首页 > RTW20102JTE

RTW20102JTE

更新时间：2025-06-18 10:08:29

品牌：RALEC

描述：厚膜宽电极芯片电阻

PDF下载

中文翻译

免费 PCB/SMT

概述
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RTW20102JTE 概述

厚膜宽电极芯片电阻

RTW20102JTE 数据手册

通过下载RTW20102JTE数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

PDF下载

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

1 適用範圍:

1.1 本規範適用於RTW系列完全無鉛、無鹵素符合RoHS條款的寬電極厚膜晶片電阻器。

1.2 該產品應用於一般電子用途。

2 型別名稱:

(例)

RTW

100

型別

尺寸

電阻值

容差

包裝型式(請參閱 IE-SP-054)

EX. 10Ω=100

4.7Ω=4R7

(3-碼)

TP：4 mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs

P2：4 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs

P3：4 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs

P4：4 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs

TE：4 mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs.

05(0508)

06(0612)

18(1218)

JUMPER=000

D=± 0.5%

F=± 1%

J=± 5%

寬電極厚膜

晶片電阻器

20(1020) 0.5%

EX. 10.2Ω=10R2

10KΩ=1002

25(1225)

(4-碼)

JUMPER=0000

3 規格表:

JUMPER

(0Ω)

額定電流

JUMPER

(0Ω)

阻值

阻值範圍

額定

功率

70℃

最高

額定

電壓

最高

過負額

電壓

T.C.R

(ppm/℃)

溫度係數

型別

D(±0.5%)F(±1%)

J(±5%)

E-24、E-96

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

E-24

(±5%) (±1%) (±5%)

(±1%)

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

1Ω≦R＜10Ω

10Ω≦R≦1MΩ

-55℃ ~ +155℃

±200

±100

±200

±100

±200

±100

±200

±100

±200

±100

RTW05

(0508)

50mΩ

20mΩ

MAX.

150V

200V

250V

200V

400V

500V

400V

MAX.

RTW06

(0612)

50mΩ

MAX.

20mΩ

MAX.

RTW18

(1218)

50mΩ

MAX.

20mΩ

MAX.

RTW20

(1020)

50mΩ

MAX.

20mΩ

MAX.

RTW25

(1225)

50mΩ

MAX.

20mΩ

MAX.

8.5A

使用溫度範圍

備註

發行管制章 DATA Center.

制訂

審查

核准

會簽

非發行管制文件

自行注意版本更新

非經允許，禁止自行影印文件

Series No.60

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

3.1 功率衰減曲線:

使用溫度範圍：- 55 ～ 155 ℃

周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下圖曲線予以修定之。

100

155

-55

20 40

160

100 120 140

環境溫度(℃)

3.2 額定電壓:

額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。

可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電壓時，則以最高額定電壓為其

額定電壓。

E= 額定電壓(V)

√

E= R×P

P= 額定功率(W)

R= 公稱阻值(Ω)

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

4 尺寸:

Unit:mm

Dimension

Type

RTW05

Size Code

0508

1.20±0.10

1.60±0.20

3.10±0.10

2.50±0.20

3.20±0.20

2.00±0.10

3.20±0.20

4.60±0.20

5.00±0.20

6.40±0.20

0.50±0.10

0.55±0.10

0.20±0.10

0.35±0.15

0.45±0.25

0.25±0.20

0.45±0.20

0.20±0.15

0.25±0.15

0.40±0.20

0.90±0.20

0.75±0.20

RTW06

RTW18

RTW20

RTW25

0612

1218

1020

1225

5 結構圖:

陶瓷基板

2nd 保護層

字碼

Ceramic substrate

2nd Protective coating

Marking

背面內部電極

正面內部電極

電阻層

Bottom inner electrode

Top inner electrode

Resistive layer

側面內部電極

Ni 層電鍍

Sn 層電鍍

Terminal inner electrode

Ni plating

1st 保護層

1st Protective coating

Sn plating

備

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

註

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

6 信賴性試驗項目:

6.1 電氣性能試驗(Electrical Performance Test)

Item

Conditions

Specifications規格

項目

條件

Resistors

參考3.規格表

Jumper

（R2－R1）

R1（T2－T1）

TCR（ppm / ℃）＝

×106

R1:室溫下量測之阻值(Ω)

Temperature

Coefficient of

Resistance

溫度係數

R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω)

T1:室溫之溫度(℃)

T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。

依據 JIS-C5201-1 4.8

RTW05/06/18/20施加2.5倍的額定電壓5秒，RTW25施加0.5%、1%:△R=±1.0%

參考3.

規格表

5%:△R=±2.0%

2.5倍的額定電壓2秒，靜置30分鐘以上再量測阻值變化率。

Short Time

Overload

短時間過負荷

(額定電壓值請參考 3.規格表)

依據 JIS-C5201-1 4.13

將晶片電阻置於治具上，在正、負極施加VAC

(參考下列)

無短路或燒毀現象。

RTW05(0508) 用 300VAC 1 分鐘

RTW06(0612) 用 400VAC 1 分鐘

RTW18(1218) 用 500VAC 1 分鐘

RTW20(1020) 用 500VAC 1 分鐘

RTW25(1225) 用 500VAC 1 分鐘

Dielectric

Withstand

Voltage

絕緣耐電壓

依據 JIS-C5201-1 4.7

置於恆溫箱中，施加2.5倍額定電壓，1秒ON，25秒OFF，△R=±5.0%

計10000+400/-0次後取出靜置60分鐘後量測阻值變化量。

Jumper:施加最高過負荷電流

參考3.

規格表

Type RTW05 RTW06 RTW18 RTW20 RTW25

Intermittent

Overload

Jumper

(0508) (0612) (1218) (1020) (1225)

±5%

斷續過負荷

±1%

10A

17.5A

20A

依據 JIS-C5201-1 4.13

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

6.2 機械性能試驗(Mechanical Performance Test)

Item

Conditions

Specifications規格

項目

條件

Resistors

Jumper

前處理:將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、導體吃錫面積應大於95%。

濕度100%及氣壓1.22×10 pa的飽和條件下進行4小時的

老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。

測試方法：將電阻浸於235±5℃之爐中2秒後取出置於顯微

鏡下觀察焊錫面積。

Solderability

焊錫性

依據 JIS-C5201-1 4.17

◎測試項目一(焊錫爐測試):

浸於260+5/-0℃之錫爐中10 +1/-0秒，取出靜置60分鐘以 (1).阻值變化率

試驗項目一:

參考3.

規格表

上，再量測阻值變化率。

△R=±1.0%

◎測試項目二(焊鍚爐測試):

浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒，取出後洗淨。置於顯

微鏡下觀察焊錫面積。

試驗項目二:

(1).導體吃錫面積應大於95%。

(2).在電極邊緣處不應見到下層

的物質(例如白基板)。

Resistance to

Soldering Heat

抗焊錫熱

◎測試項目三(電烙鐵試驗):

加熱溫度:350±10℃

烙鐵加熱時間:3+1/-0 sec.

取電鉻鐵加熱於電極兩端後，取出靜置60鐘以上，再量測

阻值變化率。

試驗項目三:

(1).阻值變化率

△R=±1.0%

依據 JIS-C5201-1 4.18

參考3

規格表

◎彎折性測試:

△R%=±1.0%

將晶片電阻焊於彎折性測試板中，置於彎折測試機上，在

測試板中央施力下壓，於負荷下量測阻值變化率.

D:RTW05、RTW06=3mm

RTW18、RTW20、RTW25=2mm

Joint Strength

of Solder

焊錫粘合強度

依據 JIS-C5201-1 4.33

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

6.3 環境試驗(Environmental Test)

Item

Conditions

Specifications規格

項目

條件

Resistors

Jumper

參考3.

置於155±5℃之烤箱中1000+48/-0 hrs，取出靜置1 hr以上0.5%、1%:△R=±1.0%

再量測阻值變化率。

5%:△R=±2.0%

規格表

Resistance

to Dry Heat

耐熱性試驗

PS:RTW0508、RTW0612置於125±3℃中。

依據 JIS-C5201-1 4.25

將晶片電阻置入冷熱沖擊機中，溫度為-55℃ 15分鐘， 0.5%、1%:△R=±0.5%

參考3.

+125℃ 15分鐘，共計循環300次後取出，靜置60分鐘再量5%:△R=±1.0%

規格表

測阻值變化率。

測試條件

Thermal Shock

冷熱沖擊

最低溫度

最高溫度

-55±5℃

125±5℃

15分

溫度保留時間

依據 MIL-STD 202 Method 107

置於溫度40±2℃相對濕度90~95%恆溫恆濕槽中，並施加 0.5%、1%:△R=±2.0%

額定電壓，90分鐘ON，30分鐘OFF，共1,000 hrs取出靜 5%:△R=±3.0%

置60分鐘以上再量測阻值變化率。

參考3.

規格表

Loading Life

in Moisture

耐濕負荷

依據 JIS-C5201-1 4.24

置於70±2℃之烤箱中施加額定電壓，90分鐘ON，30分鐘 0.5%、1%:△R= ±2.0%

OFF，共 1,000 hrs取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。5%:△R=±3.0%

參考3.

規格表

Load Life

負荷壽命

依據 JIS-C5201-1 4.25

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

7 阻值測試包裝標準量測位置：

背面電極量測

Unit : mm

DIM

TYPE

RTW05

1.05±0.05

0.78±0.05

1.30±0.05

2.00±0.05

2.40±0.05

3.00±0.05

(0508)

RTW06

(0612)

1.35±0.05

2.80±0.05

2.10±0.05

2.90±0.05

RTW18

(1218)

RTW20

(1020)

RTW25

(1225)

8 鍍層厚度：

8.1 鎳層厚度:≧2μｍ

8.2 純錫:≧3μｍ

8.3 電鍍純錫為霧錫

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

9 技術應用說明(此為建議，請客戶使用時依實際應用作調整)

9.1 建議焊錫條件:

9.1.1Lead Free IR Reflow Soldering Profile

備註:零件最高耐溫260+5/-0 ℃,10秒。

9.1.2Lead Free Double-Wave Soldering Profile

9.1.3烙鐵焊錫方法:350±10℃, 3秒之內。

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

9.2 建議Land Pattern Design (For Reflow Soldering)：

當元件被焊接時，焊接後的電阻值根據焊接區域的大小和焊接量的不同而稍有變化。設計電路

時，有必要考慮其電阻值降低或增加的影響。

Unit:mm

DIM

TYPE

RTW05

0.6

0.7

1.9

0.5

1.3

2.2

2.6

4.1

3.5

4.2

2.3

3.5

4.9

5.3

6.4

(0508)

RTW06

(0612)

RTW18

(1218)

RTW20

(1020)

RTW25

(1225)

9.3 使用環境注意事項:

此規格產品為一般電子用途，RALEC將不為任何使用在特殊環境下，使用此規格產品導致之損

害、費用或損失負責，如有其他應用需與RALEC進行確認是否適用。

若客戶端有意於特殊環境或狀態下使用本公司產品(包括但不限於如下所示)，則需針對下列或

其他運用環境各別承認產品特性及信賴性。

(a) 運用於高溫高濕之環境。

(b) 於接觸海風或運用於其他腐蝕性氣體之環境: Cl2、H2S、NH3、SO2及NO2。

(d) 使用非驗證過之樹脂或其他塗層材料來封合或塗層本公司產品。

(e) 於焊錫後之清洗，需使用水溶性清潔劑清洗殘留於產品助焊劑，縱然使用免洗助焊劑仍建

議清洗。

9.4 暫態過載注意事項:

本產品可能對於暫態過載而導致產品之功能喪失，請注意您的製造過程和保存，避免發生高於

產品規格之暫態電流施加在產品上。

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

9.5 作業及處理注意事項:

(a) 作業時需確保電阻邊緣及保護層免於機械應力破壞。

(b) 印刷電路板（PCB）分開或固定在支撐體上時應小心操作，因為印刷電路板（PCB）安裝

的彎曲會對電阻器造成機械應力。

有可能因溫度上升造成機器損害。

(d) 若電阻將可能接受大量負載(脈衝波)衝擊時，必須於使用前設置作業環境。

(e) 使用該產品時請在貴司實裝狀態下評估及確認，充分考慮故障安全設計，確保系統上的安

全性。

10 儲存及搬運條件:

10.1 在儲存環境25±5℃、60±15%之條件下可儲存二年。

10.2 存儲時請避免如下惡劣環境，以免影響產品性能及焊錫連接性：海風、Cl2、H2S、

NH3、SO2及NO2等腐蝕性氣體的場所，陽光直射、結露場所。

10.3 產品搬運、存儲時請保證箱體的正確朝向，嚴禁摔落、擠壓箱體，否則可能造成產品

電極或本體受損。

11 電子資訊產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸)

電子資訊產品污染控制標誌

包裝回收標誌

12 附件:

12.1 文件修訂記錄表

(QA-QR-027)

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

文件編號

版本日期

頁次

IE-SP-092

2018/11/02

RALEC

旺詮

RTW 系列厚膜晶片電阻器規格標準書

法律免責聲明

RALEC 及其經銷商與代理商(以下統稱”RALEC”)不因任何產品相關資訊(包括但不限於產品規

格、資料、圖片和圖表)中包含的任何錯誤、不正確或不完整，而承擔任何責任。RALEC 可能

隨時對產品相關資訊進行更改、修訂或改善，恕不另行通知。

RALEC 對於其產品使用於特殊目的之適用性或其任何產品的持續生產不為任何承諾、保證及/

或擔保。在法律准許的最大程度内，RALEC不承擔任何下述之責任：(i)因應用或使用任何 RALEC

產品而產生之任何及所有責任，(ii)任何及所有責任，包括但不限於因 RALEC 產品所造成或與

RALEC 產品相關的利潤損失或是直接損害、間接損害、特別損害、懲罰性損害、衍生性損害或

附帶性損害，及(iii)任何及所有默示保證，包括產品適用於特殊用途、非侵權、及適銷性。

RALEC 將此產品定義為一般電子用途，不適用於任何車用電子、醫療救生或維生設備，亦不適

用於當 RALEC 產品故障時，可能造成人員傷亡之任何應用上。 RALEC 所提供的任何及所有

的關於產品應用上的技術建議，均為無償提供，RALEC對於採用該等技術建議及可獲取的結果，

不承擔任何義務及責任，採用該等建議之所有風險，概由買方承擔。買方將 RALEC 產品使用於

與其他材料或原料結合、或實施於其任何製程中之組合，所產生的所有風險及責任，概由買方

承擔，不論 RALEC 對於產品的使用給予任何口頭或書面的技術説明、建議或其他。

此處所提供之資訊僅為說明產品規格，產品未變更時，RALEC 保有修改此內容不另行通知之所

有權利，任何產品變更將會以 ECN 公布。

備

註

發行管制章DATA Center.

非

發

行

管

制

文

件

自行注意版本更新

Series No. 60

非經允許，禁止自行影印文件

RTW20102JTE 相关器件

型号	制造商	描述	价格	文档
RTW20103JTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW20104JTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW20105JTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW2010R0DTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW2010R0FTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW201200DTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW201200FTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW201202DTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW201202FTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格
RTW201203DTE	RALEC	厚膜宽电极芯片电阻	获取价格