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BIM3B  JDV2S01E  BZX84C8V2T-7-F  BZT52C6V2S-7-F  BZX84C8V2S-7-F  BZT52C8V2S-7-F  ICM7228BIPI  JDV2S05FS  74V2T07STR  CM8562BIN252  
8P002SRV1302C25 EEPROM (EEPROM )
.型号:   8P002SRV1302C25
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描述: EEPROM
EEPROM
文件大小 :   124 K    
页数 : 10 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
PCMCIA闪存卡
SRV系列
卡信号说明
符号
A0 - A25
TYPE
输入
名称和功能
地址输入:
A0到A25能够直接寻址高达
到内存卡上64MB 。信号A0不字访问使用
模式。 A25是最显著位。 (地址引脚使用的基础上
卡密度,请参见引脚为最高使用的地址引脚)
DA TA输入/输出:
DQ0 THROUGH DQ15构成
双向数据总线。 DQ0 - DQ7构成下(甚至)字节
DQ8 - DQ15上(奇数)字节。 DQ15是MSB。
卡ENA BLE 1和2:
CE1 #使偶数字节访问,C E2 #
使奇字节访问。复A0 ,C E1 #和C # E2允许8
位主机访问DQ0上的所有数据 - DQ7 。
输出ENA BLE :
甲莫如低信号启用从读出的数据
存储卡。
写ENA BLE :
一莫如低信号选通写数据到内存
卡。
READY / BUSY输出:
不用于SRAM卡
卡DETEC Ť 1和2:
提供卡插入检测。这些
信号被连接到存储卡上的内部接地。该
主机接口插座电路应提供10K欧姆或更大的上拉
电阻器上,这些信号引脚。
写PRO TEC T:
如下硬件写保护开关。当
开关置于接通位置,信号被拉高( 10K欧) 。当
开关关断信号被拉低。
编程/擦除的电源:
未使用的SRAM
卡。
卡POW ER供应:
3.3V / 5.0V的所有内部电路。
地面:
对于所有内部电路。
属性内存SELEC T:
仅建有卡的使用
可选属性的内存。
RESET :
不用于SRAM卡
等待:
该信号的兼容性拉高内部。没有等待
生成状态。
BA TTERY VOLTAG E D ETEC T:
提供电池状态
电压。
BVD2 = BVD1 =的Voh (电池电压保证保存数据)
BVD2 =卷, BVD1 =的Voh (数据是有效的,需要电池充电)
BVD2 = BVD1 =体积(数据可能不再有效,电池需要
扩展充值)
VOLTAG ê SENSE :
通知卡的VCC的主机插座
要求。 VS1is接地, VS2是开放的指示3.3V / 5V
16位的卡,具有5V键,已被插入。
RESERV ED以备将来使用
NO INTERNA L CONNEC重刑卡:
针可被驱动
或悬空
DQ0 - DQ15
Ç E1 # ,C # E2
OE #
宽E #
RDY / BSY #
# CD1 ,CD2 #
输入/输出
输入
输入
输入
产量
产量
WP
VPP1 , VPP2
VCC
GND
REG #
RST
WAIT #
BVD1 , BVD2
产量
北卡罗来纳州
输入
输入
产量
产量
VS1 , VS2
俄罗斯足协
北卡罗来纳州
产量
SRAM
功能真值表
读功能
功能模式
/ CE2 / CE1
待机模式
H
H
字节访问( 8比特)
H
L
H
L
字访问( 16位)
L
L
奇字节唯一通道
L
H
WRITE功能
待机模式
H
H
字节访问( 8比特)
H
L
H
L
A0
X
L
H
X
X
X
L
H
/ OE
X
L
L
L
L
X
H
H
/ WE
X
H
H
H
H
X
L
L
常见的内存
/ REG D15- D8
D7-D0
X
高-Z
高-Z
H
高阻即使字节
H
高阻奇字节
ħ奇字节偶字节
ħ奇字节高阻
X
H
H
X
X
X
X
即使字节
奇字节
属性内存
/ REG D15- D8
D7-D0
X
高-Z
高-Z
L
高阻即使字节
L
高阻无效
L不也有效字节
L不合法
高-Z
X
L
L
X
X
X
X
即使字节
X
2000年6月第1版 - ECO # 12896
4
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