电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
EM614FT8AS-70LL 128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM (128K x16 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM)
.型号:   EM614FT8AS-70LL
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
128K x16 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
文件大小 :   434 K    
页数 : 11 页
Logo:   
品牌   ETC [ ETC ]
购买 :   
  浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号EM614FT8AS-70LL的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
EM620FV16B系列
低功耗, 128Kx16 SRAM
文档标题
128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
历史
最初的草案
0.1版本
0.2版本
删除字节的选项信息
修订后的VOH ( 2.2V至2.4V ) , TOH (为15ns至10ns的) ,
TOE - 55 (为30ns至25ns的) , TWP - 55 (为45nS至为40ns ) ,
TWP -70 ( 55ns至50ns的) , tWHZ - 70 (为25ns至20ns的) ,
ICC ( 2mA至3毫安) , ICC1 ( 2mA至3毫安)
V
IH
从2.0V到2.2V电平变化
草案日期
2007年6月7日
2007年6月15日
2007年7月2日
备注
0.3
0.3版本
2007年8月16日
4F韩国建筑金融合作社B / D, 301-1妍东,济州市,济州岛,韩国Rep.of
电话: + 82-64-740-1712传真: + 82-64-740-1749 〜 1750 /主页: www.emlsi.com
新兴的内存&逻辑解决方案公司
邮编: 690-719
通过EMLSI提供附加的数据表保留随时更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系EMLSI办公室。
1
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7