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2SK1980  ( )
.型号:   2SK1980
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100%
动力F- MOS场效应管
2SK1980
硅N沟道功率的F- MOS FET
s
特点
q
雪崩能量容量保证: EAS > 15mJ
q
V
GSS
= ± 30V保证
q
高速开关:吨
f
= 25ns的
q
无二次击穿
单位:mm
8.5±0.2
6.0±0.5
3.4±0.3
1.0±0.1
s
应用
q
非接触式继电器
q
潜水电路为一个螺线管
q
驱动电路,一个马达
q
控制设备
q
开关电源
10.0±0.3
1.5±0.1
1.5max.
10.5min.
2.0
1.1max.
0.8±0.1
0.5max.
s
绝对最大额定值
(T
C
= 25°C)
2.54±0.3
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
*
P
D
T
ch
T
英镑
评级
800
±30
±2
±4
15
40
1.3
150
−55
+150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
°C
5.08±0.5
1
2
3
1 :门
2 :排水
3 :源
N型套餐
雪崩能量容量
允许功率
耗散
通道温度
储存温度
*
T
C
= 25°C
TA = 25°C
L = 5mH ,我
L
= 2.45A ,V
DD
= 50V , 1个脉冲
s
电气特性
(T
C
= 25°C)
参数
漏极到源极截止电流
门源漏电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS ( ON)
| Y
fs
|
V
DSF
C
OSS
t
D(上)
t
r
t
f
t
D(关闭)
R
TH( CH-C )
V
GS
= 10V ,我
D
= 1A
V
DD
= 200V ,R
L
= 200Ω
条件
V
DS
= 640V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 25V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 1A
V
DS
= 25V ,我
D
= 1A
I
DR
= 2A ,V
GS
= 0
350
V
DS
= 20V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
60
25
15
20
25
60
3.125
0.7
800
2
4.8
1.1
−1.3
5
7
典型值
最大
0.1
±1
单位
mA
µA
V
V
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
° C / W
输入电容(共源)C
国际空间站
输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
RSS
开启时间
上升时间
下降时间
关断时间(延迟时间)
通道与外壳之间的热阻
1
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