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XO61ETFHNA12M288  XO63CTEH6040M  XO61ETFHNA4M  XO62CTFHNA4M  XO62DTEHNA4M  XO62CTEHNA40M  XO62ETEHNA12M288  XO62ETEH604M  XO62ETEA604M  XO62ERFHNA4M  
TS64MVSSFDC 64MB SmartMediaCard (64MB SmartMediaCard)
.型号:   TS64MVSSFDC
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描述: 64MB SmartMediaCard
64MB SmartMediaCard
文件大小 :   63 K    
页数 : 3 页
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TS64MVSSFDC
描述
该TS64MVSSFDC是64M ( 67,108,864 ) x8bit
NAND
FL灰
内存
a
备用
2048K ( 2,097,152 ) x8bit 。它的NAND单元提供
对于固态最具成本效益的解决方案
海量存储市场。程序运行
节目一般为200us的528字节的页,
擦除操作可在通常进行
一个16K字节的块为2ms 。在页面的数据可以
可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O
引脚作为地址和数据端口
输入/输出以及命令输入。该
片上写控制器自动完成所有程序,并
擦除功能,包括脉冲重复,在那里
要求和内部验证和数据的裕度。
即使是写密集型系统可以
优势的TS64MVSSFDC的扩展
1,000,000编程/擦除周期由可靠性
无论是提供ECC (纠错码)或
时间
映射出
算法。
TS64MVSSFDC是对于大型的最佳解决方案
非易失性存储器的应用,如固态
文件存储,数码录音笔,数码
相机和其他需要便携式应用
非易失性。
64MB SmartMediaCard
特点
! "
单2.7V 〜 3.6V电源
! "
组织
存储单元阵列: ( 64M + 2048K ) bitx8bit
数据寄存器: ( 512 + 16 )位x8bit
! "
自动编程和擦除
页编程: ( 512 + 16 )字节
块擦除: ( 16K + 512 )字节
! "
528字节页读操作
随机存取:为10μs (最大)
串行页访问: 50ns的(最小)。
! "
快速写周期时间
节目时间: 200us的(典型值)。
块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
! "
命令/地址/数据多路复用I / O端口
! "
硬件数据保护
编程/擦除锁定在电源
TRANSITIONS
! "
可靠的CMOS浮栅技术
耐力: 1M编程/擦除周期
数据保存期:10年
! "
命令寄存器操作
! "
22 PAD SmartMedia卡
TM
( SSFDC )
PIN码识别
符号
I/O0~I/O7
CLE
ALE
/ CE
/ RE
/ WE
/ WP
GND
R'' B
VCC
VSS
N.C
功能
数据输入/输出
命令锁存使能
地址锁存使能
芯片使能
读使能
写使能
写保护
READY / BUSY输出
Power(2.7~3.6V)
无连接
SmartMedia卡
TM
CARD ( SSFDC )
22的Vcc
21 / CE
20 / RE
19 R // B
18 GND
17 VCC
16个I / O7
15 I / O6
14 I / O5
13个I / O4
12 VCC
1
2
3
4
5
VSS
CLE
ALE
/ WE
/ WP
6 I / O0
7 I / O1
8个I / O 2
9 -I / O3
10 VSS
11 Vss的
22 PAD SmartMedia卡
TM
创见资讯公司
1
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