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2SK213 , 2SK214 , 2SK215 , 2SK216
硅N沟道MOS FET
ADE - 208-1241 ( Z)
1日。版
2001年3月
应用
高频和低频功率放大器,高速开关。
互补配对2SJ76 , J77 , J78 , J79
特点
适合直接安装
高正向转移导纳
良好的频率响应
增强型
概要
TO-220AB
D
G
1
2
3
1.门
2.源
(法兰)
3.排水
S
2SK213 , 2SK214 , 2SK215 , 2SK216
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
2SK213
2SK214
2SK215
2SK216
栅极至源极电压
漏电流
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
V
GSS
I
D
I
DR
PCH
PCH *
1
通道温度
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSX
评级
140
160
180
200
±15
500
500
1.75
30
150
-45至+150
V
mA
mA
W
W
°C
°C
单位
V
电气特性
( TA = 25°C )
漏极至源极
击穿电压
2SK213
2SK214
2SK215
2SK216
栅源击穿
voltag
栅极至源极电压
漏极至源极饱和
电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
注意:
1.脉冲测试
V
( BR ) GSS
V
GS ( ON)
V
DS ( SAT )
|y
fs
|
西塞
CRSS
符号
V
( BR ) DSX
140
160
180
200
±15
0.2
20
典型值
40
90
2.2
最大
1.5
2.0
单位
V
V
V
V
V
V
V
mS
pF
pF
I
G
= -10 μA ,V
DS
= 0
I
D
= 10 mA时, V
DS
= 10 V *
1
I
D
= 10 mA时, V
GD
= 0 *
1
I
D
= 10 mA时, V
DS
= 20 V *
1
I
D
= 10 mA时, V
DS
= 10 V,
F = 1 MHz的
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= –2 V
2
2SK213 , 2SK214 , 2SK215 , 2SK216
功率与温度降额
60
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(MA )
典型的输出特性
500
3.5
T
C
= 25°C
3.0
400
2.5
300
2.0
200
1.5
100
1.0
V
GS
= 0.5 V
4
8
16
20
12
漏极至源极电压V
DS
(V)
40
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
0
典型的输出特性
50
T
C
= 25°C
500
0.8
漏电流I
D
(MA )
0.7
0.6
0.5
0.4
10
0.3
0.2
V
GS
= 0.1V
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
漏电流I
D
(MA )
30
300
20
200
100
0
60
20
40
80
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
3
1
2
4
门源电压V
GS
(V)
T
C
=–
40
400
25°
C
25
75
5
3
2SK213 , 2SK214 , 2SK215 , 2SK216
典型的传输特性
100
80
T
C
=
–25
°C
25
75
正向转移导纳
yfs
(女士)
正向转移导纳
与漏电流
200
100
50
V
DS
= 20 V
漏电流I
D
(MA )
60
20
10
5
T
C
= 25°C
V
DS
= 20 V
40
20
0
1.2
0.4
0.8
1.6
门源电压V
GS
(V)
2.0
2
5
20
10
50 100 200
漏电流I
D
(MA )
正向转移导纳
yfs
(女士)
正向转移导纳
与频率的关系
500
100
10
T
C
= 25°C
V
DS
= 20 V
I
D
= 10毫安
1.0
0.1
0.05
5 k 10 k
1M
10 M
100 k
频率f (高
Z
)
50 M
4
2SK213 , 2SK214 , 2SK215 , 2SK216
包装尺寸
至于, 2001年1月
单位:mm
11.5 MAX
2.79
±
0.2
10.16
±
0.2
9.5
8.0
φ
3.6
-0.08
+0.1
4.44
±
0.2
1.26
±
0.15
6.4
+0.2
–0.1
18.5
±
0.5
15.0
±
0.3
1.27
2.7 MAX
14.0
±
0.5
1.5 MAX
7.8
±
0.5
0.76
±
0.1
2.54
±
0.5
2.54
±
0.5
0.5
±
0.1
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
TO-220AB
符合
符合
1.8 g
5
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