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EM620FV16B系列
低功耗, 128Kx16 SRAM
文档标题
128K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
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删除字节的选项信息
修订后的VOH ( 2.2V至2.4V ) , TOH (为15ns至10ns的) ,
TOE - 55 (为30ns至25ns的) , TWP - 55 (为45nS至为40ns ) ,
TWP -70 ( 55ns至50ns的) , tWHZ - 70 (为25ns至20ns的) ,
ICC ( 2mA至3毫安) , ICC1 ( 2mA至3毫安)
V
IH
从2.0V到2.2V电平变化
草案日期
2007年6月7日
2007年6月15日
2007年7月2日
备注
0.3
0.3版本
2007年8月16日
4F韩国建筑金融合作社B / D, 301-1妍东,济州市,济州岛,韩国Rep.of
电话: + 82-64-740-1712传真: + 82-64-740-1749 〜 1750 /主页: www.emlsi.com
新兴的内存&逻辑解决方案公司
邮编: 690-719
通过EMLSI提供附加的数据表保留随时更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系EMLSI办公室。
1
EM620FV16B系列
低功耗, 128Kx16 SRAM
128K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术: 0.15μm的CMOS全
-
组织: 128K X16
-
电源电压
= > EM620FV16B : 2.7 〜 3.6V
-
低数据保持电压: 1.5V
-
三态输出与TTL兼容
-
包装产品设计的45 /55 / ​​70ns的
一般物理规格
-
抛光裸硅的背面模具表面
-
典型的模具厚度= 725um +/- 15微米
-
典型的顶层金属化:
= >金属(钛/铝铜/锡/ ARC的SiON /二氧化硅) : 5.2K埃
-
顶面钝化:
= >钝化( HDP / pNIT / PIQ ) : 5.4K埃
-
晶圆直径: 8英寸
选项
- C1 / W1 : DC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
- C2 / W2 : DC / AC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
1
56
29
EM620FV16B (双C / S)
+
(0.0)
EMLSI LOGO
28
y
x
预充电电路
PAD说明
名字
CS1,CS2
OE
WE
A0~A16
I/O0~I/O15
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
UB
LB
NC
功能
电源
高字节( I / O
8~15
)
低字节( I / O
0~7
)
无连接
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
行选择
V
SS
存储阵列
1024 x 2048
I / O0 - I / O7
I / O8 〜 I / O15
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
WE
OE
UB
LB
CS1
CS2
控制逻辑
粘结说明
2M的全CMOS SRAM芯片拥有总56pads 。参阅接合焊盘的位置和识别表为X,Y坐标。
EMLSI建议使用键合线对芯片的背面到Vss的焊盘,以提高抗噪声能力。
2
EM620FV16B系列
低功耗, 128Kx16 SRAM
功能特定网络阳离子
有3分类为EMLSI模具和晶片的产品,它们是C1和C2为模具和W1和W2进行晶片上。
每个裸片和晶圆支持专用的特点,并探讨其规格范围内的电气参数。以下是
简要信息用于芯片和晶圆分类。请参阅包装规格为更多的信息,但这些参数
不能保证在裸片和晶圆。
C1 LEVEL死亡或W1 LEVEL WAFER
直流参数是通过规范C1级芯片或W1级晶圆测量。直流参数在70℃下温测定
perature ,即要求
“热
DC排序“其他参数不做任何担保,包括保证设备的可靠性。请参考
以鉴定报告设备的可靠性和封装级数据表的电气参数。
C2级死亡或W2 LEVEL WAFER
直流参数和选择的AC参数测量的C2级芯片或W2级硅片。 C2的DC特性
模具和W2的晶片是基于C1级芯片和W1级硅片的DC规格测试。 DC和指定的AC参数
在70℃的温度,这被称为测试
“热
DC &交流选择性排序“ 。其他参数不做任何担保,保证
包括设备的可靠性。请参考资格报告设备的可靠性和封装级数据表的电气参
ETERS 。
C2级芯片和W2级晶圆探针下的交流参数。
tRC的, TAA ,控烟
TWC , TCW
包装
个人设备将被包装在防静电托盘。
芯片托盘:用于模具2英寸方形华夫式的运营商为每个模具分格。通常被称为一个饼
包装,每个托盘都有选择的设备的腔体大小,可轻松装卸,防止
旋转。本身是由导电材料制成的托盘,以减少损伤的危险,从静电模
放电。该芯片载体将标有以下信息:
EMLSI晶圆批号
EMLSI部件号
QUANTITY
罐包装:罐包装是由EMLSI制作和使用,我们提供了所需的裸片晶圆众多的客户。该组是
包括清洁纸来包装片和海绵几乎脆弱的塑料盒之间的晶片,高缓冲海绵。每
包通常有24片,然后几个包放入较大​​盒子取决于晶圆的数量。
焊盘# 1顶部
在芯片载体芯片的方向
存储和处理
EMLSI建议存储在与过滤的氮气的受控环境中的管芯。运营商必须在开ESD安全
环境时,检验和装配。
3
EM620FV16B系列
低功耗, 128Kx16 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.2〜 4.0V
-0.2〜 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。功能能操作
ATION应限制在推荐的工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
功能说明
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
8-15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注:X表示不关心。 (必须是低或高的状态)
4
EM620FV16B系列
低功耗, 128Kx16 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
TA = -40 〜85
o
C,另有规定
过冲: V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲:如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试
.
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25
o
C)
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样,而不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS1=V
IH
或CS2 = V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安, CS1 = V
IL
, CS2 = WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间, 100 %的关税,我
IO
=0mA,
CS1<0.2V , LB<0.2V或/和UB<0.2V , CS2>V
CC
-0.2V,
V
IN
<0.2V或V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小,我
IO
= 0毫安, 100 %的关税,
CS1=V
IL
, CS2 = V
IH ,
LB = V
IL
或/和UB = V
白细胞介素,
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS1=V
IH
, CS2 = V
IL
,其它输入= V
IH
或V
IL
CS1>V
CC
-0.2V , CS2>V
CC
-0.2V ( CS1控制)
或0V<CS2<0.2V (CS2控制) ,
其他输入= 0 〜V
CC
(典型值条件:V
CC
=3.3V @ 25
o
C)
(最大条件:V
CC
=3.6V @ 85
o
C)
测试条件
-1
-1
-
-
45ns
55ns
70ns
-
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
3
3
35
30
25
0.4
-
0.3
单位
uA
uA
mA
mA
mA
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
V
V
mA
待机电流( CMOS )
I
SB1
LF
-
1
1)
10
uA
笔记
1.典型值是在Vcc = 3.3V ,T测
A
=
25
o
C和不是100 %测试。
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