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CMT09N20
P
OWER
MOSFET
概述
这是功率MOSFET专为低电压,高
高速功率开关应用,如开关
稳压器,转换器,电磁阀和继电器驱动器。
特点
!
!
!
!
!
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
引脚配置
TO-220
符号
D
顶视图
摹吃
SO URCE
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
CMT09N20N220
TO-220
绝对最大额定值
等级
漏电流
连续
脉冲(注1 )
栅极 - 源极电压
CONTINUE
总功耗
减免上述25 °
单脉冲雪崩能量(注2 )
雪崩电流(注1 )
重复性雪崩能量(注1 )
峰值二极管恢复的dv / dt
工作和存储温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
最大的铅焊接温度的目的, 1/8“案件从10秒
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
, T
英镑
θ
JC
θ
JA
T
L
符号
I
D
I
DM
V
GS
P
D
价值
9.0
36
±20
74
0.59
56
9.0
7.4
5.0
-55到150
1.70
62
300
V
W
W/℃
mJ
A
mJ
V / ns的
℃/W
单位
A
2002/09/17
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CMT09N20
P
OWER
MOSFET
电气特性
除非另有规定,T
J
= 25℃.
CMT09N20
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 200V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 160V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125℃)
门源漏电流,正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流,反向
(V
GSR
= -20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA)
静态漏源导通电阻(V
GS
= 10 V,I
D
= 5.4A ) (注4 )
正向跨导(V
DS
= 50V ,我
D
= 5.4 A) (注4 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 160V ,我
D
= 5.9A
V
GS
= 10 V ) (注4 )
(V
DD
= 100 V,I
D
= 5.9 A,
R
G
= 12Ω, R
D
= 16Ω ) (注4 )
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫)
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
25
250
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
4.5
7.5
3.8
800
240
76
9.4
28
39
20
43
7.0
23
2.0
100
-100
4.0
0.40
nA
nA
V
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
200
典型值
最大
单位
V
μA
内部排水电感
(从漏测铅0.25“从包到模具的中心)
内部排水电感
(测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘)
源极 - 漏极二极管的特性
反向恢复电荷
向前开启时间
反向恢复时间
二极管的正向电压
I
F
= 5.9A ,的di / dt = 100A / μs的,T
J
= 25℃
(注4 )
I
S
= 9.0A ,V
GS
= 0 V ,T
J
= 25 ℃ (注4 )
Q
rr
t
on
t
rr
V
SD
1.1
**
170
2.2
340
1.5
µC
ns
V
( 1 )重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温
(2) V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ,起始物为
J
= 25 ℃ , L = 1.38mH ,R
G
= 25Ω, I
AS
= 9.0A
(3) I
SD
9.0A , di / dt的
120A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
150℃
( 4 )脉冲测试:脉冲宽度
≦300µs,
占空比
≦2%
**忽略不计,占主导地位的电路中电感
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典型电气特性
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