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S8550 免费为S8050 (Complimentary to S8050)
.型号:   S8550
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描述: 免费为S8050
Complimentary to S8050
文件大小 :   555 K    
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100%
S8 550
晶体管( PNP )
特点
免费为S8050
集电极电流:I
C
=0.5A
标记:
2TY
1.基地
2.辐射源
3.收集
SOT-23
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-40
-25
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
CE
= -1V ,我
C
= -500mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -20mA
150
50
-0.6
-1.2
V
V
兆赫
TEST
条件
I
E
=0
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
120
400
最大
单位
V
V
V
I
C
= -100
μ
A,
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100
μ
A,I
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
EB
= -3V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
= -50mA
μ
A
μ
A
f
T
h
FE(1)
L
120-200
f=
30MHz
分类
范围
H
200-350
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05
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