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MM3Z5243BH  MM3Z3V9CW  MM3Z47VBW  MM3Z6V8  MM3Z3V3  MM3Z56  MM3Z4V7T1  MM3Z47VCW  MM3Z5V6T1  MM3Z3V3T1  
2SK2052R 晶体管| MOSFET | N沟道| 500V V( BR ) DSS | 10A I( D) | TO- 247VAR (TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR )
.型号:   2SK2052R
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描述: 晶体管| MOSFET | N沟道| 500V V( BR ) DSS | 10A I( D) | TO- 247VAR
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
文件大小 :   46 K    
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100%
パワーMOSFET /功率MOSFET
■パワーMOSFET功率MOSFET
FAP -IISシリーズ
FAP -IIS系列
*2
高温·连続アバランシェ耐量保证重复雪崩额定值(续)
�½�   式
设备类型
2SK2767-01
2SK2768-01L ​​,S
2SK2769-01MR
2SK2770-01
2SK2651-01MR
2SK2652-01
2SK2850-01
2SK2653-01R
2SK2654-01
2SK2655-01R
2SK3341-01
2SK3337-01
*1
V
DSS
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
900
1000
*2
I
D
安培。
3.5
3.5
3.5
3.5
6
6
6
6
8
8
10
7
P
D
: T
C
=25°C
I
D
(脉冲)
安培。
14
14
14
14
24
24
24
24
32
32
40
28
R
DS
(上)
马克斯。
*1
欧姆( Ω )
5.5
5.5
5.5
5.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.0
1.2
2.0
P
D
V
GSS
±35
±35
±35
±35
±35
±35
±30
±35
±35
±35
±30
±30
80
80
40
100
50
125
125
80
150
100
310
255
V
GS
( TH )
典型值。
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
4.0
4.0
4.0
3.0
3.0
パッケージ
TO-220AB
T-包
TO-220F
TO-3P
TO-220F
TO-3P
TO-3P
TO-3PF
TO-3P
TO-3PF
TO-247
TO-247
質  量
净重
2.0
1.6
2.0
5.5
2.0
5.5
5.5
6.0
5.5
6.0
5.5
5.5
R
DS
(上) : V
GS
=10V,
F- V / FAP -VシリーズF- V / FAP - V系列
内蔵ダイオード高速化/高dv / dt的耐量包括FRED /额定雪崩
�½�   式
设备类型
2SK1818-MR
2SK1276A
2SK1277
2SK1819-01MR
2SK1278
2SK2052-R
2SK1279
2SK1280
*1
V
DSS
250
250
250
450
500
500
500
500
*2
I
D
安培。
20
20
30
5
10
10
15
18
P
D
: T
C
=25°C
I
D
(脉冲)
安培。
80
80
120
20
40
40
60
72
R
DS
(上)
马克斯。
*1
欧姆( Ω )
0.25
0.25
0.12
1.5
1.1
1.1
0.58
0.5
P
D
*2
V
GSS
±20
±20
±20
±25
±20
±20
±20
±20
50
100
150
35
100
80
125
150
V
GS
( TH )
典型值。
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
パッケージ
TO-220F
TO-3P
TO-3P
TO-220F
TO-3P
TO-3PF
TO-3P
TO-3P
質  量
净重
2.0
5.5
5.5
2.0
5.5
6.0
5.5
5.5
R
DS
(上) : V
GS
=10V,
6
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