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WB16-1SL  UMZ5.6K  XF1006A-2S  TZX9V1C  TSC-1D1215NH  WBC2.5/R-4S2  UMZ4.3K  TZX9V1E  XF101013-1010  TZX30C  
8P004SRV0104I25 EEPROM (EEPROM )
.型号:   8P004SRV0104I25
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描述: EEPROM
EEPROM
文件大小 :   124 K    
页数 : 10 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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100%
PCMCIA闪存卡
SRV系列
SRAM记忆卡
概述
该WEDC SRAM系列( SRV )存储卡
提供高性能非易失性存储解决方案
用于代码和数据存储,磁盘缓存和写
密集的移动和嵌入式应用。
封装在PCMCIA I型或II型住房(类型
II与延长电池后备时间卡
8MB卡) ,在WEDC SRAM SRV系列是基于
在1或4Mbit的SRAM存储器,提供密度
从256字节到8兆字节。
该SRV系列SRAM存储卡是一个
通用3V / 5V电源供电,工作频率为
主频高达为150ns 。该卡是基于
先进的CMOS技术,提供非常低
功率和可靠的数据保持特性。
WEDC的SRAM卡包含一个可充电
锂离子电池和充电电路,消除了
需要在许多SRAM中发现的可更换电池
卡。
WEDC的标准卡附带WEDC的
SRAM标志。卡也可以用空白
外壳(无标志) 。空外壳可
在两个凹(对于标签)和扁平壳体。请
联系WEDC的销售代表了解更多
在自定义作品的信息。
通过8MB 256KB
特点
高性能SRAM内存卡
•通用的3.3至5伏电源允许更宽
系统之间的兼容性。
•快速访问次数:为150ns @ 5V
为250ns @ 3.3V
• X8 / X16 PCMCIA标准接口
•低功耗CMOS技术提供极低
动力和可靠的数据保持特性
- 待机电流I ; 100μA典型
•可充电锂电池,充电电路
- 无需更换电池
- 待机充电一般小于时电流; 2毫安
- 电池后备时间
• 7个月 - I型卡
• 18个月 - II型卡
典型的基于4MB (低密度会
拥有更大的存储时间)
•没有写次数限制,没有耐力的问题
•可选功能:
•包含2KB EEPROM存储器属性
CIS
•可选硬件写保护开关
• PC卡标准I型或II型外形
框图
4MB SRAM卡所示
[A1..A19]
地址
卜FF器
SRAM
512K ×8
[A20..A22]
/ CSHi
+ + + + +
CE1#
CE2#
WE#
OE #
REG #
A0
解码器
控制
逻辑
/ CSLI
/ CS -A
/ RD
/ RD
/ WR
/ WR
CTRL
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
512K ×8
/ CSHi
[A1..A11]
S1
WP
写普罗特
开关
VS1
VS2
GND
GND
NC
VCC
/ CS -A
/ RD
/ WR
属性
内存
CTRL
I / O缓冲器
[DO..D7]
[DO..D7]
[D8..D15]
+
BVD1
BVD2
VCC
[D8..D15]
注:1。上拉下拉电阻(分100K)
电源管理
电池控制
与内部
动力
供应
+
2.上拉电阻(分钟10K )
锂蝙蝠。
2000年6月第1版 - ECO # 12896
1
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