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1N5402GP-BP-HF

更新时间：2025-07-03 13:01:53
品牌：MCC
描述：Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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1N5402GP-BP-HF 概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, 整流二极管

1N5402GP-BP-HF 规格参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.07
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：5 µA表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

1N5402GP-BP-HF 数据手册

通过下载1N5402GP-BP-HF数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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M C C  
1N5400  
THRU  
1N5408  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
·
Low Current Leakage  
3 Amp Rectifier  
50 - 1000 Volts  
Metalurgically Bonded Construction  
Low Forward Voltage  
High Current Capability  
Maximum Ratings  
DO-201AD  
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
400V  
500V  
600V  
800V  
1000V  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
1N5400  
1N5401  
1N5402  
1N5404  
1N5405  
1N5406  
1N5407  
1N5408  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
500V  
600V  
800V  
1000V  
A
Cathode  
Mark  
140V  
280V  
350V  
420V  
560V  
700V  
B
D
C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
3.0A  
TA = 105°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
200A  
8.3ms, half sine  
DIMENSIONS  
Maximum  
INCHES  
MIN  
---  
---  
.048  
1.000  
MM  
MIN  
---  
---  
1.20  
25.40  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
IR  
1.0V  
IFM = 3.0A;  
TJ = 25°C*  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.370  
.250  
.052  
---  
MAX  
9.50  
6.40  
1.30  
---  
NOTE  
5.0mA  
50mA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
40pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%  
www.mccsemi.com  
1N5400 thru 1N5408  
M C C  
Figure 1  
Typical Forward Characteristics  
20  
Figure 2  
10  
6
Forward Derating Curve  
3.0  
2.5  
2
4
2
1
.6  
.4  
Amps  
1.5  
1.0  
.5  
Amps  
.2  
25°C  
.1  
.06  
.04  
Single Phase, Half Wave  
60Hz Resistive or Inductive Load  
0
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
°C  
.02  
.01  
Average Forward Rectified Current - Amperesversus  
Ambient Temperature -°C  
.4  
.6  
1.4  
.8  
1.0  
1.2  
Volts  
Instantaneous Forward Current - Amperesversus  
Instantaneous Forward Voltage - Volts  
Figure 3  
Junction Capacitance  
100  
60  
40  
20  
TJ=25°C  
pF  
10  
6
4
2
1
400  
1000  
.1  
.2  
.4  
1
2
10 20  
200  
4
40  
100  
Volts  
Junction Capacitance - pFversus  
Reverse Voltage - Volts  
www.mccsemi.com  
1N5400 thru 1N5408  
M C C  
Figure 4  
Typical Reverse Characteristics  
Figure 5  
Peak Forward Surge Current  
100  
60  
300  
40  
250  
20  
200  
150  
100  
10  
6
Amps  
4
50  
0
2
1
80  
100  
1
60  
4
6
10 20  
40  
8
2
mAmps  
.6  
.4  
Cycles  
Peak Forward Surge Current - Amperesversus  
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles  
.2  
TA=25°C  
.1  
.06  
.04  
.02  
.01  
20  
40  
60  
80  
140  
100  
120  
Volts  
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperesversus  
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts  
www.mccsemi.com  

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