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QM20-14P-CF  HF2429/S006B  QM30-14PA-CFI  QM30-14P-SP  QM30-14PAL-CS  QM30  QM40-14PAL-CS  QM20-14PAL-CV  QM40-14PA-PR1  QM30-14P-PR1  
CMBTA56 晶体管| BJT | PNP | 80V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 236AA (TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA )
.型号:   CMBTA56
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描述: 晶体管| BJT | PNP | 80V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 236AA
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
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100%
大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
SOT- 23形成SMD封装
CMBTA55
CMBTA56
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
硅外延晶体管
P- N-P晶体管
记号
CMBTA55 = 2H
CMBTA56 = 2G
包装外形细节
在M中所有尺寸
m
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
3
1
2
绝对最大额定值
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流(直流)
总功率耗散高达至T
AMB
= 25 °C
直流电流增益
–I
C
= 100毫安; -V
CE
= 1 V
跃迁频率在f = 100 MHz的
–I
C
= 100毫安; -V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压
–I
C
= 100毫安;我
B
= 10毫安
–V
CBO
–V
首席执行官
–V
EBO
–I
C
P
合计
h
FE
f
T
V
CESAT
CMBT A55
马克斯。 60
马克斯。 60
马克斯。
马克斯。
A56
80 V
80 V
V
mA
mW
4
500
250
100
50
0.25
分钟。
分钟。
马克斯。
兆赫
V
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
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