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动力F- MOS场效应管
2SK2127
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证: EAS > 130mJ
q
V
GSS
= ± 30V保证
q
高速开关:吨
f
= 60ns的
q
无二次击穿
单位:mm
4.6±0.2
φ3.2±0.1
9.9±0.3
2.9±0.2
s
应用
4.1±0.2 8.0±0.2
浸焊
13.7
–0.2
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路,一个马达
q
控制设备
q
开关电源
15.0±0.3
3.0±0.2
+0.5
1.2±0.15
1.45±0.15
0.75±0.1
2.54±0.2
5.08±0.4
2.6±0.1
0.7±0.1
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
500
±30
±8
±16
130
50
2
150
−55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
7
1 2 3
1 :门
2 :排水
3 :源
TO- 220E包
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 5mH ,我
L
= 7.3A ,V
DD
= 50V , 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D(上)
t
r
t
f
t
D(关闭)
R
TH( CH-C )
V
GS
= 10V ,我
D
= 4A
V
DD
= 150V ,R
L
= 37.5Ω
条件
V
DS
= 400V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 25V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 4A
V
DS
= 25V ,我
D
= 4A
I
DR
= 8A ,V
GS
= 0
1200
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
160
70
30
70
60
140
2.5
3
500
2
0.7
5
−1.6
5
1
典型值
最大
0.1
±1
单位
mA
µA
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间(延迟时间)
上升时间
下降时间
关断时间(延迟时间)
通道与外壳之间的热阻
1
动力F- MOS场效应管
安全操作区( ASO )
100
60
2SK2127
P
D
Ta
雪崩能量容量EAS (兆焦耳)
允许功耗P
D
(W)
(1) T
C
= TA
(2)不带散热片
(P
D
=2W)
240
V
DD
=50V
I
D
=7A
200
EAS
T
j
非重复脉冲
T
C
=25˚C
I
DP
t=100µs
50
漏电流I
D
(A)
10 I
D
40
(1)
30
160
1
1ms
10ms
DC
120
20
80
0.1
10
(2)
40
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
25
50
75
100
125
150
175
漏极至源极电压V
DS
(V)
环境温度Ta (C )
结温度T
j
(˚C)
I
D
V
DS
16
T
C
=25˚C
14 V
GS
=15V
10V
8
12
10
8
6
4
5V
2
0
0
10
20
30
40
50W
4V
50
60
0
0
2
5.5V
7V
6V
10
I
D
V
GS
6
V
DS
=25V
T
C
=0˚C
25˚C
150˚C
100˚C
V
th
T
C
V
DS
=25V
I
D
=1mA
5
栅极阈值电压V
th
(V)
10
12
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
4
6
3
4
2
2
1
0
4
6
8
0
25
50
75
100
125
150
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
案例温度T
C
(˚C)
V
DS
V
GS
漏源导通电阻R
DS ( ON)
(
)
40
T
C
=25˚C
2.4
R
DS ( ON)
I
D
6
| Y
fs
|
I
D
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
V
GS
=10V
V
DS
=25V
T
C
=25˚C
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
2.0
30
1.6
T
C
=150˚C
1.2
100˚C
4
20
3
I
D
=14A
10
1.75A
0.8
25˚C
0˚C
2
7A
3.5A
5
10
15
20
25
30
0.4
1
0
0
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
2
动力F- MOS场效应管
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
输入电容(共源) ,输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
(PF )
10000
f=1MHz
T
C
=25˚C
2SK2127
V
DS
, V
GS
Q
g
400
16
14
12
V
DS
10
8
6
4
2
0
60
300
I
D
=8A
T
C
=25˚C
t
D(上)
, t
r
, t
f
, t
D(关闭)
I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25˚C
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
20
30
40
开关时间t
D(上)
,t
r
,t
f
,t
D(关闭)
(纳秒)
C
国际空间站
250
1000
200
100
C
OSS
C
RSS
150
t
D(上)
100
t
f
t
r
50
t
D(关闭)
V
GS
10
1
0
50
100
150
200
0
0
2
4
6
8
10
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷量Q
g
( NC )
漏电流I
D
(A)
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600NA I(DSS) | SPAK
35 ETC

2SK212D

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SPAK
47 ETC

2SK212E

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | SPAK
51 ETC

2SK212F

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SPAK
43 ETC