MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
HY638100系列
128Kx8bit CMOS快速SRAM
描述
该HY638100是一种高速131,072 ×8位CMOS静态RAM制造使用现代高
高性能CMOS工艺技术。再加上高速电路设计,这款高可靠性的工艺
技术,产量为15ns的最大访问时间。该HY638100具有数据保留模式
保证数据将保持有效以2.0伏的最小供电电压。它适合于在高的使用
密度高速系统的应用程序。
特点
单5V ± 10 %电源
高速 - 15/20 / 25ns的(最大)
低功耗(最大)
模式
条件当前单位
操作15ns的
150
mA
20/25ns
140
mA
待机
TTL
40
mA
CMOS
2
mA
L
500
uA
备用电池( L-部分)
- 2.0V (分钟)的数据保留
完全静态的操作和三态输出
- 无时钟或刷新要求
TTL兼容的输入和输出
标准引脚配置
- 32引脚400mil SOJ
- 32引脚400mil TSOP- II
BLOCK DIAGRM
A0
添加输入缓冲器
列解码器
SENSE AMP
行解码器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
A16
/ CS
/ OE
/ WE
引脚连接
A0
A1
A2
A3
/ CS
I/O1
I/O2
VCC
VSS
I/O3
I/O4
/ WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
/ OE
I/O8
I/O7
VSS
VCC
I/O6
I/O5
A12
A11
A10
A9
A8
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0~A16
I/O1~I/O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
Adderss输入
数据输入/输出
Power(+5.0V)
SOJ / TSOP- II
订购信息
产品型号
HY638100J
HY638100LJ
HY638100T2
HY638100LT2
速度
15/20/25
15/20/25
15/20/25
15/20/25
动力
L-部分
L-部分
SOJ
SOJ
TSOP -II
TSOP -II
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.02 / Dec.97
韩国现代半导体公司
控制
逻辑
写入驱动器
存储阵列
512x2048
HY638100系列
绝对最大额定值( 1 )
符号
V
CC
, V
IN,
V
OUT
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
参数
电源,输入/输出电压
工作温度
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.5 〜7.0
0到70
-65到150
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
W
mA
°C •
美国证券交易委员会
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是唯一的,并在设备中的这些功能操作的压力等级或
以上这些在操作本规范所标明的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下,长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
T
A
= 0℃至70 ℃的
符号
参数
V
CC
电源电压
V
SS
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值
5.0
0
-
-
马克斯。
5.5
0
Vcc+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
1. V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于10ns的
真值表
/ CS
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ OE
X
H
L
X
模式
待机
输出禁用
I / O操作
高阻
高阻
D
OUT
D
IN
注意:
1. H = V
IH
中,L = V
IL
, X =无所谓
Rev.02 / Dec.97
2
HY638100系列
DC电气特性
VCC = 5.0V ± 10 % ,T
A
= 0 ° C至70 ° C,除非另有说明。
符号
参数
测试条件
I
IL
输入漏电流
V
SS
& LT ; V
IN
& LT ; V
CC
I
LO
输出漏电流V
SS
& LT ; V
OUT
& LT ; V
CC
,
/ CS = V
IH
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
I
CC1
平均开工
/ CS = V
IL
, I
I / O
= 0毫安,
15ns
当前
分钟。占空比= 100 %, 20 / 25ns的
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH ,
V
IN-
V
IH
或V
IL
分钟。周期
( TTL输入)
I
SB1
CMOS待机电流/ CS > V
CC
-0.2V, V
IN
& GT ;
( CMOS输入)
V
CC
-0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V
L
V
OL
输出低电压
I
OL
= 8.0毫安
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4.0mA
注:典型值是在Vcc = 5.0V ,T
A
= 25°C
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
典型值
-
-
-
-
-
-
50
-
-
最大
2
2
150
140
40
2
500
0.4
-
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
V
V
AC特性
VCC = 5.0V ± 10 % ,T
A
= 0 ° C至70 ° C,除非另有说明。
-15
#符号
参数
最小最大
读周期
1
TRC
读周期时间
15
-
2
TAA
地址访问时间
-
15
3
TACS
芯片选择访问时间
-
15
4
TOE
输出使能到输出有效
-
7
5
TCLZ
片选到输出中低Z
3
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
3
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
8
8
TOHZ出禁用到输出中高Z
0
8
9
TOH
从地址变更输出保持
3
-
写周期
10 TWC
写周期时间
15
-
11 TCW
片选写的结束
12
-
12 TAW
地址有效到写结束
12
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
12
-
15 TWR
写恢复时间
2
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
7
17 TDW
数据写入时间重叠
8
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
3
-
-20
最小最大
20
-
-
-
3
3
0
0
3
20
15
15
0
15
2
0
9
0
3
-
20
20
9
-
-
9
9
-
-
-
-
-
-
-
9
-
-
-
-25
单位
最小最大
25
-
-
-
3
3
0
0
3
25
17
17
0
17
2
0
10
0
3
-
25
25
10
-
-
10
10
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Rev.02 / Dec.97
3
HY638100系列
AC测试条件
VCC = 5.0V ± 10 % ,T
A
= 0 ° C至70 ° C,除非另有说明。
参数
价值
输入脉冲电平
0V至3.0V
输入上升和下降时间
3ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
见下文
AC测试负载
输出负载( A)
输出负载( B)
(对下,tCHZ , tCLZ , tOHZ , TOLZ , tWHZ & TOW )
+5V
+5V
480欧姆
D
OUT
255欧姆
CL=30pF
(1)
D
OUT
255欧姆
480欧姆
CL=5pF
(1)
注:包括夹具和范围电容
电容
温度= 25 ° C,F = 1.0MHz的
符号
参数
C
IN
输入电容
C
I / O
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注:该参数进行采样,并没有100 %测试
Rev.02 / Dec.97
4
HY638100系列
时序图
读周期1
TRC
ADDR
TAA
OE
TOE
TOLZ
CS
TACS
TCLZ
数据
OUT
高-Z
数据有效
tOHZ
TCHZ
TOH
注(读周期)
1. tCHZ均与tOHZ被定义为时间,让输出达到开路条件,并且
未参照的输出电压电平。
2.在任何给定的温度和电压条件下, tCHZ均最大。小于tCLZ分钟。无论对于一个给定的
设备和从设备到设备。
3 / WE高读周期。
读周期2
TRC
ADDR
TAA
TOH
数据
OUT
以前的数据
数据有效
TOH
注(读周期)
1 / WE高读周期。
2.设备不断选择/ CS = V
IL
.
3 / OE = V
IL
.
Rev.02 / Dec.97
5
相关元器件产品Datasheet PDF文档