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PCMCIA闪存卡
SRV系列
SRAM记忆卡
概述
该WEDC SRAM系列( SRV )存储卡
提供高性能非易失性存储解决方案
用于代码和数据存储,磁盘缓存和写
密集的移动和嵌入式应用。
封装在PCMCIA I型或II型住房(类型
II与延长电池后备时间卡
8MB卡) ,在WEDC SRAM SRV系列是基于
在1或4Mbit的SRAM存储器,提供密度
从256字节到8兆字节。
该SRV系列SRAM存储卡是一个
通用3V / 5V电源供电,工作频率为
主频高达为150ns 。该卡是基于
先进的CMOS技术,提供非常低
功率和可靠的数据保持特性。
WEDC的SRAM卡包含一个可充电
锂离子电池和充电电路,消除了
需要在许多SRAM中发现的可更换电池
卡。
WEDC的标准卡附带WEDC的
SRAM标志。卡也可以用空白
外壳(无标志) 。空外壳可
在两个凹(对于标签)和扁平壳体。请
联系WEDC的销售代表了解更多
在自定义作品的信息。
通过8MB 256KB
特点
高性能SRAM内存卡
•通用的3.3至5伏电源允许更宽
系统之间的兼容性。
•快速访问次数:为150ns @ 5V
为250ns @ 3.3V
• X8 / X16 PCMCIA标准接口
•低功耗CMOS技术提供极低
动力和可靠的数据保持特性
- 待机电流I ; 100μA典型
•可充电锂电池,充电电路
- 无需更换电池
- 待机充电一般小于时电流; 2毫安
- 电池后备时间
• 7个月 - I型卡
• 18个月 - II型卡
典型的基于4MB (低密度会
拥有更大的存储时间)
•没有写次数限制,没有耐力的问题
•可选功能:
•包含2KB EEPROM存储器属性
CIS
•可选硬件写保护开关
• PC卡标准I型或II型外形
框图
4MB SRAM卡所示
[A1..A19]
地址
卜FF器
SRAM
512K ×8
[A20..A22]
/ CSHi
+ + + + +
CE1#
CE2#
WE#
OE #
REG #
A0
解码器
控制
逻辑
/ CSLI
/ CS -A
/ RD
/ RD
/ WR
/ WR
CTRL
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
/ CSHi
[A1..A11]
S1
WP
写普罗特
开关
VS1
VS2
GND
GND
NC
VCC
/ CS -A
/ RD
/ WR
属性
内存
CTRL
I / O缓冲器
[DO..D7]
[DO..D7]
[D8..D15]
+
BVD1
BVD2
VCC
[D8..D15]
注:1。上拉下拉电阻(分100K)
电源管理
电池控制
与内部
动力
供应
+
2.上拉电阻(分钟10K )
锂蝙蝠。
2000年6月第1版 - ECO # 12896
1
PC卡产品
PCMCIA闪存卡
SRV系列
引脚
引脚信号名称
1
GND
2
DQ3
3
DQ4
4
DQ5
5
DQ6
6
DQ7
7
CE1#
8
A10
9
OE #
10
A11
11
A9
12
A8
13
A13
14
A14
15
WE#
16 RDY / BSY #
17
VCC
18
Vpp1
19
A16
20
A15
21
A12
22
A7
23
A6
24
A5
25
A4
26
A3
27
A2
28
A1
29
A0
30
DQ0
31
DQ1
32
DQ2
33
WP
34
GND
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
功能
数据位3
数据位4
数据位5
数据位6
数据位7
卡启用1
地址位10
OUTPUT ENABLE
地址位11
地址位9
地址位8
地址位13
地址位14
写使能
就绪/忙
电源电压
前卫。电压
地址位16
地址位15
地址位12
地址位7
地址位6
地址位5
地址位4
地址位3
地址位2
地址位1
地址位0
数据位0
数据位1
数据位2
写Potect
活跃
引脚信号名称
35
GND
36
CD1#
37
DQ11
38
DQ12
39
DQ13
40
DQ14
41
DQ15
42
CE2#
43
VS1
44
北卡罗来纳州
45
北卡罗来纳州
46
A17
47
A18
48
A19
49
A20
50
A21
51
VCC
52
Vpp2
53
A22
54
A23
55
A24
56
A25
57
VS2
58
北卡罗来纳州
59
WAIT #
60
北卡罗来纳州
61
REG #
62
BVD2
63
BVD1
64
DQ8
65
DQ9
66
DQ10
67
CD2#
68
GND
I / O
O
I / O
I / O
I / O
I / O
I
I
O
功能
卡检测1
数据位11
数据位12
数据位13
数据位14
数据位15
卡启用2
电压检测1
活跃
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I / O
I / O
I / O
O
O
O
I
O
O
I / O
I / O
O
O
地址位17 256KB ( 2 )
地址位18 512KB ( 2 )
地址位19
1MB(2)
地址位20
2MB(2)
地址位21
4MB(2)
电源电压
前卫。电压
北卡罗来纳州
地址位22 8MB ( 2,4)
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
电压检测2
北卡罗来纳州
扩展总线周期
ATTRIB纪念品选择
蝙蝠。伏。 2检测
蝙蝠。伏。检测1
数据位8
数据位9
数据位10
卡检测2
(3)
注意事项:
1 # CD1和CD2 #接地内部的PC卡。
2.显示指定的密度哪个地址位MSB 。高阶地址位没有
连接(即1MB A19是MSB , A20 - A21是NC ) 。
3. BVD1是一个开漏输出,一个10K欧姆的内部上拉电阻。
4.也用于6MB卡的A22地址线为8MB的容量。
2000年6月第1版 - ECO # 12896
2
PC卡产品
PCMCIA闪存卡
SRV系列
机械
I型
互连区
1.6mm
±
0.05
(0.063”)
10.0毫米MIN
(0.400”)
3.0毫米MIN
1.0mm
±
0.05
(0.039”)
基底面积
54.0mm
±
0.10
(2.126”)
1.0mm
±
0.05
(0.039”)
85.6mm
±
0.20
(3.370”)
10.0毫米MIN
(0.400”)
3.3mm
±
T1 (0.130”)
T1 = 0.10毫米互联领域
T1 = 0.20毫米基板面积
II型
1.6mm
±
0.05
0.063”
85.6mm
±
0.20
3.370”
1.0mm
±0.05
0.039’
3.0mm
分钟。
基底面积
54.0mm
±
0.10
2.126”
1.0mm
±0.05
0.039’
10.0毫米MIN
0.400”
互连区
5.0mm
±
T1
0.197”
2000年6月第1版 - ECO # 12896
3
PC卡产品
PCMCIA闪存卡
SRV系列
卡信号说明
符号
A0 - A25
TYPE
输入
名称和功能
地址输入:
A0到A25能够直接寻址高达
到内存卡上64MB 。信号A0不字访问使用
模式。 A25是最显著位。 (地址引脚使用的基础上
卡密度,请参见引脚为最高使用的地址引脚)
DA TA输入/输出:
DQ0 THROUGH DQ15构成
双向数据总线。 DQ0 - DQ7构成下(甚至)字节
DQ8 - DQ15上(奇数)字节。 DQ15是MSB。
卡ENA BLE 1和2:
CE1 #使偶数字节访问,C E2 #
使奇字节访问。复A0 ,C E1 #和C # E2允许8
位主机访问DQ0上的所有数据 - DQ7 。
输出ENA BLE :
甲莫如低信号启用从读出的数据
存储卡。
写ENA BLE :
一莫如低信号选通写数据到内存
卡。
READY / BUSY输出:
不用于SRAM卡
卡DETEC Ť 1和2:
提供卡插入检测。这些
信号被连接到存储卡上的内部接地。该
主机接口插座电路应提供10K欧姆或更大的上拉
电阻器上,这些信号引脚。
写PRO TEC T:
如下硬件写保护开关。当
开关置于接通位置,信号被拉高( 10K欧) 。当
开关关断信号被拉低。
编程/擦除的电源:
未使用的SRAM
卡。
卡POW ER供应:
3.3V / 5.0V的所有内部电路。
地面:
对于所有内部电路。
属性内存SELEC T:
仅建有卡的使用
可选属性的内存。
RESET :
不用于SRAM卡
等待:
该信号的兼容性拉高内部。没有等待
生成状态。
BA TTERY VOLTAG E D ETEC T:
提供电池状态
电压。
BVD2 = BVD1 =的Voh (电池电压保证保存数据)
BVD2 =卷, BVD1 =的Voh (数据是有效的,需要电池充电)
BVD2 = BVD1 =体积(数据可能不再有效,电池需要
扩展充值)
VOLTAG ê SENSE :
通知卡的VCC的主机插座
要求。 VS1is接地, VS2是开放的指示3.3V / 5V
16位的卡,具有5V键,已被插入。
RESERV ED以备将来使用
NO INTERNA L CONNEC重刑卡:
针可被驱动
或悬空
DQ0 - DQ15
Ç E1 # ,C # E2
OE #
宽E #
RDY / BSY #
# CD1 ,CD2 #
输入/输出
输入
输入
输入
产量
产量
WP
VPP1 , VPP2
VCC
GND
REG #
RST
WAIT #
BVD1 , BVD2
产量
北卡罗来纳州
输入
输入
产量
产量
VS1 , VS2
俄罗斯足协
北卡罗来纳州
产量
SRAM
功能真值表
读功能
功能模式
/ CE2 / CE1
待机模式
H
H
字节访问( 8比特)
H
L
H
L
字访问( 16位)
L
L
奇字节唯一通道
L
H
WRITE功能
待机模式
H
H
字节访问( 8比特)
H
L
H
L
A0
X
L
H
X
X
X
L
H
/ OE
X
L
L
L
L
X
H
H
/ WE
X
H
H
H
H
X
L
L
常见的内存
/ REG D15- D8
D7-D0
X
高-Z
高-Z
H
高阻即使字节
H
高阻奇字节
ħ奇字节偶字节
ħ奇字节高阻
X
H
H
X
X
X
X
即使字节
奇字节
属性内存
/ REG D15- D8
D7-D0
X
高-Z
高-Z
L
高阻即使字节
L
高阻无效
L不也有效字节
L不合法
高-Z
X
L
L
X
X
X
X
即使字节
X
2000年6月第1版 - ECO # 12896
4
PC卡产品
PCMCIA闪存卡
SRV系列
绝对最大额定值
(2)
工作温度TA (环境)
广告
产业
储存温度
广告
产业
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于VSS VCC
0 ° C至+ 60°C
-40 ° C至+85°C
0 ° C至+ 60°C
-40 ° C至+85°C
-0.5V到+ 5.5V ( 1 )
-0.5V至+ 7.0V
注意事项:
( 1 )在转换过程中,可能会投入到下冲
-2.0V或过冲至VCC + 2.0V的时间少
比为20ns 。
(2)应力大于下所列
“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个应力
只有评级,这些功能操作或
任何其他条件高于表示
本规范的业务部门所为
不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
可靠性。
DC特性
(1)
CMOS测试条件: VIL = VSS ± 0.2V , VIH = 5V ± 0.2V
符号
ICC
参数
VCC工作电流
密度
64KB
128KB
256KB
512KB
1MB
to
8MB
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
笔记
1
典型值
90
90
90
90
110
(3)
最大
180
180
180
180
190
单位
mA
测试条件
VCC = 5.25V
t周期为150ns =
ICCS
ILI
国际劳工组织
VIL
VIH
VOL
VOH
VCC待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
2,4
5,6
6
6
6
6
6
& LT ; 0.1
<1
10
±20
±20
mA
µA
µA
V
V
V
V
VCC = 5.25V
控制信号= VCC
VCC = VCCmax
VIN = VCC和VSS
VCC = VCCmax
VOUT = VCC和VSS
0
3.85
0.8
VCC
+0.5
0.4
VCC
IOL = 3.2毫安
IOH = -2.0mA
VCC-
0.4
注意事项:
1.所有电流都为x16模式,并且均方根值,除非另有说明。
2.控制信号: CE
1
# ,CE
2
# , OE # , WE# , REG # 。
3.典型: VCC = 5V , T = + 25℃。
4. ICCS包括电池充电电流。值取决于电池的放电程度。 ICCS分钟被指定为全
充满电的电池。 ICCS典型值被指定为电池放电到2.7V 。 ICCS最大值指定为一个完全
放电的电池( 0V ) 。电池充电至1.5V 20秒。
5.价值观是相同的字节,字宽的模式,所有的卡密度。
6.例外:在CE1 # , CE2 # , OE # , # REG漏电流和WE#将是< 500 μA ,当VIN = GND因
内部上拉电阻。
电池特性
参数
电池寿命
密度
所有
256KB
512KB , 1MB
2MB
4MB
6MB
8MB
笔记
(1)
(2)
SRV11-14
I型
10个
-
32
22
12
12
-
SRV01-04
I型II型单位
10个
岁月
24
60
18
45
12
30
个月
17
7
(典型值)
7
17
-
12
条件
正常运行时, T = 25℃
T=25C
电池后备时间是
计算出的值,而不是
保证。这不应该
用于调度电池
充电。
电池
备份时间
注意事项:
1.电池寿命是指电池寿命的功能。
2.电池后备时间的密度和温度相关。
2000年6月第1版 - ECO # 12896
5
PC卡产品
相关元器件产品Datasheet PDF文档