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SMDCHR1210-4R7  SMDCHR1210-68N  SMDCHR1008-3R3  SMDFS1008-3R9  SMD-FST  SMDCHR1008-R39  SMDCHR1008-27N  SMDCHR0805-R82  SMDCHR0805-R56  SMDCHR1008-1R5  
AO3401 30V P沟道增强型MOSFET (30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET)
.型号:   AO3401
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描述: 30V P沟道增强型MOSFET
30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
文件大小 :   288 K    
页数 : 3 页
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品牌   ETC [ ETC ]
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100%
AO3401
30V P沟道增强型MOSFET
V
DS
= -30V
R
DS ( ON)
, V
gs
@ -10V ,我
ds
@ -4.2A < 64米
R
DS ( ON)
, V
gs
@ -4.5V ,我
ds
@ -4.0A < 75米
R
DS ( ON)
, V
gs
@ -2.5V ,我
ds
@ -1.0A < 120MΩ
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
包装尺寸
D
SOT-23-3L
G
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.65
2.95
1.50
1.70
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
S
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
10°
最大额定值和热特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
符号
极限
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
TA = 25
o
C
o
-30
±12
-4.2
-30
1.4
1
-55到150
125
o
V
A
最大功率耗散
工作结存储温度范围
结至环境热阻(PCB安装)
TA = 75℃
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
W
o
C
C / W
-1-
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