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飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
概述
玻璃钝化整流高
在一个塑料外壳可控硅用于
在电路中使用,其中高静
动态dv / dt和高di / dt的能
发生。这些设备将换向
在全额定电流有效值在
最大额定结温,
未经缓冲的帮助。
BTA208 B系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
马克斯。
马克斯。
600B
600
8
65
MAX 。 UNIT
800B
800
8
65
V
A
A
BTA208- 500B
重复峰值
500
断态电压
RMS通态电流
8
非重复性峰值通态65
当前
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
TAB
符号
T2
主终端2
主终端2
1 23
T1
G
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
102 ˚C
全正弦波;
T
j
前= 25〜
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
8
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后,
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
71
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
˚C
˚C
在任何20毫秒
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议,断态电压高达800V可在不损伤被应用,但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1997年9月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
BTA208 B系列
典型值。
-
-
60
马克斯。
2.0
2.4
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
分钟。
2
2
2
-
-
-
-
-
-
0.25
-
典型值。
18
21
34
31
34
30
31
1.3
0.7
0.4
0.1
马克斯。
50
50
50
60
90
60
60
1.65
1.5
-
0.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125 ˚C
V
D
= V
数字版权管理(最大值)
; T
j
= 125 ˚C
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
dI
COM
/ DT
t
gt
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
门控开启
时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理(最大值)
; T
j
= 125 ˚C;
指数波形;门开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 125 ℃;我
T( RMS )
= 8 A;
无缓冲;门开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理(最大值)
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
分钟。
1000
-
-
典型值。
4000
14
2
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
A / MS
µs
2
设备不会在T2- , G +象限触发。
1997年9月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
BTA208 B系列
12
10
P合计/ W
BT137
TMB (最大值) / C
101
= 180
120
105
109
10
IT ( RMS ) / A
BT137
1
90
60
30
8
102 C
8
6
4
2
0
6
113
4
117
121
125
10
2
0
2
4
6
IT ( RMS ) / A
8
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与有效值
通态电流I
T( RMS )
,其中,
α
=导通角。
BTA208
图4 。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与安装基座温度T
mb
.
BT137
1000
ITSM / A
25
IT ( RMS ) / A
20
dI
T
/ dt限制
100
15
10
IT
T
10
10us
我TSM
时间
5
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
20ms.
ITSM / A
IT
T
50
40
30
20
10
0
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
mb
102˚C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
70
60
ITSM
时间
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
BT136
TJ初始= 25℃最高
1
10
100
1000
0.4
-50
0
半周期在50Hz数
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
BTA208 B系列
3
2.5
2
1.5
IGT ( TJ )
IGT ( 25℃ )
BTA212
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT137
20
典型值
VO = 1.264 V
卢比= 0.0378欧姆
最大
15
10
1
0.5
0
-50
5
0
50
TJ / C
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
白细胞介素( TJ )
IL ( 25℃ )
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
TRIAC
10
第i个J- MB (K / W)
BT137
单向
1
双向
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25˚C),
与结温度T
j
.
IH( TJ)
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
,与
脉冲宽度t
p
.
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
DICOM / DT ( A / MS )
BTA208
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
20
40
60
80
TJ / C
100
120
140
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25˚C),
与结温度T
j
.
图12 。整流变化的典型,爆击率
目前,二
COM
/ DT与结温。
1997年9月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
高换
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
BTA208 B系列
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图13 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年9月
5
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