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284T44K104B24BT  284T45S504A26BT  284T45S104B25BT  284T44F104B25BT  284T45S102A25BT  284T44K103B26AT  284T44F104B24AT  284T44K103B25BT  284T44K103B25AT  284T45S104A26AT  
TPIC6595DWR 外设驱动| 8驱动程序| CMOS / MOS |专科| 20PIN |塑料 (PERIPHERAL DRIVER|8 DRIVER|CMOS/MOS|SOP|20PIN|PLASTIC )
.型号:   TPIC6595DWR
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描述: 外设驱动| 8驱动程序| CMOS / MOS |专科| 20PIN |塑料
PERIPHERAL DRIVER|8 DRIVER|CMOS/MOS|SOP|20PIN|PLASTIC
文件大小 :   145 K    
页数 : 9 页
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100%
TPIC6595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS010A - 1992年4月 - 修订1995年10月
D
D
D
D
D
D
D
低R
DS ( ON)
. . . 1.3
典型
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八功率DMOS晶体管输出
250 - mA的持续电流
1.5脉冲电流每路输出
输出钳位电压为45 V
设备的级联
低功耗
DW或N包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC6595是一款单芯片,高电压,高
当前功率的8位移位寄存器设计为用
在需要相对高的负载功率的系统。
该器件包含一个内置的电压钳位
输出端的电感瞬态保护。
功率驱动器应用包括继电器,电磁铁
noids ,和其他中等电流或高电压
负载。
该器件包含一个8位串行输入,并行输出
馈送一个8位D型存储移位寄存器
注册。同时通过移动数据传输,
上的上升沿存储寄存器
移位寄存器时钟( SRCK )和寄存器时钟
( RCK )分别。存储寄存器传送
SHIFT-时数据到输出缓冲器
寄存器清零( SRCLR )为高。当SRCLR是
低,输入移位寄存器清零。当输出
使能( G)时保持高电平时,所有的数据在输出
缓冲区保持低电平,所有的漏输出关闭。
当G为低,从存储寄存器数据
是透明的输出缓冲器。串行
输出(SER OUT),允许的级联
从移位寄存器的数据到其他设备。
保护地
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
保护地
LGND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
保护地
逻辑符号
G
RCK
SRCLR
SRCK
SER IN
9
12
8
13
3
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
4
5
6
7
14
15
16
17
2
18
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
SER OUT
†这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
和IEC出版617-12 。
输出低端,漏极开路DMOS
晶体管与45 V和250 mA的输出额定值
连续灌电流能力。当在输出缓冲器的数据为低电平时, DMOS晶体管输出关闭。
当数据为高时, DMOS晶体管输出具有灌电流能力。
提供独立的电源和逻辑电平接地引脚,以方便最大的系统灵活性。引脚1 , 10 , 11 ,
和20在内部相连,并且每个引脚必须从外部连接到电力系统接地,以
以减少寄生电感。引脚19 ,逻辑接地( LGND )和引脚1之间的单点连接,
10 ,11和20 ,功率理由(PGND ) ,必须以一种方式降低之间的串扰被外部取得
的逻辑和负载电路。
该TPIC6595的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
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