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 P4C148 ， P4C149 超高速1K ×4 静态CMOS RAMS 特点 全CMOS ， 6T细胞 高速（平等机会和循环时间） - 10/12/15/20/25 NS （商业） - 15/20/25/35 NS （ P4C148军） 低功耗工作 - 715毫瓦活动 -10 （ COMMECIAL ） - 550毫瓦活动 -25 （商业） - 110 mW的待机（ TTL输入） P4C148 - 55 mW的待机（ CMOS输入） P4C148 单5V ± 10 ％的电力供应 P4C148/P4C149 两个选项 - P4C148低功耗待机模式 - P4C149快速的片选控制 通用输入/输出端口 三态输出 充分TTL兼容输入和输出 标准引脚（ JEDEC批准） - 18引脚300密耳DIP 描述 该P4C148和P4C149 4,096位超高速 静态RAM组织为1K X 4，两款器件均 通用输入/输出端口。的P4C148进入待机 模式时，芯片使能（ CE）变为高电平;与CMOS 输入电平，功耗极低，这 模式。该P4C149具有快速的片选功能 运用 CS 。 该CMOS存储器不需要时钟或 清爽，并有平等的机会和循环时间。输入 完全TTL兼容。公羊从单一经营 5V ± 10 ％的容差的电源。 存取时间快10纳秒是可用的， 允许大大提高了系统的运行速度。 CMOS用于活性时，以降低功耗; 为P4C148 ，消耗进一步在减压 待机模式。 该P4C148和P4C149在18引脚300密耳可 DIP封装提供卓越的板级密度。 功能框图 A A A A A A I / O 1 I / O 2 I / O 3 I / O 4 输入 数据 控制 列I / O 销刀豆网络gurations ROW SELECT 4,096-BIT 内存 ARRAY A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 CE， CS GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 V CC A9 A8 A7 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 WE 动力 下 COLUMN SELECT CE / CS A P4C148 ONLY A A A P4C148 DIP（ P 1， D 1） P4C149 DIP （P1）的 顶视图 WE 意味着质量，服务和速度 1Q97 19
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