Intel 18A工艺细节曝光，英特尔这次稳了？

2025年VLSI研讨会即将成为英特尔展示其尖端Intel 18A（1.8nm）制程技术的重要舞台。作为英特尔首个采用环绕栅极（GAA）RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电网络（BSPDN）的节点，Intel 18A在性能、功耗和面积（PPA）方面相较Intel 3（7nm）实现了质的飞跃，为客户端和数据中心芯片带来显著优势。

PPA全面提升：性能提升25%，功耗降低36%

根据英特尔官方数据，Intel 18A在相同电压（1.1V）和复杂度下，性能较Intel 3提升25%；在相同频率和1.1V电压下，功耗降低36%。而在低电压（0.75V）场景下，性能仍提升18%，功耗进一步降低38%。此外，得益于更先进的晶体管架构，Intel 18A的面积缩小率稳定达到0.72倍，这意味着芯片可在更小的空间内集成更多晶体管，提升整体能效比。

RibbonFET+GAA+BSPDN：三大技术协同优化

Intel 18A的成功离不开三大关键技术突破：

1.RibbonFET晶体管：取代传统FinFET，提供更好的栅极控制能力，减少漏电并提升开关效率。

2.PowerVia背面供电：将电源布线从芯片正面移至背面，释放更多信号布线空间，优化布局密度。

3.单元高度缩减：高性能库单元高度从240CH降至180CH，高密度库从210CH降至160CH，垂直尺寸减少约25%，显著提升晶体管密度。

这些改进不仅提升了单位面积性能，还使得芯片设计更加紧凑，适用于高性能计算（HPC）、AI加速器和移动设备等多种应用场景。

量产计划：Panther Lake与Clearwater Forest率先采用

英特尔计划于2025年下半年量产客户端处理器“Panther Lake”的计算芯片，并于2026年初推出基于Intel 18A的数据中心芯片“Clearwater Forest”。此外，首批第三方设计的18A芯片预计在2025年年中完成流片，标志着英特尔代工业务（IFS）的重要里程碑。

行业合作：苹果、英伟达等巨头参与验证

值得注意的是，英特尔将与Alphawave Semi、苹果和英伟达的工程师共同发表一篇关于Intel 18A制程PAM-4发射器的论文。尽管这并不直接表明苹果或英伟达会采用该工艺量产芯片，但至少证明行业巨头对Intel 18A的兴趣。

相比之下，台积电的N2（2nm）工艺预计将获得更广泛的应用，但英特尔仍需证明18A的量产可行性和竞争力。若成功，Intel 18A将成为英特尔重返半导体制造领先地位的关键一步，并为未来的代工业务奠定坚实基础。

Intel 18A能否重塑行业格局？

Intel 18A的PPA优势、技术创新及行业合作，使其成为英特尔制程技术的重要转折点。随着Panther Lake和Clearwater Forest的量产，以及第三方客户的逐步引入，英特尔有望在先进制程竞赛中重新夺回话语权。2025年的VLSI研讨会，或许正是这场反击战的起点。