TMAG5231C1DQDMRR
更新时间：2025-01-12 05:37:53
品牌：TI
描述：低功耗、低压（1.65V 至 5.5V）霍尔效应开关 | DMR | 4 | -40 to 125
概述
数据手册TMAG5231C1DQDMRR 概述
低功耗、低压（1.65V 至 5.5V）霍尔效应开关 | DMR | 4 | -40 to 125
TMAG5231C1DQDMRR 数据手册
通过下载TMAG5231C1DQDMRR数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。
PDF下载TMAG5231
ZHCSOO8D –AUGUST 2021 –REVISED SEPTEMBER 2022
TMAG5231 低功率，霍尔效应开关
1 特性
3 说明
• 低功耗：
TMAG5231 是第二代低功耗霍尔效应开关传感器，专
为降低紧凑型电池供电消费类和工业应用的总系统成本
而设计。
– 10Hz 版本：1.3µA（3V 时）
– 20Hz 版本：2µA（3V 时）
– 216 Hz 版本：16µA（3V 时）
• 1.65V 至5.5V 工作VCC 范围
• 磁性阈值选项（典型BOP）：
– 1.8mT（0.6mT 磁滞）
– 2.85mT（1.35mT 磁滞）
– 3mT（0.8mT 磁滞）
– 40mT（6.5mT 磁滞）
• 全极响应
当施加的磁通量密度超过工作点 (BOP) 阈值时，器件会
输出低电压。输出会保持低电平，直到磁通密度降至低
于释放点 (BRP)，随后器件输出高电压。全极磁响应可
以使输出对南北磁场都很敏感。
TMAG5231 能够以超低电流消耗运行。为了实现 2
μA 的电流消耗，该器件在内部以 20Hz 的频率进行上
电下电。
TMAG5231 采用业界通用的封装和引脚排列 SOT-23
以及X2SON。
• 推挽式输出
• 行业标准封装和引脚
– SOT-23 封装
– X2SON 封装
• 工作温度范围：–40°C 至+125°C
该器件可在 1.65V 至5.5V 的VCC 范围以及 –40°C 至
125°C 的扩展级工作温度范围内正常运行。
封装信息(1)
2 应用
封装尺寸（标称值）
器件型号
TMAG5231
封装
SOT-23 (3)
X2SON (4)
• 手机、笔记本电脑或平板电脑保护壳感应
• 电表篡改检测
• 电子锁
2.92mm × 1.30mm
1.10mm × 1.40mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
• 烟雾探测器
• 家用电器开关检测
• 医疗设备
• 物联网系统
• 阀和电磁阀位置检测
• 非接触式诊断或激活
VCC
Low-Power
Oscillator
VCC
LDO
OUT
Output
control
X
Amp
Chopper
stabilizaꢀon
GND
方框图
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLYS042
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 器件比较............................................................................ 3
6 引脚配置和功能................................................................. 3
7 规格................................................................................... 4
7.1 绝对最大额定值...........................................................4
7.2 ESD 额定值.................................................................4
7.3 建议运行条件.............................................................. 4
7.4 热性能信息..................................................................4
7.5 电气特性......................................................................5
7.6 磁特性......................................................................... 5
7.7 典型特性......................................................................6
8 详细说明............................................................................ 8
8.1 概述.............................................................................8
8.2 功能方框图..................................................................8
8.3 特性说明......................................................................8
8.4 器件功能模式.............................................................11
9 应用和实现.......................................................................12
9.1 应用信息....................................................................12
9.2 典型应用....................................................................14
9.3 电源相关建议............................................................ 19
9.4 布局...........................................................................19
10 器件和文档支持............................................................. 21
10.1 支持资源..................................................................21
10.2 商标.........................................................................21
10.3 Electrostatic Discharge Caution..............................21
10.4 术语表..................................................................... 21
11 机械和封装信息..............................................................21
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision C (June 2022) to Revision D (September 2022)
Page
• 将器件信息表更改为封装信息...........................................................................................................................1
• 更改了器件比较表中的封装信息........................................................................................................................ 3
• 将电源相关建议和布局部分移到了应用和实施部分........................................................................................19
Changes from Revision B (March 2022) to Revision C (June 2022)
Page
• 将数据表状态从“混合量产”更改为“量产数据”.............................................................................................1
• 在特性部分添加了其他磁性阈值选项................................................................................................................. 1
• 向器件比较表中添加了TMAG5231A1C、TMAG5231A2D 和TMAG5231C1D................................................ 3
• 在电气特性表中添加了TMAG5231xxC............................................................................................................. 5
• 在磁特性表中添加了TMAG5231Axx.................................................................................................................5
Changes from Revision A (November 2021) to Revision B (March 2022)
Page
• 将数据表状态从“量产数据”更改为“混合量产”.............................................................................................1
• 向数据表中添加了DMR (X2SON) 封装预告信息................................................................................................1
• 更改了器件比较表..............................................................................................................................................3
Changes from Revision * (August 2021) to Revision A (November 2021)
Page
• 将数据表状态从“预告信息”更改为“量产数据”.............................................................................................1
• 添加了FA 和FD 器件版本..................................................................................................................................1
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5 器件比较
表5-1. 器件比较
典型
阈值
典型
迟滞
磁
响应
输出
类型
传感器
方向
采样
率
可用
封装
VERSION
SOT-23
X2SON
全极低电平有
效
TMAG5231A1C
TMAG5231A2D
TMAG5231B1D
TMAG5231C1D
TMAG5231C1G
TMAG5231H1D
1.8mT
1.8mT
2.85mT
3mT
0.6mT
0.6mT
1.35mT
0.8mT
0.8mT
6.5mT
Z
Z
Z
Z
Z
Z
10Hz
20 Hz
20 Hz
20 Hz
216 Hz
20 Hz
推挽
推挽
推挽
推挽
推挽
推挽
SOT-23
X2SON
全极高电平有
效
SOT-23
X2SON
全极低电平有
效
SOT-23
X2SON
全极低电平有
效
SOT-23
X2SON
全极低电平有
效
3mT
SOT-23
X2SON
全极低电平有
效
40mT
6 引脚配置和功能
GND
VCC
1
4
VCC
1
Thermal
Pad
3
GND
2
3
OUT
2
NC
OUT
图6-2. DMR 封装4 引脚X2SON 顶视图
图6-1. DBZ 封装3 引脚SOT-23 顶视图
表6-1. 引脚功能
引脚
I/O
说明
SOT-23 (3)
X2SON (4)
名称
GND
OUT
3
2
1
1
3
4
—
接地基准
O
响应南北磁极的全极输出
—
1.65V 至5.5V 电源。TI 建议将此引脚连接到一个电容值至少为
0.1µF 的接地陶瓷电容器。
VCC
2
—
—
—
—
无连接。此引脚未连接到器件。它应该保持悬空或连接到地。它应
该焊接到电路板上以获得机械支撑。
NC
PAD
无连接。该引脚应该保存悬空或连接到系统接地端。它应该焊接到
电路板上以获得机械支撑。
散热焊盘
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7 规格
7.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
–0.3
最大值
单位
VCC
5.5
电源电压
V
OUT
VCC+ 0.3
5
GND –0.3
-5
输出引脚电压
OUT
mA
T
输出引脚电流
磁通密度，BMAX
结温，TJ
无限
150
150
°C
°C
结温，TJ
-65
贮存温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大
额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的
任何其他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件但在绝对最大额定值范围内使用，
器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、
功能和性能并缩短器件寿命。
7.2 ESD 额定值
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001，所有引脚(1)
±5500
V(ESD)
V
静电放电
充电器件模型(CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC
JS-002 标准，所有引脚(2)
±500
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
7.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
1.65
0
最大值
5.5
单位
V
VCC
Vo
Io
电源电压
输出电压
输出电流
环境温度
5.5
V
-5
5
mA
°C
TA
-40
125
7.4 热性能信息
TMAG5231
SOT-23 (DBZ)
3 个引脚
227.4
TMAG5231
X2SON (DMR)
4 引脚
热指标(1)
单位
RθJA
218.4
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
122.7
174.1
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
61.2
172.4
°C/W
21.3
11.9
ΨJT
结至顶部特征参数
60.8
167.2
ΨJB
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
RθJC(bot)
144.9
不适用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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7.5 电气特性
VCC = 1.65V 至5.5V，在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
推挽式输出驱动器
VOH
Vcc-0.35 Vcc-0.1
0.1
V
V
输出电流= -0.5mA
高电平输出电压
低电平输出电压
TMAG5231xxG
VOL
0.3
输出电流= 0.5mA
fs
136
216
4.63
16
374
Hz
ms
µA
磁采样频率
磁采样周期
平均电流消耗
ts
2.67
7.35
ICC(AVG)
在整个温度范围内Vcc = 3V
在整个温度范围内Vcc = 3V
在整个温度范围内Vcc = 3V
TMAG5231xxD
fs
13
20
50
2
29
3
Hz
ms
µA
磁采样频率
磁采样周期
平均电流消耗
ts
ICC(AVG)
TMAG5231xxC
fs
7
10
100
1.3
14.5
143
Hz
ms
µA
磁采样频率
磁采样周期
平均电流消耗
ts
77
ICC(AVG)
所有版本
ICC(PK)
ICC(SLP)
tON
0.8
1.25
0.8
140
60
2
1.4
425
75
mA
µA
峰值电流消耗
睡眠电流消耗
加电时间
65
45
µs
tACTIVE
运行时长
7.6 磁特性
VCC = 1.65V 至5.5V
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
TMAG5231Axx
BOP
BRP
±0.9
±0.3
±0.1
±1.8
±1.2
±0.6
±2.7
±2.2
±1.4
mT
mT
mT
磁性阈值工作点
温度= 25 °C
磁释放点
磁滞
BHYS
TMAG5231B1D
BOP
BRP
±1.9
±0.5
±0.5
±2.85
±1.5
±3.8
±2.5
±2.2
磁性阈值工作点
磁释放点
磁滞
温度= 25 °C
温度= 25 °C
温度= 25 °C
mT
mT
mT
BHYS
±1.35
TMAG5231Cxx
BOP
BRP
±2
±1.2
±0.3
±3
±2.2
±0.8
±4
±3.2
±1.5
磁性阈值工作点
磁释放点
磁滞
BHYS
TMAG5231H1D
BOP
BRP
±30
±23.5
±4.5
±40
±33.5
±6.5
±50
±43.5
±8.5
磁性阈值工作点
磁释放点
磁滞
BHYS
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7.7 典型特性
2.5
2.5
1.5
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
1.5
0.5
0.5
-0.5
-1.5
-2.5
-0.5
-1.5
-2.5
1.65
2.65
3.65
4.65
5.5
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
Supply Voltage (V)
TA = 25°C
VCC = 3V
图7-2. 1.8mT 阈值与电源电压之间的关系
图7-1. 1.8mT 阈值与温度之间的关系
5
5
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
3
1
3
1
-1
-3
-5
-1
-3
-5
1.65
2.65
3.65
4.65
5.5
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
Supply Voltage (V)
TA = 25°C
VCC = 3V
图7-4. 2.85mT 阈值与电源电压之间的关系
图7-3. 2.85mT 阈值与温度之间的关系
5
5
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
BOPS
BOPN
BRPS
BRPN
4
3
3
1
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-1
-3
-5
1.65
2.65
3.65
4.65
5.5
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
Supply Voltage (V)
TA = 25°C
VCC = 3V
图7-6. 3.0mT 阈值与电源电压之间的关系
图7-5. 3.0mT 阈值与温度之间的关系
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4
4
3
2
1
0
VCC = 1.65 V
VCC = 3 V
VCC = 5.5 V
VCC = 1.65 V
VCC = 3 V
VCC = 5.5 V
3
2
1
0
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
Temperature (C)
磁性阈值= 1.8mT
采样率= 10Hz
磁性阈值= 1.8mT
采样率= 20Hz
图7-7. ICC 与温度之间的关系
图7-8. ICC 与温度之间的关系
4
3
2
1
0
4
3
2
1
0
VCC = 1.65 V
VCC = 3 V
VCC = 5.5 V
VCC = 1.65 V
VCC = 3 V
VCC = 5.5 V
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
Temperature (C)
磁性阈值= 2.85mT
采样率= 20Hz
磁性阈值= 3.0mT
采样率= 20Hz
图7-9. ICC 与温度之间的关系
图7-10. ICC 与温度之间的关系
4
3
2
1
0
VCC = 1.65 V
VCC = 3 V
VCC = 5.5 V
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (C)
磁性阈值= 3.0mT
采样率= 216Hz
磁性阈值= 40mT
采样率= 20Hz
图7-11. ICC 与温度之间的关系
图7-12. ICC 与温度之间的关系
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8 详细说明
8.1 概述
TMAG5231 器件是一款具有数字输出的磁传感器，可指示何时超过磁通密度阈值。它包含一个推挽输出，当存在
磁场时变为低电平，或在无磁场时变为高电平。作为全极开关，输出对南北极都很敏感。该器件集成了霍尔效应
元件、模拟信号调节和低频振荡器，可实现超低的平均功耗。为了实现低功耗，该器件会定期测量磁通密度、更
新输出并进入低功耗睡眠状态。该器件的电源电压范围为1.65V 至5.5V，专为电池供电型应用而设计。
8.2 功能方框图
VCC
Low-Power
Oscillator
LDO
VCC
OUT
Output
control
X
Amp
Chopper
stabilizaꢀon
GND
8.3 特性说明
8.3.1 磁通量方向
图8-1 显示了TMAG5231 器件对垂直于封装顶部的磁场分量敏感。
B
B
SOT-23
X2SON
PCB
图8-1. 灵敏度方向
在该数据表中，从封装底部到顶部的磁通量为正。当南磁极靠近封装顶部时，就会出现这种情况。从封装顶部到
底部的磁通量会产生负毫特斯拉值。
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positive B
negative B
N
S
S
N
PCB
PCB
图8-2. 磁通量方向极性
8.3.2 磁响应
TMAG5231 是全极开关。图8-3 显示了输出对南北极的响应。
OUT
BHYS
BHYS
VCC
0V
B
BOP BRP
BRP BOP
south
north
0 mT
图8-3. 全极功能
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8.3.3 输出类型
TMAG5231 具有推挽式CMOS 输出，可将输出电压驱动至接近VCC 或接地电平。
VCC
Output
Output
Control
图8-4. 推挽式输出（简化版）
8.3.4 采样率
当TMAG5231 上电时，该器件会测量第一个磁性样本并设置tON 时间内的输出。输出锁存后，器件进入超低功耗
睡眠状态。在每个 tS 时间过后，器件会测量一个新的样本，并在必要时更新输出。如果磁场在各周期之间没有变
化，则输出也不会改变。
VCC
1.65 V
tON
time
tACTIVE
tS
tS
ICC
ICC(PK)
time
Output
VCC
2nd sample
3rd sample
Invalid
1st sample
GND
time
图8-5. 时序图
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8.3.5 霍尔元件位置
从顶部看，器件内部的感应元件位于两个封装的中心。图8-6 显示了容差和侧视图尺寸。
SOT-23
Top View
SOT-23
Side View
centered
±70 µm
650 µm
±80 µm
X2SON
Top View
X2SON
Side View
centered
±60 µm
250 µm
±50 µm
图8-6. 霍尔元件位置
8.4 器件功能模式
TMAG5231 器件有一种运行模式，这种模式在满足建议运行条件时适用。
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
9.1 应用信息
TMAG5231 器件通常用于检测磁体的接近度。磁体通常附在系统中的可移动元件上。
9.1.1 定义设计实现方案
设计的第一步是确定您的一般设计实现方案，这意味着您要确定检测磁体是滑动着经过传感器、朝向传感器迎面
移动还是基于铰链朝向传感器摆动。图9-1 显示了上述每个设计实现方案的示例。
图9-1. 设计实现方案
对于每个实现方案，目标是使设计系统的转换区域空间坐标位于与BOP 最大值和 BRP 最小值规格相关的空间坐标
内。图 9-2 显示了一个迎面示例，该示例显示了与器件 BOPMAX 和 BRPMIN 对应的位置如何位于所需的转换区域
内。为了促进快速设计迭代，以下设计示例应用了TI 的Magnetic Sensing Proximity Tool。
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图9-2. 迎面示例
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9.2 典型应用
9.2.1 铰链
XZ-Plane Displacement Dimensions
*Dimensions not to scale
XY-Plane Displacement Dimensions
*Dimensions not to scale
*Magnet offsets when magnet oriented at 0°
图9-3. 典型应用图
9.2.1.1 设计要求
表9-1 列出了此示例的设计参数。
表9-1. 设计参数
设计参数
示例值
VCC
3.3V
5° 至15°
转换区域
1/4" (6.35mm)
1" (25.4mm)
最大磁体尺寸
最大磁体宽度或长度
固定装置宽度
12" (304.8mm)
9" (228.6mm)
0.23622" (6mm)
固定装置长度
传感器与铰链原点之间的距离
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表9-1. 设计参数(continued)
设计参数
示例值
≥（6mm –磁体高度/2）
磁体中心相对铰链原点的偏移
9.2.1.2 详细设计过程
由于磁体的非线性行为复杂且受多种变量的影响，因此需要进行一些实验来完成可行的设计。此应用使用的是简
单的轴向、偶极、块状磁体。对于不同的场强或价格，可以考虑其他形状的磁体。我们使用的是钕磁体(N52)。在
撰写本文时，N52 的高度通常为 1/16"、1/8"、3/16" 和 1/4"。鉴于价格往往随尺寸的增加而增加，第一次设计尝
试将使用厚度为 1/16" 的磁体，该磁体的宽度和长度均为 0.25"。根据传感器与铰链原点之间的距离和固定装置尺
寸限制，可以非常灵活地放置传感器。由于固定装置中存在其他硬件，TMAG5231B1DQDBZ 传感器放置在距离
原点8" (203.2mm) 的位置。用户可从此处评估具有以下位移尺寸的设计。
图 9-4 显示了 TMAG5231B1DQDBZ 的 B 场幅度不能满足 5° 和 15° 的空间限制，因为 Bz 幅度仅超过了 BRP 的
最小值。这里有几个帮助设计推进的方法。由于 BOP(Max) 不在我们的范围内，因此用户必须增加场强。这可以通
过较厚的磁体或通过调整传感器和磁体 z 偏移来实现。由于外壳限制，磁体无法更近，因此唯一可行的方法是增
加磁体厚度。使用该工具进行多次迭代后，0.25" × 0.25" × 0.25" 的磁体可满足条件（请参阅图9-5 和图9-6）。
9.2.1.3 应用曲线
图9-4. B 场假设一
图9-5. B 场假设二
图9-6. 阈值
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9.2.2 迎面
XZ-Plane Displacement Dimensions
*Dimensions not to scale
XY-Plane Displacement Dimensions
*Dimensions not to scale
图9-7. 典型应用图
9.2.2.1 设计要求
表9-1 列出了此示例的设计参数。
表9-2. 设计参数
设计参数
示例值
VCC
3.3V
距离传感器固定装置表面10mm 和
30mm 之间
转换区域
0.0787" (2mm)
<1" (25.4mm)
<1" (25.4mm)
<1/4" (6.35mm)
N42
传感器与设备外表面之间的距离
磁体长度
磁体宽度
磁体高度
磁体类型
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9.2.2.2 详细设计过程
在这种特定情况下，可使用先前其他项目中的几种 N42 磁体。由于所需的转换区域是磁体表面距离传感器至少
12mm (10mm + 2mm) 的区域，因此我们的初始设计尝试使用一个较大磁体(3/8" × 3/16" × 3/16")。图9-8 显示了
该磁体在TMAG5231B1DQDBZ 磁性阈值条件下移动的相应曲线。
虽然 Bz 幅度足以超过 BOPMAX，但它没有完全达到 BRPMIN。因此，用户必须进行一些调整，使 Bz 在所需的工作
范围内低于 BRPMIN。这里有几种可以降低 Bz 的方法。用户可以偏移磁体或选择更小的磁体。在通过增加 x 偏移
和 y 偏移以及减小磁体厚度来迭代之后，用户最终可以找到一个有效的解决方案。在这种情况下，使用的是相对
传感器中心没有 x 或 y 偏移的 3/8" × 3/16" × 1/16" N42 磁体。图 9-9 和图 9-10 显示了与最终磁体参数对应的曲
线。
9.2.2.3 应用曲线
图9-8. B 场假设一
图9-9. B 场假设二
图9-10. 阈值
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9.2.3 滑过
XZ-Plane Displacement Dimensions
*Dimensions not to scale
XY-Plane Displacement Dimensions
*Dimensions not to scale
*Y-offset when magnet x displacement = 0
图9-11. 典型应用图
9.2.3.1 设计要求
表9-1 列出了此示例的设计参数。
表9-3. 设计参数
设计参数
示例值
3.3V
VCC
<0.433" (11mm)
>0.236" (6mm)
<1/2" (12.7mm)
<1/2" (12.7mm)
<1/8" (3.175mm)
N42
磁体移动范围
传感器与设备外表面之间的距离
磁体长度
磁体宽度
磁体高度
磁体类型
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9.2.3.2 详细设计过程
对于涉及 TMAG5231B1DQDBZ 的这种特定情况，用户可以任意地从 1/8" × 1/8" × 1/16" 磁体、7mm (>6mm) 的
z 偏移以及一半磁体长度的初始位移(1/8"/2 = 1/16") 开始尝试，然后偶然地获得合适的磁体（请参阅图9-12 和图
9-13）。如果 B 场未超过 BOPMAX，用户可以尝试在 z 轴方向上将磁体移到更近些、使用更大的磁体或改用磁导
率更高的磁体。或者，如果B 场太大，可以沿各轴方向将磁体移得更远些，或者可以使用更小的磁体。
9.2.3.3 应用曲线
图9-13. 阈值
图9-12. B 场假设
9.3 电源相关建议
TMAG5231 器件由 1.65V 至 5.5V 直流电源供电。必须使用靠近器件的去耦电容器以最小电感提供局部能量。TI
建议使用值至少为0.1µF 的陶瓷电容器。
9.4 布局
9.4.1 布局指南
磁场通过大多数非铁磁材料而没有明显的干扰。将霍尔效应传感器嵌入塑料或铝制外壳中来感应外部磁体是惯常
的做法。磁场也容易穿过大多数印刷电路板(PCB)，因此可以将磁体放置在另一侧。
9.4.2 布局示例
VCC
GND
OUT
图9-14. SOT-23 布局示例
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GND
VCC
Thermal
Pad
NC
OUT
图9-15. X2SON 布局示例
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10 器件和文档支持
10.1 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
10.2 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
10.3 Electrostatic Discharge Caution
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled
with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may
be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published
specifications.
10.4 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
11 机械和封装信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
TMAG5231A1CQDBZR
TMAG5231A1CQDMRR
TMAG5231A2DQDBZR
TMAG5231A2DQDMRR
TMAG5231B1DQDBZR
TMAG5231B1DQDMRR
TMAG5231C1DQDBZR
TMAG5231C1DQDMRR
TMAG5231C1GQDBZR
TMAG5231C1GQDMRR
TMAG5231H1DQDBZR
TMAG5231H1DQDMRR
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
3
4
3
4
3
4
3
4
3
4
3
4
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
1A1C
A1C
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
1A2D
A2D
1B1D
B1D
1C1D
C1D
1C1G
C1G
1H1D
H1D
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
TMAG5231A1CQDBZR SOT-23
TMAG5231A1CQDMRR X2SON
TMAG5231A2DQDBZR SOT-23
TMAG5231A2DQDMRR X2SON
TMAG5231B1DQDBZR SOT-23
TMAG5231B1DQDMRR X2SON
TMAG5231C1DQDBZR SOT-23
TMAG5231C1DQDMRR X2SON
TMAG5231C1GQDBZR SOT-23
TMAG5231C1GQDMRR X2SON
TMAG5231H1DQDBZR SOT-23
TMAG5231H1DQDMRR X2SON
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
3
4
3
4
3
4
3
4
3
4
3
4
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
178.0
179.0
178.0
179.0
178.0
179.0
178.0
179.0
178.0
179.0
178.0
179.0
9.0
8.4
9.0
8.4
9.0
8.4
9.0
8.4
9.0
8.4
9.0
8.4
3.15
1.27
3.15
1.27
3.15
1.27
3.15
1.27
3.15
1.27
3.15
1.27
2.77
1.57
2.77
1.57
2.77
1.57
2.77
1.57
2.77
1.57
2.77
1.57
1.22
0.5
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q1
Q3
Q1
Q3
Q1
Q3
Q1
Q3
Q1
Q3
Q1
1.22
0.5
1.22
0.5
1.22
0.5
1.22
0.5
1.22
0.5
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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23-Jun-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
TMAG5231A1CQDBZR
TMAG5231A1CQDMRR
TMAG5231A2DQDBZR
TMAG5231A2DQDMRR
TMAG5231B1DQDBZR
TMAG5231B1DQDMRR
TMAG5231C1DQDBZR
TMAG5231C1DQDMRR
TMAG5231C1GQDBZR
TMAG5231C1GQDMRR
TMAG5231H1DQDBZR
TMAG5231H1DQDMRR
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
SOT-23
X2SON
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
DBZ
DMR
3
4
3
4
3
4
3
4
3
4
3
4
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
180.0
200.0
180.0
200.0
180.0
200.0
180.0
200.0
180.0
200.0
180.0
200.0
180.0
183.0
180.0
183.0
180.0
183.0
180.0
183.0
180.0
183.0
180.0
183.0
18.0
25.0
18.0
25.0
18.0
25.0
18.0
25.0
18.0
25.0
18.0
25.0
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
2.64
2.10
1.12 MAX
1.4
1.2
B
A
0.1 C
PIN 1
INDEX AREA
1
0.95
(0.125)
3.04
2.80
1.9
3
(0.15)
NOTE 4
2
0.5
0.3
3X
0.10
0.01
(0.95)
TYP
0.2
C A B
0.25
GAGE PLANE
0.20
0.08
TYP
0.6
0.2
TYP
SEATING PLANE
0 -8 TYP
4214838/D 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Reference JEDEC registration TO-236, except minimum foot length.
4. Support pin may differ or may not be present.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
3X (1.3)
1
3X (0.6)
SYMM
3
2X (0.95)
2
(R0.05) TYP
(2.1)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
0.07 MIN
ALL AROUND
0.07 MAX
ALL AROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214838/D 03/2023
NOTES: (continued)
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
3X (1.3)
1
3X (0.6)
SYMM
3
2X(0.95)
2
(R0.05) TYP
(2.1)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 THICK STENCIL
SCALE:15X
4214838/D 03/2023
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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GENERIC PACKAGE VIEW
DMR 4
1.1 x 1.4, 0.5 mm pitch
X2SON - 0.4 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4229480/A
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PACKAGE OUTLINE
DMR0004A
X2SON - 0.4 mm max height
SCALE 9.000
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
1.15
1.05
A
B
PIN 1 INDEX AREA
1.45
1.35
(0.13) TYP
C
0.4 MAX
SEATING PLANE
0.08 C
NOTE 4
0.05
0.00
2X 0.5
SYMM
2
3
NOTE 4
EXPOSED
THERMAL PAD
5
SYMM
0.6 0.1
0.25
0.15
4X
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
4
1
0.27
0.17
4X
0.8 0.1
0.1
C B
C
A
0.05
4222825/B 05/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
4. Quantity and shape of side wall metal may vary.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DMR0004A
X2SON - 0.4 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
2X (0.5)
4X (0.22)
4X (0.4)
(R0.05) TYP
1
4
5
SYMM
(1.4)
(0.6)
(
0.2) VIA
2
3
SYMM
(0.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:35X
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
METAL
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4222825/B 05/2022
NOTES: (continued)
5. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
6. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If all or some are implemented, recommended via locations are shown.
It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DMR0004A
X2SON - 0.4 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE - NO LEAD
2X (0.5)
4X (0.22)
4X (0.4)
(R0.05) TYP
1
4
5
SYMM
(1.4)
(0.57)
METAL
TYP
2
3
SYMM
(0.76)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.1 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD 5:
90% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA
SCALE:50X
4222825/B 05/2022
NOTES: (continued)
7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
www.ti.com
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
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| TMAG5231H1DQDBZR | TI | 低功耗、低压（1.65V 至 5.5V）霍尔效应开关 | DBZ | 3 | -40 to 125 | 获取价格 |
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| TMAG5273A1QDBVT | TI | TMAG5273 3-Axis Linear Hall Effect Sensor With I2C Interface | 获取价格 |
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| TMAG5273A2QDBVR | TI | TMAG5273 3-Axis Linear Hall Effect Sensor With I2C Interface | 获取价格 |
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