电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
FP25R12KT4  FP30R06KE3  FP25R12KT4_B15  FP30R06W1E3_B11  FP30R06YE3  FP25R12U1T4  
XN01118|XN1118 复合设备 - 复合晶体管 (Composite Device - Composite Transistors )
.型号:   XN01118|XN1118
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 复合设备 - 复合晶体管
Composite Device - Composite Transistors
文件大小 :   87 K    
页数 : 3 页
Logo:   
品牌   ETC [ ETC ]
购买 :   
  浏览型号XN01118|XN1118的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号XN01118|XN1118的Datasheet PDF文件第3页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
复合晶体管
XN01118
(XN1118)
PNP硅外延平面型
单位:mm
对于开关/数字电路
特点
两个元素合并到一个包
(发射极耦合晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本的
3
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
4
5
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
0.30
+0.10
–0.05
10˚
1
基本型号
UNR2118 ( UN2118 )
×
2
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
−50
−50
−100
300
150
−55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 :收藏家( Tr1的)
2 :收藏家( TR2)
3 :基地( TR2)
EIAJ : SC- 74A
0-0.1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
4 :发射器
5 :基地( Tr1的)
Mini5 -G1封装
标记符号: OM
内部连接
3
4
5
Tr2
2
1.1
+0.3
–0.1
Tr1
1
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
h
FE
*
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE (小
/大)
条件
I
C
= −10 µA,
I
E
=
0
I
C
= −2
妈,我
B
=
0
V
CB
= −50
V,I
E
=
0
V
CE
= −50
V,I
B
=
0
V
EB
= −6
V,I
C
=
0
V
CE
= −10
V,I
C
= −5
mA
V
CE
= −10
V,I
C
= −5
mA
I
C
= −10
妈,我
B
= −
0.3毫安
V
CC
= −5
V, V
B
= −
0.5 V ,R
L
=
1 kΩ
V
CC
= −5
V, V
B
= −2.5
V ,R
L
=
1 kΩ
−50
−50
典型值
最大
单位
V
V
0.1
0.5
−2.0
20
0.50
0.99
0.25
−4.9
0.2
−30%
0.08
0.51
0.10
80
+30%
0.12
µA
µA
mA
V
V
V
kΩ
兆赫
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= −10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * : 2个元素之间的比例
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2004年2月
SJJ00011BED
0.4
±0.2
1
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7