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 PCMCIA闪存卡 SRV系列 SRAM记忆卡 概述 该WEDC SRAM系列（ SRV ）存储卡 提供高性能非易失性存储解决方案 用于代码和数据存储，磁盘缓存和写 密集的移动和嵌入式应用。 封装在PCMCIA I型或II型住房（类型 II与延长电池后备时间卡 8MB卡） ，在WEDC SRAM SRV系列是基于 在1或4Mbit的SRAM存储器，提供密度 从256字节到8兆字节。 该SRV系列SRAM存储卡是一个 通用3V / 5V电源供电，工作频率为 主频高达为150ns 。该卡是基于 先进的CMOS技术，提供非常低 功率和可靠的数据保持特性。 WEDC的SRAM卡包含一个可充电 锂离子电池和充电电路，消除了 需要在许多SRAM中发现的可更换电池 卡。 WEDC的标准卡附带WEDC的 SRAM标志。卡也可以用空白 外壳（无标志） 。空外壳可 在两个凹（对于标签）和扁平壳体。请 联系WEDC的销售代表了解更多 在自定义作品的信息。 通过8MB 256KB 特点 • 高性能SRAM内存卡 •通用的3.3至5伏电源允许更宽 系统之间的兼容性。 •快速访问次数：为150ns @ 5V 为250ns @ 3.3V • X8 / X16 PCMCIA标准接口 •低功耗CMOS技术提供极低 动力和可靠的数据保持特性 - 待机电流I ; 100μA典型 •可充电锂电池，充电电路 - 无需更换电池 - 待机充电一般小于时电流; 2毫安 - 电池后备时间 • 7个月 - I型卡 • 18个月 - II型卡 典型的基于4MB （低密度会 拥有更大的存储时间） •没有写次数限制，没有耐力的问题 •可选功能： •包含2KB EEPROM存储器属性 CIS •可选硬件写保护开关 • PC卡标准I型或II型外形 框图 4MB SRAM卡所示 [A1..A19] 地址 卜FF器 SRAM 512K ×8 [A20..A22] / CSHi + + + + + CE1# CE2# WE＃ OE ＃ REG ＃ A0 解码器 和 控制 逻辑 / CSLI / CS -A / RD / RD / WR / WR CTRL SRAM 512K ×8 SRAM 512K ×8 SRAM 512K ×8 SRAM 512K ×8 SRAM 512K ×8 SRAM 512K ×8 SRAM 512K ×8 / CSHi [A1..A11] S1 WP 写普罗特 开关 VS1 VS2 GND GND NC VCC / CS -A / RD / WR 属性 内存 CTRL I / O缓冲器 [DO..D7] [DO..D7] [D8..D15] + BVD1 BVD2 VCC [D8..D15] 注：1。上拉下拉电阻（分100K） 电源管理 和 电池控制 与内部 动力 供应 + 2.上拉电阻（分钟10K ） 锂蝙蝠。 2000年6月第1版 - ECO ＃ 12896 1 PC卡产品
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