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DL-5328-1625-VFS  DL-5328-1625-XFS  DL-5328-1625-VTS  DL-5328-1625-VSS  Q62703-Q3226  DL-5328-1625-HTS  DL-5328-1625-VLS  
V53C1256162VBUT8PC 的256Mbit移动SDRAM 2.5伏FBGA封装16M ×16 (256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16)
.型号:   V53C1256162VBUT8PC
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描述: 的256Mbit移动SDRAM 2.5伏FBGA封装16M ×16
256Mbit MOBILE SDRAM 2.5 VOLT FBGA PACKAGE 16M X 16
文件大小 :   561 K    
页数 : 46 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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100%
V55C2256164VB
的256Mbit移动SDRAM
2.5 VOLT FBGA封装16M ×16
7
系统频率(F
CK
)
时钟周期时间(T
CK3
)
时钟存取时间(t
AC3
) CAS延时= 3
时钟存取时间(t
AC2
) CAS延时= 2
时钟存取时间(t
AC1
) CAS延时= 1
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
6纳秒
19纳秒
8PC
125兆赫
8纳秒
6纳秒
6纳秒
19纳秒
10
100MHz
10纳秒
7纳秒
8纳秒
22纳秒
特点
4银行X的4Mbit ×16组织
高速数据传输速率高达143 MHz的
全同步动态RAM ,所有的信号
参考时钟的上升沿
单脉冲RAS接口
数据掩码为读/写控制
由BA0 & BA1控制四家银行
可编程CAS延时: 1 , 2 , 3
可编程的缠绕顺序:顺序​​或
交错
可编程突发长度:
1 , 2 , 4 , 8 ,整版的顺序类型
1,2, 4,8为交错型
多个突发读取与单写操作
自动和控制预充电命令
随机列地址每CLK ( 1 -N规则)
掉电模式和时钟挂起模式
深度掉电模式
自动刷新和自刷新
刷新间隔: 8192次/ 64毫秒
可在54球FBGA封装,具有9x6球阵列
3 depupulated行, 13x8毫米, 54引脚
TSOP II
VDD = 2.5V , VDDQ = 1.8V
通过标准杆可编程功耗降低特性
在自刷新TiAl基阵列激活
工作温度范围
商业(
0℃至70 ℃)
产业
( -40 ° C至+ 85°C )
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
包装外形
C / T
访问时间(纳秒)
7
8PC
10
温度
标志
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EXTENDED
V55C2256164VB 1.0版2005年4月
1
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