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描述:
NDN1-WH  PYB20  MQ100  PJ-036BH-SMT  PJ-006B-SMT  MDL-1-R  TCF100RN  SIA483DJ  SJ-3505  TCF35RN  
2SA1376U 晶体管| BJT | PNP | 180V V( BR ) CEO | 100MA I(C ) | TO- 92 (TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 )
.型号:   2SA1376U
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描述: 晶体管| BJT | PNP | 180V V( BR ) CEO | 100MA I(C ) | TO- 92
TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
文件大小 :   107 K    
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100%
数据表
硅晶体管
2SA1376 , 1376A
PNP硅外延晶体管
用于高电压放大器
特点
•高电压
V
首席执行官
:
−180
V /
−200
V
(2SA1376/2SA1376A)
•优秀ħ
FE
线性
•在小尺寸高总功耗:
P
T
: 0.75 W
•与2SC3478和2SC3478A互补晶体管
封装图(单位:mm )
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
2SA1376/2SA1376A
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
*
P
T
T
j
T
英镑
评级
−200
−180/−200
−5
−100
−200
0.75
150
−55
+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
* PW
10毫秒,占空比
50%
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
DC基极电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
输出电容
增益带宽积
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
**
h
FE2
**
V
BE
**
V
CE ( SAT )
**
V
BE ( SAT )
**
C
ob
f
T
t
on
t
关闭
条件
V
CB
=
−200
V,I
E
= 0
V
EB
=
−5
V,I
C
= 0
V
CE
=
−10
V,I
C
=
−10
mA
V
CE
=
−10
V,I
C
=
−100
mA
V
CE
=
−10
V,I
C
=
−10
mA
I
C
=
−50
妈,我
B
=
−5
mA
I
C
=
−50
妈,我
B
=
−5
mA
V
CB
=
−30
V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CE
=
−10
V,I
E
= 10毫安
I
C
=
−10
妈,我
B1
=
−I
B2
=
−1
毫安,
V
CC
= –10 V
80
135
81
−600
分钟。
2SA1376/2SA1376A
典型值。
马克斯。
−100
−100
300/200
−650
−0.2
−0.8
3.5
120
0.16
1.5
600/400
−700
−0.3
−1.2
4.0
单位
nA
nA
mV
V
V
pF
兆赫
µ
s
µ
s
**脉冲测试PW
350
µ
S,占空比
每脉冲2 %
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文档编号D16194EJ1V0DS00
发布日期2002年4月ñ CP ( K)
日本印刷
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