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LU1004D 高性能N沟道垂直喷气动力与PN二极管 (High Performance N-Ch Vertical POWERJET with PN Diode)
.型号:   LU1004D
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描述: 高性能N沟道垂直喷气动力与PN二极管
High Performance N-Ch Vertical POWERJET with PN Diode
文件大小 :   607 K    
页数 : 5 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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100%
PWRLITE LU1004D
高性能N沟道垂直
P
OWERJFET
TM
与PN二极管
特点
沟槽功率JFET低阈值电压Vth 。
设备完全“ON”与VGS = 0.7V
最佳的“低端”降压转换器
优化的隔离式DC -DC整流二级
低Rg和低CD盘以便高速开关
没有“体二极管” ;极低的硫化镉
在同一个包中增加了快速恢复肖特基二极管
描述
从Lovoltech的功耗JFET晶体管是一种装置,其
提出了一种低导通电阻,允许在DC-提高效率
DC开关应用。该设备被设计为具有低
阈值,使得驾驶者可以在5V操作,从而降低了
驱动器功耗并提高了整体效率。
下限阈值会产生更快的导通/关断,这
最大限度地减少所需的死区时间。晶体管“没有身体
二极管“提供了一个非常低的相关的寄生电容的CD。
肖特基二极管添加的应用场合是一个自由的
二极管是必需的。振铃,也降低,使得较低电压
设备可能是一个更好的解决方案。
应用
DC- DC转换器
同步整流器
PC主板转换器
降压型电源
VRM模块
IPAK引脚分配
D
G
S
2 3
案例TO251 ( IPAK )
1
N - 通道PowerJFET
与PN二极管
产品概述
导通电阻( Ω )
0.0045
引脚德网络nitions
引脚数
1
2, 4
3
引脚名称
来源
引脚功能说明
门。
晶体管栅极
沥干。
晶体管的漏
源。
晶体管源极
V
DS
(V)
24V
I
D
(A)
50
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压
连续漏电流
漏电流脉冲
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量在25℃
(V
DD
= 5V
DC
, IL = 60A
PK
L = 0.3mH ,R
G
=100
Ω)
结温
储存温度
引线焊接温度10秒
功率耗散(降额在25 ° C)
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
D
I
D
E
AS
T
J
T
英镑
T
P
D
评级
24
-10
-28
50
100
220
-55 ℃〜150℃
-65 ℃〜150℃
260°C
80
单位
V
V
V
A
A
mJ
°C
°C
°C
W
LU1004D-版本0.97 12-04
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