| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.51 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.51 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.4 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.96 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| NDC7001C/D87Z | TI | 510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 获取价格 |
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| NDC7001C/L99Z | TI | 510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 获取价格 |
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| NDC7001C/S62Z | TI | 510mA, 50V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 获取价格 |
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| NDC7001CL99Z | FAIRCHILD | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6 | 获取价格 |
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| NDC7001CS62Z | FAIRCHILD | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.51A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6 | 获取价格 |
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| NDC7002 | FAIRCHILD | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 获取价格 |
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| NDC7002N | TI | 510mA, 50V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 获取价格 |
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| NDC7002N | FAIRCHILD | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | 获取价格 |
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| NDC7002N | ONSEMI | 双 N 沟道增强型场效应晶体管，50V，0.51A，2Ω | 获取价格 |
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| NDC7002N | UMW | 漏源电压（Vdss）:50V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:0.51A;栅极-源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:2mΩ@10V;最大功耗（Ta = 25°C）:700mW;种类:N+N-Channel;Vgs(th)(V):±20 | 获取价格 |
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