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S82J-02512D  S82J-15005E  S82J-02505N  S82J-02524A  S82J-10012D  S82J-10005  S82J-10015A  S82J-10012B  S82J-10015B  S82J-02505A  
GB-IR333C31C 高功率解决方案,红外发光二极管 (high power solution infrared emitting diodes)
.型号:   GB-IR333C31C
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描述: 高功率解决方案,红外发光二极管
high power solution infrared emitting diodes
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环球技术组件
描述:
该IR333系列高功率解决方案,红外发光二极管封装在蓝色
透明或无色透明的塑料封装。
这些产品具有高的辐射强度,并适用于脉冲应用。
GB- IR333系列
红外发光二极管
(5mm)
包装尺寸
单位:mm
TOL : +/- 0.2毫米
5.9
φ5.0
8.6
绝对最大额定值( TA = 25℃ )
最大
参数
5 VOLT
反向电压
100µA
反向电流(VR = 5V )
35mA
连续正向电流
100mA
峰值正向电流(1-10占空比, 0.1ms的脉冲宽度)
-40
o
C至+ 85
o
C
工作温度范围
-55
o
C至+100
o
C
存储温度范围
o
引线焊接温度1.6mm ( 0.06" )从体内260℃ ,持续5秒
注:1.所有尺寸以毫米为单位。
2.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
下凸缘3. Protuded树脂为1.5mm ( 0.059" )最大。
o
1.0最大。
1.0
25.4 MIN 。
0.5
1.0
2.54
PART NO 。选择和应用信息(额定值在25℃环境温度)
芯片
产品型号
材料
铝镓砷
铝镓砷
铝镓砷
铝镓砷
铝镓砷
铝镓砷
铝镓砷
铝镓砷
铝镓砷
镜头
颜色
PEAK
光谱
WAVE
LINE
动力
长半宽耗散
λp
(纳米)
∆λ
(纳米)
P
D
( mW)的
940
940
940
880
880
880
850
850
850
60
60
60
70
70
70
60
60
60
95
95
95
95
95
95
95
95
95
前锋
电压
VF ( V)
最小最大
1.2
1.2
1.2
1.3
1.3
1.3
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.6
1.6
1.6
1.8
1.8
1.8
20
20
20
20
20
20
20
20
20
终奌站
发光的
评说。电容强度
C
t
(PF )
如果(毫安) 。
IE浏览器(毫瓦/ SR)
典型值。
20
20
20
20
20
20
20
20
20
15.0
10.0
4.0
17.7
11.8
5.0
15
10.0
5.0
典型值。
30.0
20.0
9.0
30.8
20.5
10.0
37.5
25.0
12.0
典型
VIEWING
1/2
(度)
20
30
50
20
30
50
20
30
50
o
GB-IR333A21C
GB-IR333A21BT
GB-IR333A31C
GB-IR333A31BT
GB-IR333A51C
GB-IR333A51BT
GB-IR333B21C
GB-IR333B21BT
GB-IR333B31C
GB-IR333B31BT
GB-IR333B51C
GB-IR333B51BT
GB-IR333C21C
GB-IR333C21BT
GB-IR333C31C
GB-IR333C31BT
GB-IR333C51C
GB-IR333C51BT
( W.C. =无色透明)
(柯氏=蓝色透明)
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
W.C.
柯氏
测试条件为每个参数:
参数
正向电压
峰值发射波长
谱线半宽
反向电流
辐射强度
终端电容
视角
符号
Vf
λρ
∆λ
Ir
Ie
C
t
1/2
单位
V
nm
nm
mA
毫瓦/ SR
pF
0.5
0.3
0.1
0
o
10
o
20
o
30
o
测试条件
If=20mA
If=20mA
If=20mA
Vr=5V
If=20mA
f=1MHz
1.0
0.9
0.8
40
o
50
o
60
o
0.7
70
o
80
o
90
o
0.2
0.4
0.6
空间分布
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