| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 2N6181 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR | 获取价格 |
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| 2N6182 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON | 获取价格 |
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| 2N6182E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, | 获取价格 |
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| 2N6183 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON | 获取价格 |
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| 2N6183 | SSDI | Transistor | 获取价格 |
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| 2N6183E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, | 获取价格 |
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| 2N6184 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON | 获取价格 |
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| 2N6184 | SSDI | Transistor | 获取价格 |
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| 2N6185 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON | 获取价格 |
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| 2N6185 | SSDI | Transistor | 获取价格 |
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