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2SK2114 , 2SK2115
硅N沟道MOS FET
ADE - 208-1346 ( Z)
1日。版
2001年3月
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适用于开关稳压器
概要
TO-220CFM
D
G
12
3
1.门
2.漏
3.源
S
2SK2114 , 2SK2115
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
2SK2114
2SK2115
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
10
µs,
占空比
1 %
2.价值在Tc = 25
°C
符号
V
DSS
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
450
500
±30
5
20
5
35
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK2114 , 2SK2115
电气特性
( TA = 25°C )
漏极至源极
击穿
电压
2SK2114
2SK2115
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
符号
V
( BR ) DSS
450
500
±30
±10
250
V
µA
µA
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
2.0
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
2.5
1.0
1.2
4.0
640
160
20
10
25
50
30
0.95
300
3.0
1.4
1.5
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 5 A,V
GS
= 0
I
F
= 5 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A /
µs
I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V*
1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 12
V
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 2.5 A,V
GS
= 10 V*
1
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零门
电压漏
当前
2SK2114
2SK2115
门源截止电压
静态漏
源状态
阻力
2SK2114
2SK2115
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
1.脉冲测试
见2SK1155 , 2SK1156的特性曲线。
3
2SK2114 , 2SK2115
功率与温度降额
60
P沟(W)的
50
20
漏电流I
D
(A)
最高安全工作区
10
µ
s
40
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
1
D
10
m
s
0
散热通道
µ
s
)
)
ot
°
C
Sh
25
(1
C
=
s
m
N(叔
10
TIO
=
ra
e
PW
Op
C
20
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
TA = 25°C
1
0
50
100
TC ( ℃)
150
0.05
2SK2114
2SK2115
外壳温度
3
30
10
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
1.0
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
ULSE
P
1S
T
C
= 25°C
θch -C
(t) =
γ
S
(t) ·
θch -C
θch -C
= 3.57 ° C / W ,T
C
= 25°C
P
DM
PW
1
D = PW
T
0.03
0.01
10
µ
T
1m
10 m
脉冲宽度PW (S )
100 m
100
µ
10
4
2SK2114 , 2SK2115
包装尺寸
至于, 2001年1月
单位:mm
10.0
±
0.3
φ
3.2
±
0.2
4.5
±
0.3
2.7
±
0.2
15.0
±
0.3
2.5
±
0.2
0.7
±
0.1
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
0.6
±
0.1
2.54
2.54
4.1
±
0.3
13.60
±
1.0
1.0
±
0.2
1.15
±
0.2
12.0
±
0.3
TO-220CFM
1.9 g
5
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