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P4C148-25DM SRAM X4 (x4 SRAM )
.型号:   P4C148-25DM
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描述: SRAM X4
x4 SRAM
文件大小 :   64 K    
页数 : 6 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
P4C148 , P4C149
超高速1K ×4
静态CMOS RAMS
特点
全CMOS , 6T细胞
高速(平等机会和循环时间)
- 10/12/15/20/25 NS (商业)
- 15/20/25/35 NS ( P4C148军)
低功耗工作
- 715毫瓦活动
-10 ( COMMECIAL )
- 550毫瓦活动
-25 (商业)
- 110 mW的待机( TTL输入) P4C148
- 55 mW的待机( CMOS输入) P4C148
单5V
±
10 %的电力供应
P4C148/P4C149
两个选项
- P4C148低功耗待机模式
- P4C149快速的片选控制
通用输入/输出端口
三态输出
充分TTL兼容输入和输出
标准引脚( JEDEC批准)
- 18引脚300密耳DIP
描述
该P4C148和P4C149 4,096位超高速
静态RAM组织为1K X 4,两款器件均
通用输入/输出端口。的P4C148进入待机
模式时,芯片使能( CE)变为高电平;与CMOS
输入电平,功耗极低,这
模式。该P4C149具有快速的片选功能
运用
CS 。
该CMOS存储器不需要时钟或
清爽,并有平等的机会和循环时间。输入
完全TTL兼容。公羊从单一经营
5V
±
10 %的容差的电源。
存取时间快10纳秒是可用的,
允许大大提高了系统的运行速度。
CMOS用于活性时,以降低功耗;
为P4C148 ,消耗进一步在减压
待机模式。
该P4C148和P4C149在18引脚300密耳可
DIP封装提供卓越的板级密度。
功能框图
A
A
A
A
A
A
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
输入
数据
控制
列I / O
销刀豆网络gurations
ROW
SELECT
4,096-BIT
内存
ARRAY
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
CE, CS
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
V CC
A9
A8
A7
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
WE
动力
COLUMN
SELECT
CE / CS
A
P4C148 ONLY
A
A
A
P4C148 DIP( P 1, D 1)
P4C149 DIP (P1)的
顶视图
WE
意味着质量,服务和速度
1Q97
19
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