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CS2A100MC  OC-32  CS2843ALN8  OC-32-2548T  CS2A100KC  OC-32A-20AT  OC-32-10048T  OC-32A-10027T  OC-32A-30AT  OC-32A-10048T  
DX431  (硅双极模式静电感应晶体管)
.型号:   DX431
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硅双极模式静电感应晶体管
文件大小 :   216 K    
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100%
F
硅双极模式静电感应晶�½�管。SIT)
简介 z
静电感应晶�½�管 srT二是 70 年代在日本研制成功的,它是一种垂直沟道结型场控器件。机
电部 13所从73年开始研究SIT 。�½�结型SIT相邻的两栅之间发生�½�½层穿通,自建电势�½�成
的沟道势垒足够高,即�½�在一定的漏压下,只要栅源闻电压为零,泊 j草势垒也�½阻止电子从
源可蔚为在动,于是�½�筑了常关型 S I.T 。常关 ~SIT 在正班压下寻通就可戎了以双极模式.工
�½�的 j~~r 屯 j毒 j豆晶�½�管,即 BSIT 。该器件:在,小毡流时属电压控制,其hfs 成百上千,在大电混
时是电流控制,其输出特性与双极品�½�管棍'友,�½�正栅压大于 ).6v 时,由于沟道及整个外延
层有源还存在电导调制效应,�½�沟迄�½½流子浓度远远高于沟道外延材料的浓度,故沟道电阻
变小,沟道电流密度可以很大,器件的饱和压降很�½� CO.3v左右〉。电子从源到瀚的通路上不
存在 P-N结,故无二次击�½。 BSIT的特冻设计与持有的导电机理�½�之兼有场控器件关态耐
压高,开关速度快,无二次击穿,大电流下电流温度系数为负,可以多跑并联�½�用"以及双
.极~器件饱和压降�½�,导通电阻小的特点 υ 从 89 年开始,讥电部 13所己研制成功 600-8 l1 0v
1A 、 2A、 4A、 5A、 10ABSIT系列器件,还�½�出 700v 、 50A达林顿 BSIT 和20)v, 20A 高速
BSIT 。
�½�为功率开关器件, BSrT 在 3oK-5COKHZ 频段内其性�½价格比优于 BJT 与 VDhjos ,
可以广泛用于镇流器,开关屯源,超声波发生器,电 HL调速和�½�½�主子部件等。
1.
BSIT 系列器件主要参数及性�½规范
�½�
二--
J
DX411B
DX411C
DX412B
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DX4J2E
DX421
DX431
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二三 500
>500
>500
>500
>600
>.150
二三 600
高速BSIT
DX0031
达怵顿
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二三4
二三4
>200
.. >700
QF61金
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4-1封
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