
vj
= 25°C
I
C
= 1000A ,V
GE
= 15V ,T
vj
= 125°C
I
C
= 80毫安,V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE (日)
V
CE坐
分钟。
-
-
4,3
典型值。
3,0
3,8
5,3
马克斯。
3,5
4,3
6,3
V
V
V
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
18
-
µC
F = 1MHz的,T
vj
= 25 ° C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
-
95
-
nF
F = 1MHz的,T
vj
= 25 ° C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
水库
-
8
-
nF
V
CE
= 2500V, V
GE
= 0V ,T
vj
= 25°C
I
CES
-
-
20
mA
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ,T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
400
nA
准备:奥利弗林女士
批准:托马斯Schütze
出版日期: 2001年9月1日
修订: 3
1
FZ101@3.xls
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