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MHO+54FAAD-R  MHO54FBD  M3H54FAD-R  M3H54FBG-R  M8S54FAJ  M8R54FAJ  MHO+54FBG-R  M38D54FA-XXXFP  M38D54FB-XXXFP  M7S54FBJ-R  
AQV214EHAZ GU (一般使用) -E型[ 1通道( A型)类型] (GU (General Use)-E Type [1-Channel (Form A) Type])
.型号:   AQV214EHAZ
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描述: GU (一般使用) -E型[ 1通道( A型)类型]
GU (General Use)-E Type [1-Channel (Form A) Type]
文件大小 :   58 K    
页数 : 3 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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100%
(标准型)
检测
VDE
(加强型)
GU (一般使用) -E型
[ 1通道( A型)类型]
PhotoMOS
继电器
6.稳定的导通电阻
7.低层次的关闭状态泄漏电流
8.无需采用一个功率支持
帘布层,以驱动功率MOSFET
的电源,用于驱动功率
MOSFET是因为不必要的
内置的光电器件。这导致
在易于电路设计和小印刷电路板
区。
9.低热电动势
(约1
µ
V)
特点
8.8±0.05
.346±.002
6.4±0.05
.252±.002
3.9±0.2
.154±.008
6.4±0.05
.252±.002
3.6±0.2
.142±.008
8.8±0.05
.346±.002
mm
1
2
3
6
5
4
1.控制低电平模拟信号
PhotoMos继电器的极低
闭路偏置电压,使
的低电平模拟信号的控制,而不
失真。
2.控制与低电平输入信号
3,控制各种类型的负载,对
如继电器,电机,灯具及电磁铁
noids 。
4.光学耦合极高
隔离
与机械式继电器, PhotoMOS
继电器结合了LED和光电
使用光设备传输信号
非常高的隔离。
5.无需采用一个计数器
在电动势保护二极管
在输入侧的驱动电路
典型应用
•高速检测机
•电话设备
•数据通讯设备
•电脑
类型
产品型号
额定输出功率*
TYPE
I / O隔离
负载
电压
标准的1500 V AC
交流/直流
钢筋5000 V
350 V
400 V
350 V
400 V
负载
当前
130毫安
120毫安
130毫安
120毫安
通孔
终奌站
管包装风格
AQV210E
AQV214E
AQV210EH
AQV214EH
AQV210EA
AQV214EA
AQV210EHA
AQV214EHA
表面贴装端子
磁带和卷轴包装风格
从该精选拾取
1/2/ 3针端
4/5/ 6针端
AQV210EAX
AQV210EAZ
AQV214EAX
AQV210EHAX
AQV214EHAX
AQV214EAZ
AQV210EHAZ
AQV214EHAZ
包装数量
1管中含有
50个。
1批包含
500件。
磁带和卷轴
1000个。
*指明峰值AC和DC值。
注:由于篇幅原因,封装类型指标"X"和"Z"从密封省略。
等级
1.绝对最大额定值(环境温度: 25
°
C
77
°
F)
LED正向电流
LED反向电压
最大正向电流
功耗
负载电压(峰值AC)
连续负载电流
产量
峰值负载电流
功耗
总功耗
I / O隔离电压
操作
温度限制
存储
I
PEAK
P
OUT
P
T
V
ISO
T
OPR
T
英镑
类型
对称
连接
BOL
I
F
V
R
I
FP
P
in
V
L
A
I
L
B
C
AQV210E(A)
AQV214E(A)
AQV210EH(A)
AQV214EH(A)
备注
输入
50毫安
3V
1A
75毫瓦
350 V
0.13 A
0.15 A
0.17 A
0.4 A
400 V
0.12 A
0.13 A
0.15 A
0.3 A
500毫瓦
550毫瓦
1500 V AC
5000 V AC
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
F到185
°
F
–40
°
C至+100
°
C
–40
°
F到212
°
F
350 V
0.13 A
0.15 A
0.17 A
0.4 A
400 V
0.12 A
0.13 A
0.15 A
0.3 A
F = 100Hz时,占空比系数= 0.1 %
连接:峰值AC, DC ;
B,C连接: DC
连接: 100毫秒( 1拍) ,
V
L
ΔDC
非冷凝在低温。
1
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