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飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
钝化保证减刑
在一个塑料包全包三端双向可控硅,
适用于电机控制应用
电路或与其它高电感
负载。这些器件平衡
需求
of
换相
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic
level" D系列是供
低功率驱动器接口,
包括微控制器。
BTA204X系列D,E和F
快速参考数据
符号
参数
BTA204X-
BTA204X-
BTA204X-
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
重复峰值
断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
马克斯。
500D
500E
500F
500
4
25
马克斯。
600D
600E
600F
600
4
25
MAX 。 UNIT
-
800E
800F
800
4
25
V
A
A
钉扎 - SOT186A
1
2
3
描述
主终端1
引脚配置
符号
T2
主终端2
1 2 3
T1
孤立的情况下,
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
hs
92 ˚C
全正弦波;
T
j
前= 25〜
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 6 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
4
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
25
27
3.1
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
˚C
˚C
在任何20毫秒
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1998年12月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
BTA204X系列D,E和F
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
65 % ;干净无尘
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻
结到散热器
热阻
结到环境
条件
全额或半周期
与复合散热器
无散热化合物
在自由空气
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
5.5
7.2
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA204X-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 5 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 ˚C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
T
j
= 125 ˚C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.4
0.7
0.4
0.1
分钟。
典型值。
...D
5
5
5
6
9
6
6
马克斯。
...E
10
10
10
12
18
12
12
1.7
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
20
30
20
20
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
2
设备不会在T2- , G +象限触发。
1998年12月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
变化率的关键
换向电流
门控开启
时间
条件
BTA204X-
...D
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
;
20
T
j
= 125 ℃;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 125 ˚C; 1.0
I
T( RMS )
= 4 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 125 ˚C; 5.0
I
T( RMS )
= 4 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
;
-
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
BTA204X系列D,E和F
分钟。
...E
30
...F
50
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V / μs的
dI
COM
/ DT
2.0
2.5
-
-
A / MS
dI
COM
/ DT
-
-
-
-
A / MS
t
gt
-
-
2
-
µs
1998年12月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA204X系列D,E和F
8
7
6
5
4
3
2
1
0
P合计/ W
BT136
三(最大值) / C
81
86.5
5
IT ( RMS ) / A
BT136X
92 C
4
1
= 180
120
90
60
30
92
97.5
103
108.5
114
3
2
1
119.5
0
1
2
3
IT ( RMS ) / A
4
125
5
0
-50
0
50
部份效果/ C
100
150
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与有效值
通态电流I
T( RMS )
,其中,
α
=导通角。
图4 。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与散热器温度T
hs
.
BT136
1000
ITSM / A
BT136
IT
T
ITSM
12
10
时间
IT ( RMS ) / A
TJ初始= 25℃最高
100
dI
T
/ dt限制
8
6
4
T2- G +象限
2
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
hs
92˚C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
30
25
20
15
10
5
0
ITSM / A
BT136
1.6
IT
T
我TSM
时间
BT136
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
TJ初始= 25℃最高
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
1998年12月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA204X系列D,E和F
3
2.5
2
1.5
1
0.5
IGT ( TJ )
IGT ( 25℃ )
BTA204
12
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT136
典型值
最大
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
10
VO = 1.27 V
卢比= 0.091欧姆
8
6
4
2
0
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
白细胞介素( TJ )
IL ( 25℃ )
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
TRIAC
10
第i个J- HS (K / W)
BT136
与复合散热器
无散热化合物
单向
1
双向
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
10ms
TP /秒
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25˚C),
与结温度T
j
.
IH( TJ)
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- HS
,与
脉冲宽度t
p
.
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25˚C),
与结温度T
j
.
1998年12月
5
启1.000
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