G3450V1EB1S

更新时间:2025-07-16 16:16:05
品牌:MICROSEMI
描述:Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

G3450V1EB1S 概述

Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, 桥式整流二极管

G3450V1EB1S 规格参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.84配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-X元件数量:6
相数:3封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

G3450V1EB1S 数据手册

通过下载G3450V1EB1S数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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