全球首颗 DKV56 芯片问世，德氪微推动功率器件驱动系统革新

今天，德氪微电子正式发布了具有里程碑意义的全球首颗超高耐压毫米波隔离驱动芯片 ——DKV56 系列。这一芯片的诞生，标志着德氪微在电子芯片领域取得了重大突破。

作为新一代高性能隔离式 IGBT、MOSFET、SiC 栅极驱动芯片，DKV56 系列集成了德氪微自主研发的 MillConnex® 毫米波无线隔离技术。该技术使得芯片在 “高耐压、高 CMTI、高集成、低延时” 四个关键指标上实现了显著突破。在 AI 数据中心、工业自动化、新能源与储能系统、新能源汽车、电力电子及高性能电机控制等众多领域，DKV56 系列芯片能够为其带来更安全、更高效的电源系统解决方案。目前，该芯片已顺利进入量产阶段，将为市场带来新的活力。

相较传统的光耦、电容或磁变压器隔离方案相比，DKV56 系列采用了创新的毫米波隔离架构。这一架构成功解决了长期以来业界在高速传输与高耐压之间难以平衡的难题。在连续三个月的高压可靠性测试中，DKV56 系列芯片在 20kV 隔离耐压与 30kV 浪涌电压的设备测试极限环境下，保持了稳定运行且零失效的优异表现。其共模瞬态抗扰度（CMTI）>200kV/μs，进一步验证了芯片在极端工况下的稳定性和可靠性。此外，DKV56 系列传播延时仅 38ns，并集成了有源米勒钳位、软关断（STO）及短路钳位（ASC）等多项安全机制，显著提升了系统的响应速度与整体可靠性。

DKV56 系列支持 5 个档位的电流组合的分离输出能力，包括 2.5A 拉电流和 5A 灌电流，4A 拉电流和 6A 灌电流，10A 拉电流 / 灌电流，20A 拉电流 / 灌电流以及 30A 拉电流 / 灌电流。这种多样化的电流输出能力使得芯片能够高效驱动 SiC 等高性能器件，为系统带来更高的开关频率和更低的能耗。芯片内置实时故障检测与复位功能（FLT/RST），能在过流、欠压等异常情况下即时保护功率器件，简化了外围电路设计，降低了工程开发的难度与成本。同时，DKV56 系列可在 -40℃到 125℃的宽温度范围内正常工作，目前正在申请 VDE/UL/CQC 安规认证。凭借这些卓越的特性，DKV56 系列为功率半导体应用带来了更高的集成度与更优的系统性能。

据 Yole Intelligence 与 Omdia 最新报告显示，全球功率半导体市场规模已超过 300 亿美元，预计到 2028 年将保持 8–10% 的年复合增长率（CAGR），其中 SiC 与 GaN 驱动芯片增长最为迅速。顺应高频化、模块化的行业趋势，德氪微以毫米波无线隔离技术为核心的创新架构，正推动功率器件驱动系统进入全新阶段，为行业提供了全新的技术路径。

值得一提的是，2025 年以来，德氪微持续完善毫米波无线隔离系列产品布局。早在 9 月，德氪微就正式发布了全球首颗基于毫米波超短距离通信的数字隔离芯片，其隔离通信速率在超万伏耐压下，无损传输高达 5Gbps，掀起了隔离通信的又一次 “技术革命”。

目前，德氪微毫米波无线隔离芯片已通过多家产业链头部企业测试验证，正加速进入规模化量产阶段。DKV56 芯片的发布，不仅展示了德氪微强大的研发实力和创新能力，也为电子行业的发展注入了新的动力。随着该芯片在市场上的广泛应用，有望推动相关领域的技术升级和产业发展。