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IXTP2N100 晶体管| MOSFET | N沟道| 1KV V( BR ) DSS | 2A I( D) | TO- 220AB (TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB )
.型号:   IXTP2N100
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描述: 晶体管| MOSFET | N沟道| 1KV V( BR ) DSS | 2A I( D) | TO- 220AB
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
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100%
高压
MOSFET
N沟道增强模式
IXTA 2N100
IXTP 2N100
V
DSS
= 1000 V
I
D25
=2A
R
DS ( ON)
= 7
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃; ř
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
2
8
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
°C
TO- 220AB ( IXTP )
GD
S
D( TAB )
TO- 263 AA ( IXTA )
G
S
D( TAB )
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
4
300
g
°C
G =门,
S =源,
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
D =排水,
TAB =漏
特点
Ÿ
Ÿ
Ÿ
Ÿ
国际标准封装
低R
DS ( ON)
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感( < 5 NH)
- 易于驾驶和保护
Ÿ
快速开关时间
应用
Ÿ
开关模式和谐振模
电源
Ÿ
反激式转换器
Ÿ
直流斩波器
优势
Ÿ
节省空间
Ÿ
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
1000
2
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
1
7.0
V
V
nA
µA
mA
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
µA
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 • V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
µs,
占空比ð
2 %
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
97540A(5/98)
版权所有©2000 IXYS所有权利。
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