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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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| NDN1-WH PYB20 MQ100 PJ-036BH-SMT PJ-006B-SMT MDL-1-R TCF100RN SIA483DJ SJ-3505 TCF35RN | ||||||||||
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 数据表 硅晶体管 2SA1376 ， 1376A PNP硅外延晶体管 用于高电压放大器 特点 •高电压 V 首席执行官 : −180 V / −200 V (2SA1376/2SA1376A) •优秀ħ FE 线性 •在小尺寸高总功耗： P T : 0.75 W •与2SC3478和2SC3478A互补晶体管 封装图（单位：mm ） 绝对最大额定值（Ta = 25 ° C） ° 2SA1376/2SA1376A 参数 集电极 - 基极电压 集电极到发射极电压 发射器基极电压 集电极电流（ DC ） 集电极电流（脉冲） 总功耗 结温 储存温度 符号 V CBO V 首席执行官 V EBO I C（ DC ） I C（脉冲） * P T T j T 英镑 评级 −200 −180/−200 −5 −100 −200 0.75 150 −55 +150 单位 V V V mA mA W °C °C * PW ≤ 10毫秒，占空比 ≤ 50% 电气特性（Ta = 25 ° C） ° 参数 收藏家Cuto FF电流 发射Cuto FF电流 直流电流增益 直流电流增益 DC基极电压 集电极饱和电压 基本饱和电压 输出电容 增益带宽积 开启时间 打开-O FF时间 符号 I CBO I EBO h FE1 ** h FE2 ** V BE ** V CE （ SAT ） ** V BE （ SAT ） ** C ob f T t on t 关闭 条件 V CB = −200 V，I E = 0 V EB = −5 V，I C = 0 V CE = −10 V，I C = −10 mA V CE = −10 V，I C = −100 mA V CE = −10 V，I C = −10 mA I C = −50 妈，我 B = −5 mA I C = −50 妈，我 B = −5 mA V CB = −30 V，I E = 0中，f = 1.0兆赫 V CE = −10 V，I E = 10毫安 I C = −10 妈，我 B1 = −I B2 = −1 毫安， V CC = –10 V 80 135 81 −600 分钟。 2SA1376/2SA1376A 典型值。 马克斯。 −100 −100 300/200 −650 −0.2 −0.8 3.5 120 0.16 1.5 600/400 −700 −0.3 −1.2 4.0 单位 nA nA − − mV V V pF 兆赫 µ s µ s **脉冲测试PW ≤ 350 µ S，占空比 ≤ 每脉冲2 ％ 本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前 证实，这是最新版本。 不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查 供应及其他信息。 文档编号D16194EJ1V0DS00 发布日期2002年4月ñ CP （ K） 日本印刷 © 2002 1998
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