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2SK1980  ( )
.型号:   2SK1980
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文件大小 :   46 K    
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100%
动力F- MOS场效应管
安全操作区( ASO )
100
30
10
I
DP
3 I
D
1
0.3
1ms
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
10ms
100ms
DC
t=100µs
50
2SK1980
P
D
Ta
25
EAS
T
j
雪崩能量容量EAS (兆焦耳)
V
DD
=50V
I
D
=2A
20
允许功耗P
D
(W)
非重复脉冲
T
C
=25˚C
(1) T
C
= TA
(2)不带散热片
(P
D
=1.3W)
40
漏电流I
D
(A)
30
(1)
15
20
10
10
(2)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
5
0
25
50
75
100
125
150
漏极至源极电压V
DS
(V)
环境温度Ta (C )
结温度T
j
(˚C)
I
D
V
DS
3.0
T
C
=25˚C
V
GS
=15V
2.5
10V
2.0
2.5
I
D
V
GS
漏源导通电阻R
DS ( ON)
(
)
12
R
DS ( ON)
I
D
V
DS
=25V
T
C
=25˚C
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
T
C
=0˚C
25˚C
150˚C
100˚C
2.0
6.5V
8
1.5
1.5
6.0V
1.0
5.5V
0.5
40W
5.0V
6
V
GS
=10V
15V
1.0
4
0.5
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
| Y
fs
|
I
D
输入电容(共源) ,输出电容(共源)
反向传输电容(共源)C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
(PF )
2.4
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
120
V
DS
=25V
T
C
=25˚C
f=1MHz
T
C
=25˚C
t
D(上)
, t
r
, t
f
, t
D(关闭)
I
D
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25˚C
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
2.0
3000
1000
300
100
开关时间t
D(上)
,t
r
,t
f
,t
D(关闭)
(纳秒)
100
1.6
C
国际空间站
80
t
D(关闭)
1.2
60
C
OSS
30
10
3
1
0
50
100
150
200
C
RSS
0.8
40
t
f
20
t
r
t
D(上)
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏电流I
D
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
2
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